Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению KU и мощности КР и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р-, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано (вариант 15): Тип БТ – КТ603А; ЕК = 60 В; RH = 1200 Ом; IБО=200 мкА; IБМ=150 мкА; f=100 МГц; τК=80 пс.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано (вариант 15): Тип ПТ – КП 903А; UCИ0 = 14 В; UЗИО = 8 В.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению KU и мощности КР и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р-, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано (вариант 15): Тип БТ – КТ603А; ЕК = 60 В; RH = 1200 Ом; IБО=200 мкА; IБМ=150 мкА; f=100 МГц; τК=80 пс.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано (вариант 15): Тип ПТ – КП 903А; UCИ0 = 14 В; UЗИО = 8 В.
Дополнительная информация
Сдана в 2014г. Замечаний преподавателя нет.
Заочный факультет.
Заочный факультет.
Похожие материалы
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
500 руб.
Зачет по дисциплине "Физические основы электроники". Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, ток
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
70 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
djo
: 8 сентября 2020
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
SibGOODy
: 26 августа 2018
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
650 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Другие работы
Строительство солнечной электростанции взамен аварийной ТЭЦ-2 г.Павлодар
elementpio
: 13 января 2013
Причины создания проекта
Цели проекта
Финансирование
Факторы макросреды
Экспертная оценка выбора поставщиков
SWOT-анализ
Декомпозиция проекта
Сетевой график
Сметная стоимость
Экономическая эффективность
10 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.1 Вариант 37
Z24
: 7 января 2026
Во сколько раз уменьшатся потери теплоты излучением в окружающую среду от изолированного паропровода длиной 1 м по сравнению с неизолированным (рис. 2), если:
внутренний диаметр трубопровода d1;
наружный диаметр трубопровода d2;
диаметр изолированного трубопровода d3;
степень черноты трубопровода εт;
степень черноты поверхности теплоизоляционного слоя εти;
температура поверхности теплоизоляционного слоя tти;
температура поверхности трубопровода tт.
150 руб.
Повышение инвестиционной привлекательности России в поскризисный период
Lokard
: 24 ноября 2013
Инвестиционная деятельность - это вложение инвестиций, или инвестирование, и совокупность практических действий по реализации инвестиций. Инвестирование в создание и воспроизводство основных фондов осуществляется в форме капитальных вложений.
Исходя из этого определения, можно предположить, что инвестиционная привлекательность предприятия – это, прежде всего, его возможность вызвать коммерческий или иной интерес у реального инвестора, включая способность самого предприятия “принять инвестиции” и
10 руб.
Контрольная работа №1. Теория отраслевых рынков.
studypro2
: 14 октября 2017
Теоретическая часть: Современные типы отраслевых рынков
Критерии выделения границ рынка: продуктовые, географические, временные. Комбинирование классификационных признаков и многообразие отраслевых рынков.
Практическое задание:
В настоящее время большую часть рынка телерекламы в России контролируют два игрока. «Видеоинтернешнл» занимается производством телевизионных программ, изготовлением рекламных роликов, размещением рекламы и т.д. Основу бизнеса составляет продажа рекламного времени центр
120 руб.