Итоговая работа по дисциплине: Электроника. Вариант 01.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2015, хорошо.
Похожие материалы
Итоговая работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 01.
gerts
: 6 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
99 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
50 руб.
Электроника. Курсовая работа. Вариант № 01
Gila
: 17 января 2019
Техническое задание.
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Исходные данные по курсовой работе.
Напряжение питания: Uпит=+12 В
Знак
255 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант 01
xtrail
: 1 июля 2025
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1.1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического равновесия цепи
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 16 мая 2023
Вариант No01
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического рав
500 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 01.
Ste9035
: 17 октября 2016
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на част
40 руб.
Контрольная работа "Физические основы электроники". Вариант 01.
corner
: 18 ноября 2011
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |H21|/h21=F(f) для различных с
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант №01
aalinaa
: 8 февраля 2020
Контрольная работа №3 по дисциплине Электротехника, электроника и схемотехника. Вариант 01.
150 руб.
Другие работы
Графическая работа № 2 «Разрезы». Вариант 3
Laguz
: 22 сентября 2025
ЗАДАНИЕ
1. По двум видам заданной детали построить третий вид.
2. Выполнить разрезы детали на фронтальной и профильной проекции, совместив вид и разрез.
3. Проставить размеры на чертеже.
Чертеж сделан компасе 22 + дополнительно сохранён в компас 5 и в джпг, пдф
Все что есть на приложенных изображениях, есть в приложенном архиве.
Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
100 руб.
ДБН А.3.2-2-2009. ССБТ. Охорона праці і промислова безпека у будівництві. Основні положення
evelin
: 3 июля 2013
Державні будівельні норми. Київ. 2012 рік. 94 сторінки. Міністерство регіонального розвитку та будівництва України. Розроблено науково-дослідним інститутом будівельного виробництва Мінрегіонбуду України. Затверджені наказами Мінрегіонбуду України від 27.01.2009 р. № 45, від 04.06.2010 р. № 202, від 25.05.2011 р. № 53 та наказ Мінрегіону від 30.12.2011 р. 417, чинні з 1 квітня 2012 р. Норми поширюються на загальнобудівельні і спеціальні будівельні роботи під час нового будівництва, розширення, ре
4 руб.
Сечение тела. Вариант 18 ЧЕРТЕЖ
lepris
: 29 мая 2024
Сечение тела. Вариант 18
Исходные данные для выполнения задания
d = 95 мм
d1 = 70 мм
d2 = 62 мм
h = 45 мм
h1 = 45 мм
h2 = 25 мм
k = 8 мм
k1 = 20 мм
k2 = 16 мм
a = 40 мм
m = 45 мм
Перечертить и закончить в трех проекциях чертеж усеченной полой модели. Найти натуральную величину фигуры сечения. Построить аксонометрическую проекцию.
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + PDF (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печата
150 руб.
Оперативное управление производством
mahaha
: 11 марта 2017
1.Исходные данные для контрольной работы.
Экономические показатели
Обозначение №5 №7
1. Выручка В 30000 40000
2. Себестоимость СС 25500 34000
3. Прибыль от реализации продукции Псмр 4500 6000
4. Прибыль балансовая Пн 5000 5000
5. Прибыль налогооблагаемая Пн 4500 4200
6. Налог на прибыль Н 1500 2700
7. Прибыль чистая Пч 3000 1500
8. Затраты на оплату труда ЗОТ 4500 6600
9. Затраты на оплату рабочих ЗЗПР 3500 7000
10.
50 руб.