Контрольная работа ФОЭ. Вариант 02.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Контрольная работа.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле-ния по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания , 12В
сопротивление нагрузки ,200 Ом
постоянный ток смещения в цепи базы , 625мкА
амплитуда переменной составляющей тока базы .375мкА
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
3.Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзи-стора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
4. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Дано:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 =8 В

Дополнительная информация

2015г
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100
User sxesxe : 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User xtrail : 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
Приложены файлы для построения графиков ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗА
User ДО Сибгути : 26 января 2013
40 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
User ДО Сибгути : 26 января 2013
100 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант доц. Савиных В. Л. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3 Энергия примесных уров
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Разработка стратегии продвижения товара на рынок (на примере "Герметекс" г.Сызрань)
Введение 1. Роль использования стратегии продвижения товаров для современного предприятия 1.1 Понятие стратегии продвижения и ее виды 1.2. Комплекс интегрированных маркетинговых коммуникаций 1.3 Специфика маркетинговой стратегии продвижения на промышленном рынке 2 анализ маркетинговой деятельности предприятия 2.1 Краткая характеристика предприятия и описание производимой продукции 2.2 Анализ деятельности предприятия 2.3 Анализ конкурентоспособности предприятия на рынке герметических матер
User evelin : 9 октября 2013
5 руб.
Физика (часть 2-я). Лабораторная работа №1. Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера.Все варианты. 2020 год.
Физика (часть 2). Лабораторная работа 1. Все варианты Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера. Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера 1. Цель работы Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона 2. Основные теоретические сведения Дифракцией называется совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в сре
User SibGUTI2 : 1 марта 2020
200 руб.
Физика (часть 2-я). Лабораторная работа №1. Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера.Все варианты. 2020 год.
Пути повышения рентабельности производства
Введение Обобщающим показателем экономической эффективности производства является показатель рентабельности. Рентабельность означает доходность, прибыльность предприятия. Она рассчитывается путём сопоставления валового дохода или прибыли с затратами или используемыми ресурсами. На основе анализа средних уровней рентабельности можно определить, какие виды продукции и какие хозяйственные подразделения обеспечивают большую доходность. Это становится особенно важным в современных, рыночных услови
User evelin : 14 ноября 2013
5 руб.
Философская антропология. Человек, природа и феномены человеческого бытия
1. Философская антропология. Человек, природа и феномены человеческого бытия. Философская антропология— наука о сущности и сущностной структуре человека, о его основных отношениях: к природе, обществу, др. людям, самому себе, о его происхождении, о социальных и метафизических основаниях его существования, об основных категориях и законах его бытия. 2. Задача по дисциплине " Философия" 23.Укажите правильное определение понятия "цивилизация":
User MAMKA74 : 11 января 2011
up Наверх