Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 84375 (ФОЭ-15).doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению KU и мощности КР и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р-, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.

Дано (вариант 15): Тип БТ – КТ603А; ЕК = 60 В; RH = 1200 Ом; IБО=200 мкА; IБМ=150 мкА; f=100 МГц; τК=80 пс.

Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.

Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано (вариант 15): Тип ПТ – КП 903А; UCИ0 = 14 В; UЗИО = 8 В.

Дополнительная информация

Сдана в 2014г. Замечаний преподавателя нет.
Заочный факультет.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант № 15
Вариант 15 Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, ток
User kisa7 : 20 июля 2012
100 руб.
Зачет по дисциплине "Физические основы электроники". Вариант № 15
Вариант 15 1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область. 2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
User kisa7 : 20 июля 2012
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений. ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
User bioclown : 5 октября 2011
70 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
User djo : 8 сентября 2020
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
User SibGOODy : 26 августа 2018
650 руб.
promo
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Лекции. Строительные машины и машины для земляных работ
Лекция №1. Машины для земляных работ. Экскаваторы одноковшовые. Лекция №2. Многоковшовые (траншейные) экскаваторы. Бульдозеры. Лекция №3. Бульдозеры. Лекция №4. Скреперы. Автогрейдеры. Лекция №5. Машины для производства бетонных работ. Лекция №6. Бурильно-крановые машины и машины для бурения скважин под буронабивные сваи. Лекция №7 Башенные краны. Самоходные стреловые краны.
User elementpio : 18 октября 2011
2 руб.
Лекции. Строительные машины и машины для земляных работ
Курсовая работа Технология производства валика фрикционной муфты
Курсовой проект по технологии производства на тему: технология производства валика фрикционной муфты станка 1К62. Оценка на 3. Много полезной информации В курсовом проекте разрабатывается технология обработки резанием валика фрикционной муфты. Дано общее назначение детали, приведён анализ технологичности детали. В проекте рассчитывается оптимальная заготовка детали. Определяется приблизительная стоимость дета-ли. Выбираются необходимые оборудование и режущие инструменты. Даются рекомендации по
User Med : 25 июня 2008
Курсовая работа Технология производства валика фрикционной муфты
Физика (спецглавы). Лабораторная работа № 6.8. Вариант: 5
Лабораторная работа Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы. Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Основные теоретические сведения. Электропроводность материалов определяется выражением: 1. где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
User ankomi : 11 сентября 2013
90 руб.
Сепаратор центробежный вертикальный СЦВ 500-2-2 Общий вид-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Сепаратор центробежный вертикальный СЦВ 500-2-2 Общий вид-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.
Сепаратор центробежный вертикальный СЦВ 500-2-2 Общий вид-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх