Контрольная работа ФОЭ. Вариант 02.
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
03.04.2016
-
Размер:
718 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Антон133
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле-ния по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания , 12В
сопротивление нагрузки ,200 Ом
постоянный ток смещения в цепи базы , 625мкА
амплитуда переменной составляющей тока базы .375мкА
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
3.Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзи-стора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
4. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 =8 В
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле-ния по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Дано:
транзистор КТ605А,
напряжение питания , 12В
сопротивление нагрузки ,200 Ом
постоянный ток смещения в цепи базы , 625мкА
амплитуда переменной составляющей тока базы .375мкА
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
3.Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзи-стора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
4. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано:
Полевой транзистор типа КП 903 А
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 =8 В
Дополнительная информация
2015г
Похожие материалы
Контрольная работа. ФОЭ
IT
: 12 марта 2015
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
IT
: 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100
sxesxe
: 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
xtrail
: 20 марта 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
xtrail
: 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
ДО Сибгути
: 26 января 2013
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
ДО Сибгути
: 26 января 2013
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
ДО Сибгути
: 26 января 2013
40 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
Aronitue9
: 8 марта 2012
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
доц. Савиных В. Л.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
Aronitue9
: 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
azatmar
: 22 января 2012
Задача 1
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип InP
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3
Энергия примесных уров
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Системы сигнализации в сетях связи. Вариант 6
Roma967
: 11 мая 2025
Вариант 6
TLink1B 12:16.147
000: E6 26 30 85 41 60 00 B8 1B 00 01 00 20 01 0A 03
010: 02 0A 08 83 90 83 21 92 30 09 0F 0A 07 03 13 90
020: 75 72 99 27 1D 03 90 90 A3 03 04 1E 02 81 81 08
030: 01 80 00
TLink1A 12:18.289
000: 64 65 0E 85 01 60 10 E8 9E 01 10 01 12 02 40 91
010: 00
TLink1A 12:18.673
000: 65 67 0D 85 01 60 10 B8 5B 01 0C 02 00 02 8A 91
TLink1B 12:02.267
000: 46 26 0F 85 41 60 00 E8 3E 01 06 12 34 01 29 01
010: 01 00
TLi
Roma967
: 11 мая 2025
1300 руб.
Проектирование АТП ООО «Соккер-Сервис» с разработкой стенда по правки кузовов
Рики-Тики-Та
: 16 сентября 2012
В дипломном проекте рассмотрено пять основных разделов. Графическая часть состоит из 11 листов формата А1. Текстовая часть состоит из расчетно-пояснительной записки объёмом 83 листа.
В дипломном проекте дана краткая характеристика ООО «Соккер-сервис», произведён технологический расчёт предприятия по существующим методикам.
Дана общая характеристика предприятия с точки зрения безопасности жизнедеятельности, подробно рассмотрены вредные и опасные факторы, возникающие при эксплуатации оборудования,
Рики-Тики-Та
: 16 сентября 2012
825 руб.
Приспособление для фрезерования МЧ00.46.00.00 СБ. Деталирование
HelpStud
: 8 марта 2019
Приспособление устанавливается на подвижном столе горизонтально-фрезерного станка и крепится четырьмя болтами.
Приспособление служит для быстрой и точной установки обрабатываемой детали в нужном положении по отношению к режущему инструменту.
Две детали одновременно устанавливают на концы стержней поз. 7 и 10, прижимая их к шлифованным плоскостям корпуса поз. 1 прихватами поз. 2 и 3, которые стягивают болтом поз. 4 и гайкой поз. 15. Головка болта опирается на сферическую шайбу поз. 8. Пружины поз
HelpStud
: 8 марта 2019
250 руб.
Теплотехника 21.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 19
Z24
: 24 января 2026
Метан в количестве V м³/с и с температурой tм1 охлаждается в рекуперативном противоточном теплообменнике воздухом до tм2=20ºС. Температура воздуха на входе в теплообменник tв1=10ºС, а на выходе tв2. Коэффициент теплоотдачи от метана к поверхности нагрева – α1, а от поверхности нагрева к воздуху – α2. Поверхность нагрева изготовлена из стальных труб (λ = 40 Вт/(м·К)) толщиной – δ = 0,002 м. Определить: необходимую поверхность теплообмена и расход воздуха.
Z24
: 24 января 2026
200 руб.
