Электроника. Экзаменационная работа. Вариант №20.

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon 158570BF-A4BC-4635-88F7-459941C090D4.doc [Office 2010, 10 стр., 397 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационная работа по электронике. Вариант 20.



1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Семестр:3
Экзаменационная работа по электронике
Вариант: 20
Год сдачи: 2016
Оценка: Отлично
Проверил: Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
Электротехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Багдат : 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User aleks797 : 20 января 2013
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.

Другие работы

Двухлифтовая установка для одновоременно раздельной эксплуатации скважин ОРЭ-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
Двухлифтовая установка для одновоременно раздельной эксплуатации скважин ОРЭ-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
Нефтяная промышленность Чертежи
User lelya.nakonechnyy.92@mail.ru : 14 ноября 2017
275 руб.
Двухлифтовая установка для одновоременно раздельной эксплуатации скважин ОРЭ-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-Формат Microsoft PowerPoint
Автокад
Проекция. Чертежи Автокада жумыс турлери
Задачи ******* Не известно 3D моделирование и проектирование
User Maraaal : 15 февраля 2023
Автокад
Регулятор давления МЧ00.16.00.00 СБ Solidworks 2020
Регулятор давления устанавливается на трубопроводах для предотвращения аварии в случае избыточного давления газа или воздуха. Состав: 3D сборка, 3D модели всех деталей Из альбома С.К. Боголюбов “Чтение и деталирование сборочных чертежей” Альбом Издательство “Машиностроение” Москва 1986 г. Вариант 16. МЧ00.16.00.00_Сборка МЧ00.16.00.01_Корпус МЧ00.16.00.02_Штуцер МЧ00.16.00.03_Стакан МЧ00.16.00.04_Цилиндр МЧ00.16.00.05_Седло МЧ00.16.00.07_Клапан МЧ00.16.00.08_Пружина МЧ00.16.00.09_Шток МЧ00.16.
3D моделирование и проектирование ТГАТУ Работа Курсовая
User belial2003 : 10 ноября 2021
140 руб.
Регулятор давления МЧ00.16.00.00 СБ Solidworks 2020
Лабораторная работа №2. «ИССЛЕДОВАНИЕ ДИСПЕРСИОННЫХ ИСКАЖЕНИЙ ИМПУЛЬСОВ В ОПТИЧЕСКОМ ВОЛОКНЕ». Вариант №7.
Отчет по лабораторной работе Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию влияния составляющих дисперсии на временные параметры передаваемых оптических импульсов: - модовой дисперсии ступенчатых оптических волокон; - модовой дисперсии градиентных оптических волокон; - материальной составляющей хроматической дисперсии; - волноводной составляющей хроматической дисперсии; - профильной составляющей хроматической дисперсии; - хроматической дисперсии оптического волокна;
Направляющие системы электросвязи СибГУТИ Работа Лабораторная
User dimon13889 : 6 мая 2014
99 руб.
up Наверх