Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 05
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
06.03.2016
-
Размер:
588 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
ElenaA
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР 1.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Исходные данные
Тип транзистора – КТ603А;
Ек = 60 В;
Rн = 1200 Ом;
Iб0 = 200 мкА.
Iбм = 150 мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты 1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Исходные данные:
f = 100 МГц;
|H21Э| = 2,5
tк = 80 пс
Задача 4:По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Тип транзистора – КП903А;
Uси0 = 18 В;
Uзи0 = 8 В.
Исходные данные
Тип транзистора – КТ603А;
Ек = 60 В;
Rн = 1200 Ом;
Iб0 = 200 мкА.
Iбм = 150 мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты 1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Исходные данные:
f = 100 МГц;
|H21Э| = 2,5
tк = 80 пс
Задача 4:По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Тип транзистора – КП903А;
Uси0 = 18 В;
Uзи0 = 8 В.
Дополнительная информация
Преподаватель: Савиных В.Л. Зачтена. 2016 год
Похожие материалы
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 05.
student90s
: 24 июля 2015
Задача No 1:
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты
student90s
: 24 июля 2015
70 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 05
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
600 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
Seregos
: 4 января 2010
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Seregos
: 4 января 2010
Контрольная работа: Физические основы электроники
Лесник
: 17 ноября 2009
Биполярный транзистор.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
Лесник
: 17 ноября 2009
70 руб.
Другие работы
Лабораторая работа №1. Программирование графических процессоров
Александр404
: 27 января 2021
Задание
1. Прочитайте главы теоретического материала под названиями "Отличия GPU от CPU", "Первая программа на CUDA C", "Алгоритм сложения двух векторов на GPU", "События, обработка ошибок и получение информации об устройстве", "Глобальная, локальная и константная память". Ответьте на контрольные вопросы и выполните контрольные задания, предложенные в конце этих глав (ответы на контрольные вопросы не нужно включать в отчёт по лабораторной работе).
2. Реализуйте параллельный алгоритм умножения Ax
Александр404
: 27 января 2021
600 руб.
Трудовое право (вар. 1)
Alekx900
: 21 марта 2020
Задание 1. Цели и задачи трудового законодательства. Запрещение принудительного труда.
Задача 1. Государственная правовая инспекция труда в ходе очередной проверки в ряде организаций обнаружила такие факты:
а) на заводе «Теплоприбор» работают муж и жена Николаевы: он начальник цеха, она – заведующая медпунктом;
б) в администрации района работают супруги Смирновы: он – глава администрации, она управляющая делами;
в) в аптеке работают супруги Авдеевы: он – управляющий, она – заведующая отделом г
Alekx900
: 21 марта 2020
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: " Волоконно-оптические системы передачи". Вариант №9
loly1414
: 5 марта 2014
Вариант 09
1. Что принято понимать под волоконно-оптической системой передачи?
2. Какой диапазон электромагнитных волн (частот) получил наибольшее применение в оптических системах передачи?
Какой физический смысл у показателя преломления?
3. Какие характеристики имеют стекловолокна?
4. Чем принципиально отличаются волокна SMF и NZDSF?
5. В чем физический смысл “запрещённой зоны” полупроводниковых материалов?
6. Почему соединение GaAs может использоваться для изготовления источников и приём
loly1414
: 5 марта 2014
150 руб.
Статистика Контрольная работа вариант №7
татьяна89
: 13 сентября 2011
Задача 1.
Методами экстрополяции сделать прогноз денежного потока предприятия на пятый год, использовав все существующие способы:
• по среднему абсолютному приросту;
• по среднегодовому темпу роста;
• с использованием аналитического выравнивание.
Задача 2.
Имеются данные о затратах на производство в отчетном периоде и о снижении себестоимости по каждому цеху.
Определить:
1. Общий индекс себестоимости.
2. Экономию затрат за счет снижения себестоимости.
Задача 3.
Рассчитать и оценить динамик
татьяна89
: 13 сентября 2011
50 руб.
