ДО СибГУТИ 14-й вариант. Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы
Таблица 1. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А
В
С
Д
Е
F
G
8
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала: InAs
Квантовая эффектив-ность, h: 0,3
Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ: 0,39
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы
Таблица 1. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А
В
С
Д
Е
F
G
8
Дополнительная информация
Сдана в сентябре 2016, преподаватель Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 2-й вариант
sd80
: 5 октября 2013
Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные: тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
Зад
250 руб.
Контрольная работа по Устройству оптоэлектроники. 4-й вариант
ustianna
: 15 апреля 2013
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Лавинный фотодиод – это фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления благодаря лавинному умножению в обратно смещенном p-n переходе.
180 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 13-й вариант
Dimark
: 21 января 2013
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. В
Контрольная работа по дисциплине: « Устройства оптоэлектроники». 5-й вариант
1309nikola
: 12 марта 2017
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами.
В простейшем фототранзисторе (рисунок 1) оптическое излучение попадает в рабочую область структуры - базу. Здесь обеспечивается генерация фотоносителей,
60 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа .12-й вариант. СБТ
sanco25
: 11 марта 2013
Задача 1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Задача 3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состоян
49 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Dark
: 16 августа 2011
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципи
200 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
59 руб.
Другие работы
Кредит и кредитная система
Slolka
: 23 марта 2013
Кредит является неотъемлемым элементом рыночного хозяйства, оказывающим непосредственное воздействие на процессы расширенного воспроизводства на макроуровне и на уровне отдельного предприятия. Будучи одновременно категорией воспроизводства и перераспределения, он ускоряет процессы воспроизводства на всех его фазах – производства, распределения, обмена, потребления.
За счет кредита происходит формирование основных и оборотных средств предприятий; осуществляются расчеты между товаропроизводителями
5 руб.
Використання офшорних юрисдикцій при здійсненні сумнівних фінансових операцій
alfFRED
: 26 октября 2013
Працівники правоохоронних органів з часів проголошення Україною незалежності та особливо під час проведення економічних реформ, зміни правового поля часто натикаються на застосування криміналітетом завуальованих фінансово-господарських операцій ускладненими неадекватними схемами. До них можна віднести бартерні та вексельні, давальницькі та толінгові схеми, схеми взаємозаліків, використання фінансових технологій фондового ринку тощо. Використання у цих схемах офшорних інструментів також є переваг
10 руб.
Технологический процесс сборки червячного редуктора
MrKlim
: 20 декабря 2011
Темой курсового проекта является разработка технологического процесса сборки червячно-цилиндрического редуктора привода конвейера. Целью этой работы была сборка червячно-цилиндрического редуктора. В кур-совом проекте был выполнен анализ технологичности изготовления изделия; нормирование сборочных работ; определение типа производства; анализ сборочных размерных цепей; разработан технологический процесс сборки, включающий маршрут технологии сборки; разработка сборочного операционного приспособлени
Социально-экономическое значение, экономический механизм
ostah
: 5 февраля 2015
Экономический механизм обеспечения охраны труда
Социально-экономическое значение, экономический механизм
Источники финансирования охраны труда
Экономические последствия (ущерб) от производственного травматизма и профессиональных заболеваний
Экономический эффект мероприятий по улучшению условий и охране труда
Источники, причины и последствия загрязнения почв токсинами промышленного происхождения
Загрязнение почв токсинами промышленного происхождения
Проблемы опустынивания
Химическое загрязнение п