Электроника. Экзаменационная работа. Вариант №20.

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon 158570BF-A4BC-4635-88F7-459941C090D4.doc [ 397 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационная работа по электронике. Вариант 20.



1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Семестр:3
Экзаменационная работа по электронике
Вариант: 20
Год сдачи: 2016
Оценка: Отлично
Проверил: Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
Электротехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Багдат : 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User aleks797 : 20 января 2013
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.

Другие работы

Химия радиоматериалов. Вариант №1
Задача 3.1.1. Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I. Дано: Материал Al(алюминий) Задача 3.1.2 Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P. Дано: Материал Al(алюминий) R=100Ом P=100 Вт Задача 3.2.1 Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комна
******* Не известно Химия радиоматериалов Работа Контрольная
User sxesxe : 3 ноября 2016
200 руб.
Зачет по дисциплине: «Культурология». Билет: Типы культурной динамики
Вопрос: типы культурной динамики Ответ = 3 стр. Основные типы культурного динамики: • фазовый, или этапный; • циклический; • инверсионный.
СибГУТИ Культура, искусство, спорт и туризм Работа Зачетная
User Jemchujina : 30 января 2014
350 руб.
МЧ00.48.00.00 СБ
Описание: Быстросъемная муфта предназначена для соединения и разъединения труб гидравлических систем. Она состоит из двух полумуфт. Полумуфта поз. 3 соединяется со станочным приспособлением через переходной штуцер поз. 4. Полумуфта поз. 2 присоединяется к гидропроводу через переходной штуцер поз. 5. Полумуфта поз. 3 имеет трапецеидальную проточку на наружном диаметре для шариков поз. 10. Внутри этой полумуфты расположен клапан поз. 12 с цилиндрическим выступом на торце и пружиной поз. 7. На полу
Чертежи Инженерная графика
User dyaz : 14 апреля 2021
160 руб.
МЧ00.48.00.00 СБ
Модернизация рабочего органа культиватора КРН-5,6 (конструкторский раздел дипломного проекта
Содержание: 3.Конструктивная часть 3.1 Назначение конструкции, ее устройство и принцип действия 3.2 Описание аналогов конструкции 3.3 Инженерный расчёт на прочность
Диплом и связанное с ним НГАУ Сельскохозяйственные машины
User aleks270781 : 9 февраля 2023
999 руб.
Модернизация рабочего органа культиватора КРН-5,6 (конструкторский раздел дипломного проекта
up Наверх