ДО СибГУТИ 14-й вариант. Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы
Таблица 1. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А
В
С
Д
Е
F
G
8
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы
Таблица 1. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А
В
С
Д
Е
F
G
8
Дополнительная информация
Сдана в сентябре 2016, преподаватель Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 2-й вариант
sd80
: 5 октября 2013
Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные: тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Зад
250 руб.
Контрольная работа по Устройству оптоэлектроники. 4-й вариант
ustianna
: 15 апреля 2013
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод – это фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления благодаря лавинному умножению в обратно смещенном p-n переходе.
180 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 13-й вариант
Dimark
: 21 января 2013
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. В
Контрольная работа по дисциплине: « Устройства оптоэлектроники». 5-й вариант
1309nikola
: 12 марта 2017
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами.
В простейшем фототранзисторе (рисунок 1) оптическое излучение попадает в рабочую область структуры - базу. Здесь обеспечивается генерация фотоносителей,
60 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа .12-й вариант. СБТ
sanco25
: 11 марта 2013
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состоян
49 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Dark
: 16 августа 2011
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципи
200 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Другие работы
Разработка технологического процесса изготовления поковки объёмной штамповки
elvirajam
: 28 апреля 2010
Курсовой проект
по дисциплине «Технология ковки и объёмной штамповки»
содержание:
Введение..................................................................3
Задание………………………………………….4
1. Разработка чертежа поковки и расчет ее массы…5
1.1 Определение массы детали и ориентировочный расчет массы поковки………………5
1.2 Определение массы описываемой фигуры и степени сложности поковки:..................5
1.3 Определение припусков на механическую обработку.....5
1.4 Определение допусков на размеры поков
Гидравлика Задача 2.460
Z24
: 11 декабря 2025
В закрытом сосуде хранится жидкость плотностью ρ = 850 кг/м³. Давление в сосуде измеряется ртутным манометром (рис. 1.8); в открытом конце манометрической трубки над ртутью имеется столб воды высотой h1 = 15 см. Высоты h2 = 23 см, h3 = 35 см.
Найти абсолютное давление на поверхности жидкости в сосуде р, если барометрическое давление соответствует 742 мм рт. ст.
150 руб.
Транспортировка нефти по нефтепроводу в экологическом аспекте
evelin
: 20 марта 2013
Содержание
Введение
1. Характеристика нефтепровода
2.1 Нефтяное загрязнение почвы
2.2 Нефтяное загрязнение подземных вод
3. Правовой анализ транспортировки нефти по нефтепроводу
3.1 Санитарно-эпидемиологические правила и гигиенические нормативы по содержанию нефти и нефтепродуктов в окружающей среде
3.2 Предупреждение и ликвидация аварийных разливов нефти и нефтепродуктов
4. Мероприятия по уменьшению воздействия на окружающую среду
4.1 Предупреждение аварийных выбросов
4.2 Мероприятия по ликвида
15 руб.