Электроника. Экзаменационная работа. Вариант №20.

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon 158570BF-A4BC-4635-88F7-459941C090D4.doc [ 397 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационная работа по электронике. Вариант 20.



1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Семестр:3
Экзаменационная работа по электронике
Вариант: 20
Год сдачи: 2016
Оценка: Отлично
Проверил: Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
Электротехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Багдат : 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User aleks797 : 20 января 2013
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.

Другие работы

Оценка рынка ипотечного кредитования Республики Татарстан
Содержание Введение 1. Теоретические аспекты исследования ипотечного кредитования 1.1 Исторические предпосылки развития ипотечного рынка 1.2 Нормативно-правовое регулирование ипотечного кредитования 1.3 Модели современного ипотечного кредитования 2. Анализ состояния ипотечного рынка в РТ 2.1 Современное состояние ипотечного рынка 2.2 Доступность жилья как основной фактор спроса на банковские ипотечные кредиты 2.3 Оценка доступности жилья в Нефтекамске 3. Перспективы развития ипотечного кредитов
Банковское дело и кредитование Работа
User Lokard : 3 декабря 2013
10 руб.
Клапан предохранительный АГПС.121303.000 СБ в Компасе
Задание 1. Составить спецификацию и выполнить сборочный чертеж изделия «Клапан предохранительный» из альбома C.К. Боголюбов "Чтение и деталирование сборочных чертежей" МЧ00.63.00.00СБ Рекомендуемый масштаб сборочного чертежа 1:1. Состав изделия Нестандартные детали: 1 – корпус; 3 – стакан; 4 – клапан; 6 – тарелка; 7 – крышка. Стандартные изделия: 2,10 – кольца ГОСТ 9833-73; 5 – пружина 88 ГOCT 13768-73; 7 – винт ГОСТ 1482-84; 9 – гайка ГОСТ 5916-70; 11 – шпилька ГОСТ 22034-76; 12– гайка ГОСТ 5
******* Не известно Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User djon237 : 3 июля 2023
300 руб.
Клапан предохранительный АГПС.121303.000 СБ в Компасе
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика Хабаровск ТОГУ Задача 11 Вариант 2
Какую разницу уровней ртути hg покажет ртутный манометр, присоединенный к напорной трубке (рис.10), если средняя скорость воды в сечении трубопровода диаметром d, составляет υ. Трубопровод бесшовный, стальной, после нескольких лет эксплуатации.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 26 ноября 2025
180 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика Хабаровск ТОГУ Задача 11 Вариант 2
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 1.4 Вариант 8
Определить давление p1 в узком сечении трубопровода (рис.1.4, сечение 1-1) при следующих условиях: давление в широкой его части равно p2, расход воды, протекающей по трубопроводу Q, диаметры труб узкого и широкого сечений соответственно d1 и d2. Режим движения в трубопроводе — турбулентный. Трубопровод горизонтален. Удельный вес воды принять равным γ=10 кН/м³.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 16 октября 2025
150 руб.
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 1.4 Вариант 8
up Наверх