Электроника. Экзаменационная работа. Вариант №20.

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon 158570BF-A4BC-4635-88F7-459941C090D4.doc [ 397 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационная работа по электронике. Вариант 20.



1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Семестр:3
Экзаменационная работа по электронике
Вариант: 20
Год сдачи: 2016
Оценка: Отлично
Проверил: Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
Электротехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Багдат : 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User aleks797 : 20 января 2013
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.

Другие работы

Контрольная работа Основы управления техническими системами. Вариант №3
Для разомкнутой системы, состоящей из последовательного соединения трех типовых звеньев: • записать общую передаточную функцию; • записать общее дифференциальное уравнение; • изобразить ЛАЧХ и ЛФЧХ заданной системы; • построить АФЧХ (годограф); • привести схему технической реализации системы звеньев с применением операционных усилителей. 3 Форсир Т2=0,01 К1=1 Инерц Т2=0,1 К2=10 Интегр Т3=1 Исследовать устойчивость замкнутой следящей системы,используя заданный критерий: Гурвица, Михайлов
ДО СИБГУТИ Работа Контрольная Основы управления техническими системами
User Andatra6699 : 14 января 2026
500 руб.
Контрольная работа Основы управления техническими системами. Вариант №3
Теплотехника Задача 6.66
Газовая смесь, состоящая из кислорода и азота, при давлении р1 = 1 МПа занимает объем V = 0,5 м³ и имеет массу m = 5 кг. Парциальный объем кислорода VО2 = 0,2 м³, а азота VN2 = 0,3 м³. Над смесью совершается изохорный процесс с подводом теплоты Q = 1000 кДж. Определить термодинамические параметры смеси в начальном и конечном состояниях, а также парциальные давления в начале процесса. Изобразить графически процесс в рv — и Тs – диаграммах.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 29 января 2026
200 руб.
Теплотехника Задача 6.66
КГ.10.00.00. Соединения резьбовые в КОМПАС-3D.
Выполнено по методичке (скриншот прикреплен). Архив содержит 3D-модели деталей: -Основание _ КГ.10.00.01 (*.m3d); -Ушко _ КГ.10.00.02 (*.m3d); -Пластина _ КГ.10.00.03 (*.m3d); -Вкладыш _ КГ.10.00.04 (*.m3d); Чертежи: Ушко _ КГ.10.00.02 (*.cdw); Соединения резьбовые Сборочный чертеж _ КГ.10.00.00 СБ (*.cdw); Выполнено в КОМПАС-3D v20.
СибГАУ Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User Чертежи СибГУ, СФУ : 19 сентября 2022
130 руб.
КГ.10.00.00. Соединения резьбовые в КОМПАС-3D.
Лабораторная работа №3 Программная организация процессов формирования и выдачи периферийных команд
Предмет: Программное обеспечение цифровых систем коммутации Цель работы: Изучение принципов формирования и выдачи периферийных команд (ПК) в автоматических системах коммутации (АСК) с программным управлением. Изучение состава данных, используемых программами формирования и выдачи ПК. Изучение принципов взаимодействия программ подключения комплекта приема знаков номера (КПН), формирования ПК, выдачи ПК, проверки выполнения ПК. Моделирование с помощью персональной ЭВМ процессов формирования и
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User AnnaB : 5 ноября 2014
100 руб.
up Наверх