Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29

Задания из контрольной (вариант 29):

Задача 1.1
 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
 По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
 Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei

Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3, Т = 300 К.
Определить концентрацию атомов донорной примеси Nд
Полупроводник по условию варианта 29 – арсенид галлия GaAs.

Задача 1.10
Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, τ = 10-7 с.
Определить интервал времени t после выключения внешнего воздействия, в течение которого концентрация избыточных электронов уменьшится в К раз.
По условию задачи К = 2.

Задача 2.1
 Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях
полупроводника, образующих резкий р-n-переход, равны ND = 1016 см-3 и
NА = 1015 см-3, Т=300 К. Полупроводник – германий.
 Определить контактную разность потенциалов φк0 и ширину перехода Δ0 в равновесном состоянии (u = 0), а также отношение ширины участков перехода, лежащих в n и р областях Δn/Δp.

Задача 2.6
 Обратный тепловой ток резкого р-п перехода Io = 10-12 А, сопротивление тела базы = 60 Ом. Т = 300 К.
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВAX р-n-перехода в интервале токов i =0...20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить смещение прямой ветви BAX вдоль оси напряжений ΔU при изменении температуры на ΔT.

Задача 2.10
 Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n переход равны: ND = 1017 см-3, NA = 1015 см-3, площадь перехода равна S = 0,001 см2.
 Полупроводник – германий.
 Определить обратный тепловой ток перехода Iо, барьерную емкость СБ и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (U = 0, I = 0).

Задача 3.3
 МДП-транзистор с индуцированным каналом п-типа включен по схеме ОИ. Напряжения между электродами: Uзи = 3 В, Uси = 5 В, Uпор = 1 В.
 Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить в каком режиме работает транзистор.

Задача 3.8
 Биполярный транзистор p-n-p структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, Iэбк = 10-13, Iкбк = 3,3·10-13 А включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами равны:
Uэб = - 5 В, Uкб = - 10 В.
 Определить в каком режиме работает транзистор. Определить напряжение Uкэ, токи Iэ, Iк, Iб

Задача 3.11
 Биполярный транзистор n-p-n структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, Iэбк = 10-13, Iкбк = 3,3·10-13 А включен по схеме ОЭ, напряжение Uкэ = 5,0 В.
 Используя классическую модель транзистора Эберса-Молла, рассчитать и построить на графике зависимость тока коллектора ik от напряжения uкэ в интервале iк = 0 ... 10 мА.

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им. проф. М. А. Бонч-Бруевича.
Вариант 29
Оценка - отлично