Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,№2,№3. Вариант №5
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Описание
1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Все работы зачтены без замечаний
2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Все работы зачтены без замечаний
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.11.2015
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидови
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.11.2015
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидови
Похожие материалы
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Лабораторная работа №1
по дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные с
200 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Другие работы
Расчет термодинамических циклов ЮУрГУ Вариант 8.1
Z24
: 1 ноября 2025
Для цикла, изображенного в р-υ координатах
Требуется определить:
а) параметры р, υ, Т в характерных точках цикла;
б) работу l, изменения: внутренней энергии Δu, энтальпии Δh, энтропии Δs рабочего тела во всех процессах цикла;
в) теплоту q всех процессов цикла;
г) термический КПД цикла и термический КПД цикла Карно ηtK, построенного в том же интервале температур.
Полученные данные поместить в таблицы.
Построить цикл в р-υ и T-s координатах в масштабе с расчетом параметров пр
600 руб.
Рассчитать и сконструировать резец расточной, зенкер, метчик (МАМИ)
ZAKstud
: 20 июня 2019
1. Рассчитать и сконструировать токарный резец с пластинкой из твердого сплава для растачивания отверстия диаметром d=50 мм до диаметра D=52 мм на длину l=150 мм. Основные размеры резца выполнить по ГОСТ 18063-72 и ГОСТ 18064-72. Материал заготовки Сталь 40Х, Ϭв=1100 МН/м2, Rz 16, отверстие сквозное.
2. Рассчитать и сконструировать насадной зенкер со вставными ножами из быстрорежущей стали для обработки сквозного отверстия в заготовке из стали 30 пределом прочности Ϭв=600 МПа/м2. Глубина отвер
580 руб.
Гидравлика и теплотехника ТОГУ Теплопередача Задача 4 Вариант 2
Z24
: 4 марта 2026
Теплопровод покрыт двумя слоями изоляции, имеющими одинаковую толщину δ. Средний диаметр второго слоя dm2 в n раз больше среднего диаметра первого слоя dm1, а коэффициент теплопроводности изоляции второго слоя в n раз меньше коэффициента теплопроводности первого слоя. На сколько процентов изменится потеря тепла (линейная плотность теплового потока q, Вт/пог.м), если при неизменных температурах наружной и внутренней поверхностей слои изоляции поменять местами.
150 руб.
Структуры и алгоритмы обработки данных (2 часть) Лабораторная работа № 4 вариант 4
maxgalll
: 16 ноября 2011
1. Разработать процедуру построения двоичного Б-дерева.
2. Вычислить среднюю высоту двоичного Б-дерева для n=10, 50, 100, 200, 400 (n -количество вершин в дереве) и заполнить таблицу следующего вида. Проанализировать полученные результаты, сравнить их с теоретическими оценками и результатами из лабораторной работы 3.
45 руб.