Экзаменационная работа. Электроника
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Проверил:Игнатов Александр Николаевич
Рецензия: в Вашей работе имеются погрешности в ответе на вопрос №3: неверны полярности напряжений на рис. 16.
Оценка 4
Рецензия: в Вашей работе имеются погрешности в ответе на вопрос №3: неверны полярности напряжений на рис. 16.
Оценка 4
Похожие материалы
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
Багдат
: 18 июня 2016
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные х
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
aleks797
: 20 января 2013
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
170 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
naviS
: 7 ноября 2011
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные хара
115 руб.
Другие работы
Тенденции развития оборонно-промышленного комплекса
Lokard
: 12 ноября 2013
После окончания холодной войны и развала СССР произошли значительные изменения во всей системе мировых политических, экономических, военных отношений, в том числе и в мировой военной экономике. В течение десяти лет продолжали снижаться мировые военные расходы и военное производство. Однако этот прогрессивный процесс развивался в весьма противоречивых формах. В молодых независимых государствах, возникших на территории СССР, он стал фактическим разрушением военной организации и военного хозяйства.
10 руб.
Амортизационная политика
Elfa254
: 10 января 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Введение…………………………………………………………………3
Сущность амортизационной политики………………………………..4
Элементы амортизационной политики………………………………..8
Список использованных источников………………………………...14
Введение
Капитал, как фактор производства, представляет собой фонды производственного оборудования. Для того чтобы капитал приносил прибыль в процессе производства, необходимо постоянно поддерживать его в первоначальном рентабельном состоянии, чтобы его неизбежный износ не наносил ущерба коммерческой де
20 руб.
Редуктор конический одноступенчатый К-Рп-М-P5.4n20u5
Kvi5
: 21 января 2015
Разработать конструкцию привода механизма.
Исходные данные: мощность на приводном валу конвейера Р=5.4 кВт; частота вращения вала конвейера п=20 об/мин; срок службы привода L=6 лет; коэффициент использования передач за сутки Ксут=0,5; коэффициент использования передач в году Кгод=0,5; кинематическая схема рис. 1, циклограмма нагрузки рис. 2.
Кинематическая схема привода состоит из электродвигателя, клиноременной передачи, конического редуктора, компенсирующей муфты и приводного барабана ленточ
111 руб.
Теплотехника ЮУрГАУ 2017 Задача 2 Вариант 27
Z24
: 4 декабря 2025
17.24 Идеальный цикл газотурбинной установки (ГТУ)
Цикл осуществляется одним кг воздуха, как идеальным газом с подводом теплоты при постоянном давлении, где удельная теплоемкость при постоянном давлении, ср = 1008 Дж/(кг•К).
Задание
1. Вычертить принципиальную схему ГТУ, работающей по этому циклу, с указанием позиций всех элементов схемы.
2. Вычертить цикл в координатах рυ и Ts (без масштаба) с указанием процессов, из которых он состоит.
3. Рассчитать:
Удельное количество подведенной тепло
150 руб.