Зачетная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Билет №10.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Зачетная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
05.02.2016
-
Размер:
204 KB
-
Покупок:
12
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
zchet_v1.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Дополнительная информация
Оценка: "зачет"
Год сдачи: 2015.
Год сдачи: 2015.
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
te86
: 9 сентября 2012
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элем
te86
: 9 сентября 2012
80 руб.
Экзамен билет№ 10. Физические основы электроники
DEKABR1973
: 16 января 2018
билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
DEKABR1973
: 16 января 2018
50 руб.
Зачет. Физические основы электроники. Билет №10
donkirik
: 30 января 2015
1.Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
в конце работа над ошибками в соответствии с рецензией преподавателя.необходимо отредактировать.
donkirik
: 30 января 2015
150 руб.
Зачет. Билет №10. Физические основы электроники
pepol
: 6 декабря 2013
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
pepol
: 6 декабря 2013
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
SibGOODy
: 23 августа 2024
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет 14
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.
2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
SibGOODy
: 23 августа 2024
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
djo
: 8 сентября 2020
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17.
freelancer
: 23 апреля 2016
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
freelancer
: 23 апреля 2016
100 руб.
Другие работы
Буровые насосы: Рис. 5-Плунжерный трехцилиндровый бескрейцкопфный насос, Рис. 6 - Плунжерный четырехцилиндровый насос, Рис. 7 - Осевой буровой насос, Рис. 8 - Шестицилиндровый насос GEC-1000-Чертеж-Патент-Патентно-информационный обзор-Курсовая работа-Дипл
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 29 мая 2016
Буровые насосы: Рис. 5-Плунжерный трехцилиндровый бескрейцкопфный насос, Рис. 6 - Плунжерный четырехцилиндровый насос, Рис. 7 - Осевой буровой насос, Рис. 8 - Шестицилиндровый насос GEC-1000-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Нефтегазопромысловое оборудование-Патент-Патентно-информационный обзор-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 29 мая 2016
596 руб.
Склонность к употреблению психически активных веществ как проблема личностного развития современного подростка
Qiwir
: 13 октября 2013
Введение
Глава I. Особенности личностного развития подростка и характеристика основных проблем.
I.1. Общая характеристика подросткового возраста.
I.2. Нарушения в развитии личности и поведении подростка.
I.3. Коррекция нарушений в развитии подростка.
Глава II. Исследование склонности к употреблению психически активных веществ.
II.1. Описание методик и процедуры проведения исследования.
II.2. Анализ результатов исследования.
Заключение
Литература
Приложение
ВВЕДЕНИЕ
В рамках темы
Qiwir
: 13 октября 2013
Профессиональные экспектации современной российской молодежи
ostah
: 9 сентября 2013
Введение
Актуальность темы исследования обусловлена осознанием кризисных явлений в российском обществе, которые обострили социальную проблематику, в частности, создание равных стартовых возможностей получения молодежью профессионального образования, актуализация ее готовности к преобразованию общественных процессов, адаптации ее во всех сферах жизни. Все это требует новых подходов к решению проблем социализации подрастающего поколения.
Профессиональное самоопределение столкнулось с рядом пробл
ostah
: 9 сентября 2013
80 руб.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1 по дисциплине : «Направляющие системы электросвязи»
MK
: 15 мая 2017
1.Расчет и построение таблицы зависимости затухания из-за поглощения энергии в материале от длины волны.
2.моделирование и построение графика зависимости затухания из-за Рэлеевского рассеяния от длины волны.
3.компьютерное моделирование и построение графика зависимости затухания от длины волны в инфракрасной области.
4.моделирование и построение графика зависимостей затуханий из-за различия числовых апертур.
5.Расчет затухания из-за различия диаметров сердцевины оптического волокна.
6.компьютерн
MK
: 15 мая 2017
170 руб.
