Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
03.04.2016
-
Размер:
590 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Антон133
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 1.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Схема прямого включения
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
Дополнительная информация
2015г
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Другие работы
:Методы оптимизации. Билет №1
IT-STUDHELP
: 12 февраля 2022
1. Решив графически двойственную задачу, найти решение исходной задачи
F=6x_2-10x_3+4x_4→max
{█(&2x_1-x_3+x_4≤-4@&-2x_1+2x_2-2x_3+2x_4≤2)
x_1≥0,x_2≥0,x_3≥0,x_4≥0
Решение: Составим модель двойственной задачи по следующим правилам:
2. Дана очередность выполнения работ некоторого проекта, их нор-мальная и ускоренная продолжительность выполнения, а также стоимость работ при нормальном и ускоренном режиме их выполнения. Найти крити-ческое время выполнения проекта, критические пути. Определить страте
IT-STUDHELP
: 12 февраля 2022
440 руб.
Стратегическое планирование в банке
OstVER
: 3 ноября 2012
План:
Введение _________________________________________3
Сущность стратегического планирования ___________4-7
2. Система стратегического планирования в банке _____8-22
3.Содержание стратегического плана _________________23-27
4.Стратегическое планирование в России _____________28-29
Заключение ________________________________________30
Список литературы _________________________________31
OstVER
: 3 ноября 2012
5 руб.
Управление энергетическими ресурсами. Синергия. Тест. 2024 год.
ProF3206
: 20 марта 2024
1. Для целей управленческого учета в качестве «объёма капиталовложений» следует принимать …
2. Доля стоимости предпроектных исследований для проектов с небольшими объёмами инвестиций максимально может достигать …
3. На стадии проектирования инвестиционной фазы объект проектируется на основе … …, разрабатываемого организацией-заказчиком совместно с проектной организацией на основе утвержденного бизнес - плана проекта
4. Невозможность использования для сравнения проектов, существенно различающихся
ProF3206
: 20 марта 2024
250 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине: Приборы СВЧ и оптического диапазона. Вариант № 3
shpion1987
: 7 июня 2012
Задача No1
В двухрезонаторном клистроном усилителе, работавшем в оптимальном режиме, изменили один из параметров. Требуется определить, как надо изменить другой параметр, чтобы получить ту же выходную мощность или как при этом изменится режим усилителя.
Изменили расстояние между резонаторами от S до Sx х(1+0,1•2). Во сколько раз надо изменить мощность возбуждения, чтобы выходная мощность осталась неизменной?
Задача No2
Электроны, влетающие в замедляющую систему ЛБВ, имеют скорость Vф(1+0,03∙2),
shpion1987
: 7 июня 2012
30 руб.
