Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению KU и мощности КР и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р-, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано (вариант 15): Тип БТ – КТ603А; ЕК = 60 В; RH = 1200 Ом; IБО=200 мкА; IБМ=150 мкА; f=100 МГц; τК=80 пс.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано (вариант 15): Тип ПТ – КП 903А; UCИ0 = 14 В; UЗИО = 8 В.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению KU и мощности КР и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р-, мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано (вариант 15): Тип БТ – КТ603А; ЕК = 60 В; RH = 1200 Ом; IБО=200 мкА; IБМ=150 мкА; f=100 МГц; τК=80 пс.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано (вариант 15): Тип ПТ – КП 903А; UCИ0 = 14 В; UЗИО = 8 В.
Дополнительная информация
Сдана в 2014г. Замечаний преподавателя нет.
Заочный факультет.
Заочный факультет.
Похожие материалы
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
pccat
: 13 апреля 2016
Задания из контрольной (вариант 29):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
pccat
: 13 апреля 2016
Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei
Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
500 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, ток
100 руб.
Зачет по дисциплине "Физические основы электроники". Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
70 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
djo
: 8 сентября 2020
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
SibGOODy
: 26 августа 2018
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
650 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Другие работы
Глобальное потепление: миф или реальность?
evelin
: 19 марта 2013
Глобальное потепление, мы постоянно слышим это выражение... Впервые о глобальном потеплении заговорили еще в 60-х годах прошлого столетия. На основе многолетних наблюдений ученые пришли к выводу о повышении средней глобальной приземной температуры воздуха на несколько десятых градуса.
Проблема изменения климата сегодня чрезвычайно актуальна. Климат на нашей планете меняется и меняется достаточно быстро, что не отрицает уже ни один ученый. Однако на повестке дня стоят опасения, что к естественном
15 руб.
Операционные системы. Экзаменационная работа. Вариант №10.
Bodibilder
: 4 апреля 2019
Билет №10
Вопрос №1
Обмен сообщениями. Почтовые ящики, конвейеры и очереди сообщений. Основные принципы организации, различия; достоинства и недостатки.
Вопрос №2
Принципы построения ядра. Монолитное ядро. Привилегии режима ядра. Достоинства и недостатки классического подхода
Вопрос №3
Запрограммировать схему "читатели – писатели", используя семафорные переменные. В этой схеме с некоторой областью данных может работать только один "писатель" или любое количество "читателей". Рассмотреть вариан
130 руб.
Статистический анализ влияния рекламной деятельности организации на уровень ее продаж
GnobYTEL
: 13 сентября 2013
Содержание
Введение
Глава 1. Теория статистического изучения рекламного дела
1. Реклама: понятие, цели, виды и функции, взаимосвязь с маркетингом
2. Виды и классификация рекламы
3.Классификация рекламы
Глава 2. Регрессионный анализ деятельности рекламной компании (на примере ОАО "Красцветмет")
История предприятия
1. Визуализация данных
2. Построение трендовых моделей и прогнозирование результатов будущих периодов
3. Построение и анализ графиков корреляции. Анализ перекрестной корреляци
15 руб.
Иностранный язык (английский) (часть 2)
Максим112
: 17 июля 2019
I. Переведите следующие предложения на русский язык, обращая внимание на инфинитив.
1. He’d like to stay in Novosibirsk for a month.
2. To understand the difference between these interesting phenomena means to solve this actual problem.
3. It takes the rays of the sun eight minutes to get to the Earth.
4. To appreciate the advantage of this device you should use it in practice.
5. Not to be damaged the device should be carefully operated.
6. This substance can be made by methods to be described
100 руб.