Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
03.04.2016
-
Размер:
590 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Антон133
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 1.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Схема прямого включения
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
Дополнительная информация
2015г
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Другие работы
Расчет и конструирование монолитного ребристого перекрытия с балочными плитами
Aronitue9
: 24 декабря 2011
Требуется рассчитать и сконструировать монолитное ребристое перекрытие с балочными плитами для трехэтажного производственного здания с неполным железобетонным каркасом. Размеры здания в плане 17,1Х24,0 вы-сота этажа 4,2 м.
Нормативная временная нагрузка перекрытие – 13,0 кН/м2, в том числе кратковременно действующая – 2,5 кН/м2.
Для всех элементов перекрытия принят тяжелый бетон класса В12,5. Класс рабочей продольной арматуры главной балки и колонн принят А-II.
Aronitue9
: 24 декабря 2011
Иностранный язык (английский) (часть 2). Зачетная работа
zzzzzzz
: 19 марта 2020
В рамках зачетной работы необходимо перевести следующий текст с английского на русский язык.
COPING WITH PROMOTION ENGINEERS FACE SPECIAL CHALLENGES IN ADAPTING TO A MANAGEMENT ROLE
Being offered a promotion is typically cause for celebration. Apart from higher pay and maybe a better parking spot, it is a recognition of one’s skill and dedication. But a promotion can bring its own headaches—especially for engineers. In addition to universal challenges, such as when you become the boss of friend
zzzzzzz
: 19 марта 2020
50 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.4 Вариант 47
Z24
: 8 января 2026
Определить часовой расход натурального и условного топлива на выработку в котлоагрегате типа ДЕ-10-14-ГМ влажного насыщенного пара с избыточным давлением ризб и степенью сухости х, если:
паропроизводительность котла D;
процент продувки Пр;
температура питательной воды tпв;
низшая теплота сгорания топлива Qрн;
коэффициент полезного действия (брутто) при номинальной производительности ηбрном.
Исходные данные приведены в таблицах 15 и 16.
Примечания:
Располагаемую теплоту принять равн
Z24
: 8 января 2026
250 руб.
Экзамен. Билет №2. Основы передачи дискретных сигналов
SibGUTI2
: 10 апреля 2018
1. Виды сигналов. Основные определения, относящиеся к цифровым сигналам данных. (Информационный параметр, элемент ЦСД, значащие позиция, момент, интервал, единичный элемент и интервал.)
2. Определить среднее количество информации, приходящейся на один единичный элемент, если передача ведется кодом (15,11) , а каждый единичный элемент имеет 8 значащих позиций.
3. Определить нестабильность генераторов, если через 1 секунду после момента синфазности относительный уход фазы составил 0.1. Длитель
SibGUTI2
: 10 апреля 2018
40 руб.
