Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
-
Категории:
******* Не известно, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
02.02.2016
-
Размер:
1024 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
sanmix10077
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
98E96ABE-87FF-4956-998F-BF10217F8878.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность
ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W
0 Ge 0,2 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Вариант Тип светодиода Напряжения питания Uпит Номинал ограничительного сопротивления
0 АЛ102В –5 В 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность
ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W
0 Ge 0,2 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Вариант Тип светодиода Напряжения питания Uпит Номинал ограничительного сопротивления
0 АЛ102В –5 В 510 Ом
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.01.2016
Рецензия:Вы неверно определили силу света в задаче 4
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.01.2016
Рецензия:Вы неверно определили силу света в задаче 4
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные (вариант 01):
Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Gila
: 17 января 2019
200 руб.
Контрольная работа №1 : Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
bap2
: 8 апреля 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант и тип фотоприемника
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице
Вариант
Тип ПП ма
bap2
: 8 апреля 2015
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
gerts
: 6 декабря 2015
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
gerts
: 6 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Andrev111111
: 17 ноября 2013
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Тип ПП материала – Ge
Квантовая эффективность, h – 0,2
Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6
Задача
Andrev111111
: 17 ноября 2013
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
avrmaster
: 10 августа 2012
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990.
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
avrmaster
: 10 августа 2012
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Другие работы
Контрольная работа №1. Электромагнитные поля и волны. Вариант №3
kbcfy
: 14 апреля 2014
Задача No1
Плоская электромагнитная волна с частотой 500 МГц распространяется в безграничной реальной среде с диэлектрической проницаемостью ε=2; магнитной проницаемостью μ=1, с проводимостью σ=0,02 См/м. При z=0, Em=1 В/м.
1. Определить к какому типу относится данная среда на заданной частоте.
2. Рассчитать фазовый набег волны на расстоянии, равном глубине проникновения Δ0.
3. Рассчитать отношение фазовой скорости в реальной среде к фазовой скорости в идеальной среде с теми же значениями диэл
kbcfy
: 14 апреля 2014
100 руб.
ОПЗ - обработка призабойной зоны пласта, ПСКО – поинтервальная солянокислотная обработка, ТГХВ – термогазохимическое воздействие, ИДВ – импульсно-депрессионное воздействие, КПАС - кислотный поверхностно-активный состав, «Дескалер-СК» - композиционный сос
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 1 ноября 2017
ОПЗ - обработка призабойной зоны пласта, ПСКО – поинтервальная солянокислотная обработка, ТГХВ – термогазохимическое воздействие, ИДВ – импульсно-депрессионное воздействие, КПАС - кислотный поверхностно-активный состав, «Дескалер-СК» - композиционный состав. НЕФТЬ, РАЗРАБОТКА, НЕФТЕДОБЫЧА, ПОВЫШЕНИЕ НЕФТЕОТДАЧИ ПЛАСТА, АНАЛИЗ. -Дипломная работа-Специальность-Разработка и эксплуатация нефтяных и газовых месторождений РЭНГМ-Нефтегазовое дело-Эксплуатация и обслуживание объектов нефтегазодобычи
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 1 ноября 2017
1707 руб.
Измерение напряжения электрических сигналов
nat2744
: 12 июня 2010
СибГУТИ. Лабораторная работа 3.4. Вариант 10.
1. Цель работы
1.1. Изучить:
1.1.1 Параметры переменных напряжений и токов;
1.1.2 Методы измерения параметров переменных напряжений и токов;
1.1.3 Принцип действия, устройство и метрологические характеристики электронных вольтметров;
1.1.4 Особенности измерения напряжения электронными вольтметрами пе-ременного тока;
1.1.5 Источники погрешности при измерении электронными вольтметрами.
1.2. Получить навыки работы с измерительными приборами.
1.3.Приобр
nat2744
: 12 июня 2010
100 руб.
Онлайн-тест по дисциплине: Теория связи. Помогу пройти онлайн тест!
IT-STUDHELP
: 10 апреля 2021
Вопрос No1
Частота первой гармоники спектра амплитуд периодической последовательности прямоугольных импульсов с периодом T = 20 мкс равна ___ . кГц.
10 кГц
20 кГц
50 кГц
Вопрос No2
Помехоустойчивое кодирование применяется в системах передачи информации для защиты данных от _____ :
линейных искажений
нелинейных искажений
от ошибок в символах
информационных потерь
Вопрос No3
Максимальное значение глубины модуляции при АМ равно...
0,4
0,8
1,0
Вопрос No4
Сигнал на выходе линейной инерци
IT-STUDHELP
: 10 апреля 2021
480 руб.
