Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №22

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Контрольная работа физические основы электроники.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле-ния по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.10.2015
Ваша работа зачтена.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №22
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
User Учеба "Под ключ" : 6 ноября 2016
600 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
User Seregos : 4 января 2010
Физические основы электроники. Контрольная работа
Контрольная работа: Физические основы электроники
Биполярный транзистор. Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
User Лесник : 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант No2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
User madamm : 17 декабря 2008
220 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Лаборатрные работы №1 №2 №3 №4 №5. Информатика. ДО СибГУТИ. 2 семестр
Лабораторная работа No1 «Программирование разветвляющихся процессов» Задание к лабораторной работе Даны x, y, z. Найти min(x2+y2, y2+z2) –4 Лабораторная работа No2 «Программирование простых циклических процессов» Задание к лабораторной работе Напечатать таблицу изменения пути, вычисляемого по формуле S = V0t + at2/2 в зависимости от времени, если время изменяется от 0 до 20 сек с шагом 2 сек. V0 = 10 м/с; A = 15 м/с2 Лабораторная работа No3 «Программирование типовых алгоритмов» Задание к
User denis74 : 9 ноября 2019
150 руб.
Особенности стратегического менеджмента в области образования
Введение……………………………………………………………………… 3 Глава 1. Теоретические аспекты стратегического менеджмента………….8 1.1. Управление в системе образования………………………………. 7 1.2. Нормативно-правовое регулирование платного образования ….7 Глава 2. Анализ системы управления НОУ «СОШ» «АТОН»…………90 2.1. Структура НОУ «СОШ» «АТОН» и основы подсистемы управления ………………………………………………………... 19 2.2. Матрица STEP-анализа НОУ «СОШ» «АТОН»…………………..56 2.3. Матрица SWOT-анализа НОУ «СОШ» «АТОН»…………………78 2.4 Ранжирование глобаль
User Lokard : 22 марта 2014
19 руб.
Проект малоэтажного жилого здания
Задание Содержание Введение 1. Общая характеристика здания 2. Объемно-планировочное решение 3. Теплотехнический расчет наружной стены 4. Конструктивное решение 5. Расчет глубины сезонного промерзания грунта 6. План застройки участка Список литературы СОДЕРЖАНИЕ графической части: Фасад здания в осях 1-5 План первого этажа
User Ak-47s : 8 июня 2010
150 руб.
Проект малоэтажного жилого здания
Программа по армейскому рукопашному бою для допризывной молодежи
Цель: Воспитание патриотизма и подготовка допризывной молодежи к службе ВС РФ. Задачи: 1) 2) Формирование психологической устойчивости на основе рукопашного боя. 3) Обучение технике рукопашного боя: а) техника падений и самостраховки б) техника ударов руками в) техника ударов ногами г) техника защиты д) техника борьбы 4) Формирование у обучающихся представления о военной службе. 5) Воспитание морально волевых качеств. План теоретической части на начальном этапе подготовки: 1) Обеспечение безопас
User Lokard : 9 марта 2014
5 руб.
up Наверх