Итоговая работа по дисциплине: Электроника. Вариант 01.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2015, хорошо.
Похожие материалы
Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.
gerts
: 6 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
99 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
50 руб.
Электроника. Курсовая работа. Вариант № 01
Gila
: 17 января 2019
Техническое задание.
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Исходные данные по курсовой работе.
Напряжение питания: Uпит=+12 В
Знак
255 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант 01
xtrail
: 1 июля 2025
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1.1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического равновесия цепи
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 16 мая 2023
Вариант No01
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического рав
500 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 01.
Ste9035
: 17 октября 2016
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на част
40 руб.
Контрольная работа "Физические основы электроники". Вариант 01.
corner
: 18 ноября 2011
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |H21|/h21=F(f) для различных с
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: «Философия бизнеса»
max23
: 10 марта 2016
Методические указания
по выполнению итоговой работы
Уважаемый слушатель!
Для получения экзаменационной оценки (зачёта) по дисциплине Вам необходимо представить отчёт о выполнении трёх заданий:
1. «Обобщенная модель механизма управления»,
2. «Уровни нравственного развития»,
3. «Моральный кодекс предпринимателя».
Объём работы (высылаются все три задания вместе одной работой) определяется Вашим творчеством, не менее 4, но не более 6 страниц. Текст работы форматируется в соответствии с общими
100 руб.
Другие работы
Моделювання на ЕОМ випадкових величин і випадкових процесів
DocentMark
: 12 ноября 2012
Содержание
Вступ
1. Принципи моделювання на ЕОМ випадкових елементів
2. Моделювання випадкових величин із заданими ймовірнісними характеристиками
Моделювання випадкових величин, що приймають дискретні значення
Моделювання випадкових величин із заданими щільностями імовірностей методом обернених функцій
Моделювання випадкових величин із заданими щільностями імовірностей методом суперпозиції
Моделювання гаусових випадкових величин методом сумації
Моделювання випадкових величин із експоненціальним
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 88
Z24
: 1 января 2026
Из резервуара при постоянном манометрическом давлении рм = (20 + 0,2·y) кПа и постоянном уровне H = (1,0 + 0,1·z) м вода вытекает по вертикальной трубе переменного сечения, нижний конец которой погружен в открытый резервуар.
Определить расход Q в трубе и полное гидростатическое давление р2 в сечении 2 – 2, расположенном на высоте h = (0,5 + 0,02·y) = 0,58 м от свободной поверхности нижнего резервуара, если d1 = (50 + 5·z) = 95 мм, d2 = (75 + 2·y) = 83 мм (рис. 7).
Учитывать только местные
250 руб.
Термодинамика ПетрГУ 2009 Задача 2 Вариант 23
Z24
: 12 декабря 2025
Рассчитать смешанный цикл двигателя внутреннего сгорания, т.е. найти параметры p, V и T для характерных точек цикла, изменение внутренней энергии, энтальпии, энтропии, а также работу в отдельных процессах и цикле. Определить также степень предварительного расширения, степень повышения давления и термический КПД цикла. Параметры выбрать из таблицы 1.
Дополнительные данные для расчета: начальный объем — V1=0,001 м³; количество теплоты, подводимой в изобарном процессе — Qp=1,05 кДж; количество т
650 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 5 Вариант 86
Z24
: 9 марта 2026
Определить направление движения реальной жидкости и вид местного сопротивления в наклонном трубопроводе при следующих исходных данных для сечений 1-1 и 2-2: геометрические высоты сечений z1, z2; манометрические давления р1, р2; диаметры трубопровода d1 = 200 мм, d2 = 120 мм; расход жидкости Q, кинематический коэффициент вязкости жидкости ν = 10⸱10-6 м²/с, которому соответствует жидкость с плотностью ρ = 850 кг/м³.
200 руб.