Лабораторная работа №2. ФОЭ. Вариант №1

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная 1 ФОЭ.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.12.2015
Лабораторная работа №2. ФОЭ. Вариант №1
Лабораторная работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
User sxesxe : 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100
User sxesxe : 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
Приложены файлы для построения графиков ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗА
User ДО Сибгути : 26 января 2013
40 руб.
promo
Лабораторная работа №3. ФОЭ. Вариант №1
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 2 Оценка:Зачет Дата оценки: 14.12.2015
User sxesxe : 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
ФОЭ, ЛР №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Таблица 1.1а - Диод D7Ж UПР, В 0,015 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,457 0,472 IПР, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Таблица 1.1б - Диод D220 UПР, В 0,015 0,574 0,610 0,630 0,650 0,660 0,670 0,681 0,691 IПР, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8
User varistor : 7 марта 2015
Физика. Лабораторная работа №2. Вариант 1.
Лабораторная работа 2 ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА МЕТОДОМ МАГНЕТРОНА 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Ознакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях. 2. Определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
User pipipi : 4 мая 2025
200 руб.
Лабораторная работа №2. Физика. Вариант №1
Лабораторная работа № 2 Измерение удельного заряда электрона методом магнетрона Комментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 1) Вид работы: Лабораторная работа 2 Оценка:Зачет
User АнастасияАМ : 14 марта 2018
80 руб.
Вентиль угловой - ПМИГ.ХХХХХХ.002 СБ
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Практикум. Задание варианта 2 - Вентиль угловой. Сборочный чертеж. Деталирование. Модели. Вентиль — устройство для регулирования движения в трубопроводе пара, газа, воды или другой жидкости. Вентиль состоит из корпуса 1, на котором установлена при помощи болтов 12, шайб и гаек крышка 3. В крышке 3 в резьбовое отверстие установлен шпиндель 2. На нижнем хвостике шпинделя 2 при помощи скобы 7 закреплен
User .Инженер. : 25 октября 2022
500 руб.
Вентиль угловой - ПМИГ.ХХХХХХ.002 СБ promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Підвищення рівня ліквідності банків на основі використання іпотечних продуктів
ПІДВИЩЕННЯ РІВНЯ ЛІКВІДНОСТІ БАНКІВ НА ОСНОВІ ВИКОРИСТАННЯ ІПОТЕЧНИХ ПРОДУКТІВ Іпотечне кредитування в розвинутих країнах відіграє важливу роль у функціонуванні механізму ринкової економіки, а тому набуває широкого розвитку в країнах з трансформаційною економікою. Оскільки основними фінансовими інститутами, які акумулюють значні грошові ресурси, є банки, то їх, безумовно, можна назвати основними учасниками ринку іпотечного кредитування. Крім того, поява на українському ринку великих іноземних ба
User VikkiROY : 4 ноября 2012
10 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Общая теория связи. Вариант: 25
Исходные данные 1 Номер варианта: N =25 2 Вид сигнала в канале связи: ДЧМ 3 Скорость передачи сигналов: V =225000 Бод 4 Амплитуда канальных сигналов: А =16.43 мВ 5 Дисперсия шума: 2 = 80.98 мкВт 6 Априорная вероятность передачи символов "1": p(1) = 0,36 7 Способ приема сигнала: КГ 08 Полоса пропускания реального приемника: f прДЧМ =562.5 кГц 9 Значение отсчета принятой смеси сигнала и помехи на входе решающей схемы приёмника при однократном отсчете Z(t0) = 4.26 мВ. 10 Значения отсчетов при
User natin83 : 1 февраля 2015
150 руб.
up Наверх