Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1

Цена:
230 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 98E96ABE-87FF-4956-998F-BF10217F8878.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Дано:
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n


Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Дано:
Вариант Тип ПП маnериала Квантовая эффективность
ŋ Ширина запрещенной зоны ∆ W
0 Ge 0,2 0,6

Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры.


Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Дано:
Вариант Тип светодиода Напряжения питания Uпит Номинал ограничительного сопротивления
0 АЛ102В –5 В 510 Ом

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.01.2016
Рецензия:Вы неверно определили силу света в задаче 4

Игнатов Александр Николаевич
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Исходные данные (вариант 01): Вариант 1 Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Gila : 17 января 2019
200 руб.
Контрольная работа №1 : Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант и тип фотоприемника Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице Вариант Тип ПП ма
User bap2 : 8 апреля 2015
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фото-приемника и указать на ней λгр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полу-проводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и со
User gerts : 6 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Дано: Тип фотоприемника (ФП) – Фотодиод со структурой p-i-n Задача No2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Дано: Тип ПП материала – Ge Квантовая эффективность, h – 0,2 Ширина запрещенной зоны D W, эВ – 0,6 Задача
User Andrev111111 : 17 ноября 2013
80 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 1
При написании контрольной использовалась электронная версия пособия «Устройства оптоэлектроники» профессора Игнатова А.Н. и пособие Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат., 1990. Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фото чувствительность приемника. Изобразить вид спек
User avrmaster : 10 августа 2012
100 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
User Богарт : 2 июня 2011
50 руб.
Антенно-фидерные устройства сверхвысоких частот (АФУ СВЧ). Билет 8
1. От чего зависит уровень боковых лепестков ? 2. Какие максимальные фазовые искажения допустимы в Е и Н рупорах и почему ? 3. Коэффициент направленного действия и коэффициент усиления параболической антенны.
User Петр27 : 3 октября 2018
100 руб.
Теплотехника Задача 26.95
Паропровод диаметром dвн=200 мм и dн=216 мм покрыт слоем изоляции толщиной δ=120 мм, коэффициенты теплопроводности стенки и изоляции λст=40 Вт/(м·град) и λиз=0,1 Вт/(м·град). Температура пара и окружающего воздуха tж1=300ºС и tж2=25ºС, коэффициенты теплоотдачи α1=100 Вт/(м²·град) и α2= 8,5 Вт/(м²·град). Определить поверхностную плотность теплового потока и температуры на наружных поверхностях паропровода и изоляции, а также критический диаметр изоляции. Изобразить схему теплопередачи графи
User Z24 : 11 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника Задача 26.95
Теории общественного договора Т. Гоббса и Ж.-Ж. Руссо
Введение 1. Теория общественного договора Т. Гобсса 2. Теория общественного договора Ж. Ж. Руссо 3. Сходство теорий общественного договора 4. Различия теорий общественного договора Заключение Список литературы Введение Актуальность темы реферата: теории общественного договора Гоббса Ж.-Ж.Руссо состоит в том, что эти мыслители в своих теориях пытаются объяснить все проблемы общества, а также дают советы о том, как надо управлять государством, чтобы люди жившие в нем были счастливы. Также они пок
User Elfa254 : 3 февраля 2014
15 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод Ч.2 ПГУПС 2025 Задача 2 Вариант 4
ТИПОВАЯ ЗАДАЧА №2 «Определение диаметра ведущего поршня» На рис.1.2 представлено начальное положение гидравлической системы дистанционного управления (рабочая жидкость между поршнями не сжата). При перемещении ведущего поршня диаметром вправо жидкость постепенно сжимается и давлений в ней повышается. Когда манометрическое давление р достигает определенной величины, сила давления на ведомый поршень диаметром становится больше силы сопротивления , приложенной к штоку ведомого поршня. С это
User Z24 : 9 января 2026
200 руб.
Гидравлика и гидропневмопривод Ч.2 ПГУПС 2025 Задача 2 Вариант 4
up Наверх