Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
03.04.2016
-
Размер:
590 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Антон133
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 1.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Схема прямого включения
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 для прямого включения по данным из таблиц 1.1а и 1.1б
7. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов.
8. Построим график вольт-амперной характеристики стабилитрона по данным, полученным в таблице 1.2в.
Дополнительная информация
2015г
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Другие работы
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
mosintacd
: 28 июня 2024
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
Московская международная академия Институт дистанционного образования Тест оценка ОТЛИЧНО
2024 год
Ответы на 20 вопросов
Результат – 100 баллов
С вопросами вы можете ознакомиться до покупки
ВОПРОСЫ:
1. We have … to an agreement
2. Our senses are … a great role in non-verbal communication
3. Saving time at business communication leads to … results in work
4. Conducting negotiations with foreigners we shoul
mosintacd
: 28 июня 2024
150 руб.
Задание №2. Методы управления образовательными учреждениями
studypro
: 13 октября 2016
Практическое задание 2
Задание 1. Опишите по одному примеру использования каждого из методов управления в Вашей профессиональной деятельности.
Задание 2. Приняв на работу нового сотрудника, Вы надеялись на более эффективную работу, но в результате разочарованы, так как он не соответствует одному из важнейших качеств менеджера - самодисциплине. Он не обязателен, не собран, не умеет отказывать и т.д.. Но, тем не менее, он отличный профессионал в своей деятельности. Какими методами управления Вы во
studypro
: 13 октября 2016
200 руб.
Особенности бюджетного финансирования
Aronitue9
: 24 августа 2012
Содержание:
Введение
Теоретические основы бюджетного финансирования
Понятие и сущность бюджетного финансирования
Характеристика основных форм бюджетного финансирования
Анализ бюджетного финансирования образования
Понятие и источники бюджетного финансирования образования
Проблемы бюджетного финансирования образования
Основные направления совершенствования бюджетного финансирования образования
Заключение
Список использованный литературы
Цель курсовой работы – исследовать особенности бюджетного фин
Aronitue9
: 24 августа 2012
20 руб.
Программирование (часть 1-я). Зачёт. Билет №2
sibsutisru
: 3 сентября 2021
ЗАЧЕТ по дисциплине “Программирование (часть 1)”
Билет 2
Определить значение переменной y после работы следующего фрагмента программы:
a = 3; b = 2 * a – 10; x = 0; y = 2 * b + a;
if ( b > y ) or ( 2 * b < y + a ) ) then begin x = b – y; y = x + 4 end;
if ( a + b < 0 ) and ( y + x > 2 ) ) then begin x = x + y; y = x – 2 end;
sibsutisru
: 3 сентября 2021
200 руб.
