Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,№2,№3. Вариант №5
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
19.11.2015
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Student2
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
Описание
1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Все работы зачтены без замечаний
2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Все работы зачтены без замечаний
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.11.2015
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидови
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.11.2015
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидови
Похожие материалы
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Лабораторная работа №1
по дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные с
sec1or
: 15 мая 2012
200 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
merzavec
: 8 декабря 2014
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
donkirik
: 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Другие работы
Інвестиційна діяльність промислового підприємства й оцінка економічної ефективності інвестиційного проекту
evelin
: 26 октября 2013
Ціль виконання курсової роботи – отримати навички необхідні для оцінки економічної ефективності інвестиційного проекту, закріпити теоретичні знання, отримані після вивчення курсу «Фінанси, грошовий обіг та кредит: Інвестування», ознайомитись з науково-методичними джерелами інвестиційної діяльності, навчитися робити висновки щодо доцільності прийняття інвестиційного проекту.
Методи дослідження: аналіз літературних джерел, методи оцінки ефективності інвестицій ЮНІДО.
У курсовій роботі розглянуто о
evelin
: 26 октября 2013
5 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Интегральные и оптические сети
aleksei84
: 6 ноября 2014
1. Цель работы:
Ознакомиться с технологиями пассивных оптических сетей.
o Изучить основные теоретические сведения по технологиям PON, ознакомиться с разновидностями данной технологии, рассмотреть их сравнительный анализ, параметры и реализацию;
o Решить предложенные задачи согласно варианту;
o Пройти итоговый тест.
Вариант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Задачи 1, 11 2, 12 3, 13 4, 14 5, 15 6, 11 7, 12 8, 13 9, 14 10,15
Порядок выполнения работы:
1. Теоретические сведения по технологиям PON
Суть технол
aleksei84
: 6 ноября 2014
29 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Пакетная телефония. Вариант №25.
teacher-sib
: 9 июня 2022
Задание 1
Спроектировать услугу IP-телефонии для локальной сети.
В данном задании необходимо:
Разработать схему проектируемой сети для своего варианта;
Сделать расчет нагрузки;
Сделать расчет пропускной способности;
Сделать выводы о выбранных интерфейсах;
Нанести результаты расчета на схему проектируемой сети.
Таблица 1.1 – Варианты заданий для задачи 1
Вариант
Nаб
yk Тип
аудио-кодека Скорость
V
(кбит/с) Размер речевого кадра
L
(байт) Длительность
речевого кадра
T(мс) Количество
рече
teacher-sib
: 9 июня 2022
800 руб.
Основы работы в среде Blender, лабораторная работа №3
Lyubov
: 7 апреля 2026
Цель работы
Закрепить знания по созданию материалов в среде Blender. Научиться применять созданные материалы к объектам в сцене. Выполнить рендер нескольких сцен, используя исходные и собственные модели.
Задание:
1. Проделать приведенные в тексте лабораторной работы шаги на предложенных моделях или своих;
2. Выполнить рендер получившейся сцены;
3. Написать отчет, сопроводить скриншотами, текстовыми пояснениями, финальными рендерами.
Lyubov
: 7 апреля 2026
699 руб.
