Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению KU и мощности КР и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р-, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано (вариант 15): Тип БТ – КТ603А; ЕК = 60 В; RH = 1200 Ом; IБО=200 мкА; IБМ=150 мкА; f=100 МГц; τК=80 пс.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано (вариант 15): Тип ПТ – КП 903А; UCИ0 = 14 В; UЗИО = 8 В.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению KU и мощности КР и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р-, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано (вариант 15): Тип БТ – КТ603А; ЕК = 60 В; RH = 1200 Ом; IБО=200 мкА; IБМ=150 мкА; f=100 МГц; τК=80 пс.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано (вариант 15): Тип ПТ – КП 903А; UCИ0 = 14 В; UЗИО = 8 В.
Дополнительная информация
Сдана в 2014г. Замечаний преподавателя нет.
Заочный факультет.
Заочный факультет.
Похожие материалы
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
500 руб.
Зачет по дисциплине "Физические основы электроники". Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, ток
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
70 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
djo
: 8 сентября 2020
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
SibGOODy
: 26 августа 2018
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
650 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Другие работы
Оценка функционирования системы менеджмента качества (на примере ООО Центр услуг)
Aronitue9
: 2 января 2012
Содержание
Введение……………………………………………………………………………...6
Глава 1 Теоретические аспекты развития системы менеджмента качества……. 9
1.1 Понятие качества продукции. Опыт применения и оценки эффективности системы менеджмента качества………………………………………………….…9
1.2 Принципы и требования к системе менеджмента качества стандартов ISO серии 9000…………………………………………………………………………..17
1.3 Развитие концепции всеобщего менеджмента качества (TQM)……………24
Глава 2 Современное состояние системы менеджмента качества в ООО «Цен
350 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 1.24
Z24
: 14 ноября 2025
Определить плотность жидкости, если пикнометр (прибор для определения плотности) обладает массой Мп=100 г, а с налитой в него жидкостью М=1100 г. Объем налитой жидкости V=1000 см³.
120 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Обработка экспериментальных данных. Вариант №04
Roma967
: 21 февраля 2021
Часть № 1.
Построение вариационных рядов. Расчет числовых характеристик.
Задание: на основе совокупности данных опыта выполнить следующее:
1. Построить ряды распределения (интервальный и дискретный вариационные ряды). Изобразить их графики.
2. Построить график накопительных частот — кумуляту.
3. Составить эмпирическую функцию распределения и изобразить ее графически.
4. Вычислить моду, медиану, выборочную среднюю, выборочную дисперсию, выборочное среднее квадратическое отклонение, коэффициент ва
1500 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: «Современные технологии программирования». Редактор р-ичных чисел. Вариант №1
xtrail
: 17 апреля 2013
1. Задание.
Тема: Классы Object Pascal, С++
Цель: Сформировать практические навыки реализации классов средствами объектно-ориентированного программирования Object Pascal, С++.
Задание
1. Разработать и реализовать класс TEditor «Редактор р-ичных чисел», используя класс
• Object Pascal,
• С++.
Содержание отчета
1. Задание.
2. Текст программы.
3. Тестовые наборы данных для тестирования класса.
Контрольные вопросы
1. Что такое инкапсуляция?
2. Как синтаксически представлено поле в описании класса?
200 руб.