Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
03.04.2016
-
Размер:
590 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Антон133
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Схема прямого включения
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
Дополнительная информация
2015г
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Другие работы
Теория электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств и систем. Определение параметров сети наземного телевизионного вещания. Вариант 2
aleshin
: 5 октября 2022
По методике МСЭ-Р определить для цифровой наземной телевизионной сети:
1. Требуемое значение минимальной напряженности поля в точке приёма Е, дБмкВ/м.
2. радиус зоны обслуживания Rз, км, цифрового телевизионного вещательного передатчика;
3. координационное расстояние Rк, км, между двумя одинаковыми телевизионными передатчиками, работающими в совмещённом канале;
4. координационное расстояние между передатчиками при учёте множественности помех (шести ближайших мешающих передатчиков, работающих
aleshin
: 5 октября 2022
182 руб.
Контрольная работа по предмету "Русский язык и культура речи (Риторика)"
alexkrt
: 3 августа 2011
Тест 1 к лекции: Логика, риторика, этика в системе культуры речи.
1. какой элемент системы: логика, риторика, этика является системообразующим?
• Логика,
• Риторика,
• Этика
Системообразующее начало отводится Риторике.
2. какие определения риторики являются полярными?
• Элоквенция,
• Агональная коммуникация,
• Красноречие
Элоквенция - Агональная коммуникация,
Красноречие - Агональная коммуникация
3. выберите из предложенных ниже специфические черты агональной коммуникации:
• состязательность
• с
alexkrt
: 3 августа 2011
150 руб.
Пенитенциарная система РФ
Qiwir
: 29 августа 2013
В современном Российском обществе находящемся в кризисной ситуации происходят значительные изменения системы ценностей, норм, установок людей. Старая система ценностей разрушена, а новая еще не создана, налицо явный кризис системы ценностей. Резко увеличилось количество уголовно-наказуемых преступлений совершаемых в обществе.
На фоне пьянства и алкоголизации населения, официальной статистикой зафиксировано увеличение насильственных преступлений против личности.
На данный момент ежегодно совер
Qiwir
: 29 августа 2013
5 руб.
Диплом бюджетирование как инструмент управления предприятием
Prapor
: 1 ноября 2008
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ БЮДЖЕТИРОВАНИЯ
1.1.Сущность и основные принципы бюджетирования
1.2. Организация бюджетирования
1.3. Технология формирования бюджета
1.4. Российская и зарубежная специфика бюджетирования
2. ДИАГНОСТИКА СОСТОЯНИЯ ПРЕДПРИЯТИЯ
2.1.Оценка бюджетирования на предприятии
2.2. Анализ сбытовой деятельности ООО «Стар»
3. СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ БЮДЖЕТИРОВАНИЯ НА ООО «СТАР»
3.1. Приоритеты бюджетного периода
3.2. Сводный бюджет
3.3. Анализ сводного бюджета
ЗАКЛЮЧЕ
Prapor
: 1 ноября 2008
