Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1

Цена:
230 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 98E96ABE-87FF-4956-998F-BF10217F8878.doc [ 1 MB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n


Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность
ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W
0 Ge 0,2 0,6

Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.


Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Вариант Тип светодиода Напряжения питания Uпит Номинал ограничительного сопротивления
0 АЛ102В –5 В 510 Ом

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.01.2016
Рецензия:Вы неверно определили силу света в задаче 4

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные (вариант 01): Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Gila : 17 января 2019
200 руб.
Контрольная работа №1 : Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант и тип фотоприемника Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице Вариант Тип ПП ма
СибГУТИ Волоконно-оптические системы связи Работа Зачетная
User bap2 : 8 апреля 2015
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User gerts : 6 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n Задача No2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Дано: Тип ПП материала – Ge Квантовая эффективность, h – 0,2 Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6 Задача
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Andrev111111 : 17 ноября 2013
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990. Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
******* Не известно Электроника физическая Работа Контрольная
User avrmaster : 10 августа 2012
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.

Другие работы

Лабораторная работа №10.1. по ТЭЦ
Исследование биполярного транзистора. Цель работы: экспериментальное и теоретическое исследование статических характеристик биполярного транзистора с проводимостью типа р-n-р.
Теория электрических цепей Работа Лабораторная
User anderwerty : 4 мая 2014
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Физика. Билет: № 5
Билет № 5 1. Превращения энергии при свободных незатухающих механических колебаниях. Функции кинетической и потенциальной энергий от времени. 2. Дифракция волн. Условие наблюдения дифракции. Виды дифракции. Принцип Гюйгенса-Френеля. 3. Колебательный контур состоит из катушки индуктивностью 0,2 мГн и плоского конденсатора с площадью пластин 155 см2 и расстоянием между ними 1,5 мм. Контур резонирует на длину волны 630 м. Вычислите диэлектрическую проницаемость среды между пластинами конденсатора.
СибГУТИ Физика Работа Экзаменационная
User Колька : 28 апреля 2016
70 руб.
Технико-экономическое обоснование разработки и применения очистного комбайна
Введение 1. Состояние вопроса 2. Исходные данные (технологические расчёты) 3. Расчёт численности рабочего обслуживающего персонала 4. Расчет капитальных вложений 5. Расчет эксплуатационных расходов при использовании изделия 6. Калькуляция себестоимости производства продукции 7. Расчет и обоснование цены на производимую продукцию 8. Определение точки «безубыточности» при применении изделия 9. Расчет технико-экономических показателей ТЭПов Выводы Литература Введение В Республике Белар
Работа Экономика
User evelin : 7 ноября 2013
5 руб.
Влияние поперечной компенсации на параметры режима разомкнутой сети
Изучение влияние поперечной компенсации на параметры режима разомкнутой сети. Вариант 1 Лабораторная работа В архиве отчет по работе и калькулятор в excel
НВГУ Современные проблемы производства и передачи электроэнергии» Работа Лабораторная
User Mikoshi : 3 августа 2025
1500 руб.
Влияние поперечной компенсации на параметры режима разомкнутой сети
up Наверх