Контрольная работа ФОЭ. Вариант 02.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле-ния по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания , 12В
сопротивление нагрузки ,200 Ом
постоянный ток смещения в цепи базы , 625мкА
амплитуда переменной составляющей тока базы .375мкА
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
3.Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзи-стора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
4. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 =8 В
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле-ния по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания , 12В
сопротивление нагрузки ,200 Ом
постоянный ток смещения в цепи базы , 625мкА
амплитуда переменной составляющей тока базы .375мкА
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
3.Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзи-стора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
4. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 =8 В
Дополнительная информация
2015г
Похожие материалы
Контрольная работа. ФОЭ
IT
: 12 марта 2015
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
100 руб.
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
xtrail
: 20 марта 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
ДО Сибгути
: 26 января 2013
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
40 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
Aronitue9
: 8 марта 2012
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
доц. Савиных В. Л.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
20 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
azatmar
: 22 января 2012
Задача 1
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип InP
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3
Энергия примесных уров
250 руб.
Другие работы
Социальная политика и ее основные направления
alfFRED
: 6 февраля 2014
Содержание
Введение
1. Сущность и основные направления социальной политики
2. Экономическая эффективность и социальная справедливость. Социальная защита населения
3. Главные характеристики социальной политики в России в прошедшем и текущем годах
Заключение
Список используемой литературы
Введение
Современная социально-экономическая, морально-психологическая и духовная ситуация в России крайне противоречива и многоаспектна. Имеет место нестабильность в экономике, остро ощущается дефицит федераль
10 руб.
Некрасовская библиотека
Aronitue9
: 25 августа 2013
19 января 1919 года в одном из жилых домов на Новой Басманной улице торжественно открылась Московская центральная городская публичная библиотека. Ее организатором и первым директором был известный библиотековед А.А. Покровский, 120-летие со дня рождения которого будет отмечаться в этом году. Идею создания такой библиотеки, как организующего и руководящего центра библиотек Москвы, А.А. Покровский вынашивал в течение многих лет.
В 1925 году библиотека была переведена на угол улиц Поварской и Арбат
5 руб.
Створення форм користувачів у VBA
Elfa254
: 21 мая 2013
План:
1. Створення екранних форм:
a) основні властивості форми;
b) основні події форми;
c) основні методи форм;
2. Вибір і використання елементів керування:
a) рекомендовані комбінації перших трьох символів імен;
b) властивості командних кнопок;
c) властивості текстового поля;
d) властивості напису;
e) властивості перемикача;
f) властивості зображення.
Мова програмування VBA (Visual Basic for Applications) об’єктно-орієнтована мова програмування, вона базується на синтаксисі та операторах мови
10 руб.
Чертеж - Технологическая карта притирки клапанов к головке блока цилиндров
Рики-Тики-Та
: 15 июля 2018
Чертеж - Технологическая карта притирки клапанов к головке блока цилиндров
17 руб.