Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon B6C81FF2-D152-4590-A8B1-D51088690002.doc [ 231 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы

Похожие материалы

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Другие работы

Многоканальные телекоммуникационные системы. Экзамен. Билет 05.
1. Почему на основе систем ПЦИ нельзя создать высокоскоростные системы передачи? 2. В кадре STM-N требуется разместить 158 Е1, 4Е3 и 3STM-1. Определите уровень STM-N, который потребуется для размещения данной нагрузки. 3. Рассчитайте скорость передачи TUG-3. 4. Поясните как работает система приоритетов и качества при выборе источника синхронизации на станции. 5. Решите задачу: дл. Приведите значение байтов Н1и Н2 AU-4-PTR до согласования скоростей, сигнализирующее об отрицательном согласов
ДО СИБГУТИ Многоканальные телекоммуникационные системы Работа Экзаменационная
User seka : 30 октября 2019
400 руб.
Социальное исследование особенностей государственной службы
Современное чиновничество в любом обществе представляет собой довольно многочисленную социальную группу. Численность чиновников России неизменно растет. В представленном исследовании автор рассматривает изменение количественного состава и некоторых качественных характеристик государственных служащих федерального и регионального уровней последних лет. В настоящий момент ведется разработка системы стимулирования труда для государственной организации социальной сферы, но несколько другой области. (
Социология Работа
User Elfa254 : 6 февраля 2014
5 руб.
Редуктор циліндричний одноступінчастий приводу ланцюгового транспортера транспортування гарячої скляної тари
Тип зачеплення - внутрішнє Вихідні данні 1. Тягове зусилля ланцюга F=2,9 kH; 2. Швидкість тягового ланцюга V=0,6 м/c; 3. Крок тягового ланцюга р=120 мм 4. Число зубців зірочки z=8 5. Навантаження нереверсивне близьке до постійного; 6 Час дії приводу L=4 років 7. Допустиме відхилення кутової швидкості тягового ланцюга =
Детали машин Работа Курсовая
User mortuarry : 9 декабря 2011
Редуктор циліндричний одноступінчастий приводу ланцюгового транспортера транспортування гарячої скляної тари
ИГ.05.06.03 - Основание. Разрез сложный ступенчатый
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16 Вариант 6 ИГ.05.06.03 - Основание. Разрез сложный ступенчатый 1. Выполнить указанный ступенчатый разрез. 2. Нанести размеры. В состав работы входят 4 файла: - 3D модель данной детали, расширение файла *.m3d; - ассоциативный чертеж формата А3 в двух видах с выполненным указанным ступенчатым разрезом, выполненный по данной 3D модели, расширение файла *.cdw; - аналогичный обычный чертеж, расширение файла *.cdw (чертеж с пометкой "к" для карандашного перече
СибГАУ Чертежи Инженерная графика
User Чертежи СибГАУ им. Решетнева : 27 октября 2021
80 руб.
ИГ.05.06.03 - Основание. Разрез сложный ступенчатый
up Наверх