Лабораторная работа №1,2,3,Физические основы электроники.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
26.05.2016
-
Размер:
633 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
Rufus
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная №1.doc
|
|
Лабораторная №2.doc
|
|
Лабораторная №3.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Оценка: зачет.
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Оценка: зачет.
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
merzavec
: 8 декабря 2014
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
donkirik
: 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
maromash
: 30 марта 2013
350 руб.
Другие работы
Вариант №17. Подшипник
Чертежи
: 26 января 2019
Вариант 17 - Подшипник, по учебному пособию Пьянковой Ж.А. Компьютерная графика. Построение трехмерных сборочных единиц в системе КОМПАС 3D.
Чертежи деталей:
1. Корпус
2. Вкладыш
3. Крышка
Сборочный чертеж и спецификация (+спецификация форматом .cdw, на всякий случай).
3D модели деталей и сборка.
Описание сборки для наглядности.
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Чертежи
: 26 января 2019
130 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Основы теории управления"
1231233
: 23 января 2012
Даны уравнения, описывающие процессы в исходной системе:
где
– выходная регулируемая координата системы;
– входной сигнал, являющийся заданным значением у;
– возмущающее воздействие;
– координаты состояния системы;
– передаточный коэффициент решающего блока;
– передаточный коэффициент обратной связи системы;
Первые два уравнения в (1.1) описывают объект управления. Третье уравнение в (1.1) соответствует усилителю мощности. Четвёртое уравнение описывает решающий блок. Пятое уравнение
1231233
: 23 января 2012
23 руб.
Колонна абсорбционная d=1800 этиленгликоль – метан-Проектирование абсорбционной колонны-Оценка надёжности оболочек-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 6 июня 2023
Колонна абсорбционная d=1800 этиленгликоль – метан-Проектирование абсорбционной колонны-Оценка надёжности оболочек-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа
Курсовой проект 55 стр., 17 рис., 8 источников.
Иллюстративная часть курсового проекта 1 лист формата А1.
АБСОРБЕР, КОЛЬЦЕВАЯ НАСАДКА, СКРУББЕР, АБСОРБЕНТ, КОЛЬЦА РАШИГА, АБСОРБАТИВ, НАСАДОЧНЫЙ АБСОРБЕР, ИНЕРТ-НЫЙ ГАЗ, ПОГЛОТИТЕЛЬ, ПОГЛОЩАЕМОЕ ВЕЩЕСТВО.
Целью курсового проекта является изучение процесса абсорбции, про-е
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 6 июня 2023
715 руб.
