Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа 1.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Схема прямого включения
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.

Дополнительная информация

2015г
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Контрольная работа по средствам связи с подвижными объектами (6 семестр)
Исходные данные: Таблица 1. Параметры BS, среды Вариант (Первая из двух последних цифр зачетки) Тип застройки F, Мгц Тип местности HBS, м GBS, дБ ф, дБ Рпд, Вт Число Ct временных каналов на одну несущую 0 пригород 1800 холмистая 40 18 5 50 8 Таблица 1.1. Параметры МS, качество обслуживания Вариант (Вторая из двух последних цифр зачетки) Рмин, дБВт HMS, м Защитное отношение Аз, дБ Трафик одного абонента А, эрл Вероятность блокировки β Число абонентов на одну BS 5 -125 1 9 0,01 0,05 1
User Богарт : 10 сентября 2011
199 руб.
Конструктивное исполнение электродов в первичных химических источниках тока
ОГЛАВЛЕНИЕ 1. Конструктивное исполнение электродов в первичных химических источниках тока. 3 1.1. Марганцево-цинковые элементы с солевым электролитом. 3 1.2. Марганцево-цинковой системы со щелочным электролитом. 5 1.3. Ртутно-цинковые элементы и батареи. 7 1.4. Серебряно-цинковые первичные источники тока. 8 1.5. Литиевые источники тока. 9 1.6. Воздушно-цинковые первичные источники тока. 11 1.7. Химические источники тока с алюминиевыми и магниевыми анодами. 14 2. Конструктивное исполнение электро
User Elfa254 : 12 сентября 2013
Гидравлика Задача 15.19 Вариант 69
Насос работает на гидравлическую сеть. Напорная характеристика насоса задана в безмерных параметрах в таблице 1. Параметры насоса (Q0 и H0) и гидравлической сети (Нг, d, l, λ, Σξ) заданы в таблице 2. По заданным параметрам Q0 и H0 рассчитать и построить напорную характеристику насоса H=f(Q). Рассчитать и построить характеристику потребного напора гидравлической сети Нпотр=f(Q). Определить параметры рабочего режима насоса и гидравлической сети (рабочую точку A). (Определить напор, подачу и
User Z24 : 24 декабря 2025
200 руб.
Гидравлика Задача 15.19 Вариант 69
Созвездие Скорпион
Вероятно, не все читатели знают, что у планеты Марс на небе есть "соперник". Во всяком случае, так думали те, кто назвал Антаресом главную звезду созвездия Скорпиона. Эта яркая звезда (1,2m) по своей окраске действительно может соперничать с Марсом. Но Марс, как и все планеты, светит спокойно и ровно. Что же касается Антареса, то близость этой звезды к горизонту заставляет ее сильно мерцать, что, впрочем, только подчеркивает красную окраску Антареса. Антарес - красный гигант, несколько более гор
User Lokard : 12 августа 2013
5 руб.
up Наверх