Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
22.12.2015
-
Размер:
230 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
B6C81FF2-D152-4590-A8B1-D51088690002.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование однополупериодного выпрямителя
5. Выводы
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Другие работы
Тесты по экономике предприятия
sasha92
: 21 мая 2014
ИТОГОВЫЙ ТЕСТ ПО ДИСЦИПЛИНЕ
ЭКОНОМИКА ОРГАНИЗАЦИИ (ПРЕДПРИЯТИЯ)»
1. Результатом взаимодействия компонентов внутренней среды предприятия является:
А) средства производства, персонал;
Б) информация, деньги;
В) готовая продукция, производство;
Г) готовая продукция.
2. На какие группы делятся основные фонды в зависимости от функционального назначения в производственном процессе?
А) активные и пассивные;
Б) производственные и непроизводственные;
В) собственные и арендованные.
3. Остаточная ст
sasha92
: 21 мая 2014
100 руб.
Рабинович Сборник задач по технической термодинамике Задача 10
Z24
: 28 ноября 2025
Какая высота водяного столба соответствует 10 Па?
Ответ: h=1 мм вод. ст.
Z24
: 28 ноября 2025
120 руб.
Конституционная монархия в Англии
Slolka
: 3 сентября 2013
Личная власть представителя индепендентов по своей сути и форме не могла обеспечить долговременные интересы буржуазно-дворянской верхушки, значительно укрепившей свои позиции в ходе революции. Поскольку главным противником буржуазии и джентри стала теперь не королевская власть, а движение низов, смерть Кромвеля ускорила соглашение этих слоев с феодальной аристократией в целях возвращения к "законной власти". Это нашло свое выражение в реставрации в 1660 г. монархии Стюартов. Потеряв надежд
Slolka
: 3 сентября 2013
10 руб.
Русская святость и укрепление Московского княжества
Qiwir
: 8 августа 2013
Впервые Москва стала центром удельного княжества при князе Данииле Александровиче (1261–1303). Он был младшим, четвертым сыном Александра Невского. Москву Даниил получил, видимо, после смерти отца, как свой удел. Но в те годы он был еще мал и городом управляли наместники тогдашнего великого князя Ярослава Ярославича. Впервые Даниил выступил на политической арене в 1282 г., когда принял участие в усобице старших братьев на стороне Андрея. Московский князь старался не проявлять активности в этой в
Qiwir
: 8 августа 2013
10 руб.
