Лабораторная работа №2. ФОЭ. Вариант №1
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.12.2015
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.12.2015
Похожие материалы
Лабораторная работа №2. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
Лабораторная работа №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
100 руб.
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
40 руб.
Лабораторная работа №3. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 14.12.2015
100 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
IT
: 12 марта 2015
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
100 руб.
ФОЭ, ЛР №1
varistor
: 7 марта 2015
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Таблица 1.1а - Диод D7Ж
UПР, В 0,015 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,457 0,472
IПР, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Таблица 1.1б - Диод D220
UПР, В 0,015 0,574 0,610 0,630 0,650 0,660 0,670 0,681 0,691
IПР, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8
Физика. Лабораторная работа №2. Вариант 1.
pipipi
: 4 мая 2025
Лабораторная работа 2
ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА МЕТОДОМ МАГНЕТРОНА
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
1. Ознакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях.
2. Определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
200 руб.
Лабораторная работа №2. Физика. Вариант №1
АнастасияАМ
: 14 марта 2018
Лабораторная работа № 2
Измерение удельного заряда электрона методом магнетрона
Комментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 1)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
80 руб.
Другие работы
Вентиль угловой - ПМИГ.ХХХХХХ.002 СБ
.Инженер.
: 25 октября 2022
В.П. Большаков. Создание трехмерных моделей и конструкторской документации в системе КОМПАС-3D. Практикум. Задание варианта 2 - Вентиль угловой. Сборочный чертеж. Деталирование. Модели.
Вентиль — устройство для регулирования движения в трубопроводе пара, газа, воды или другой жидкости. Вентиль состоит из корпуса 1, на котором установлена при помощи болтов 12, шайб и гаек крышка 3. В крышке 3 в резьбовое отверстие установлен шпиндель 2. На нижнем хвостике шпинделя 2 при помощи скобы 7 закреплен
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
250 руб.
Підвищення рівня ліквідності банків на основі використання іпотечних продуктів
VikkiROY
: 4 ноября 2012
ПІДВИЩЕННЯ РІВНЯ ЛІКВІДНОСТІ БАНКІВ НА ОСНОВІ ВИКОРИСТАННЯ ІПОТЕЧНИХ ПРОДУКТІВ
Іпотечне кредитування в розвинутих країнах відіграє важливу роль у функціонуванні механізму ринкової економіки, а тому набуває широкого розвитку в країнах з трансформаційною економікою. Оскільки основними фінансовими інститутами, які акумулюють значні грошові ресурси, є банки, то їх, безумовно, можна назвати основними учасниками ринку іпотечного кредитування. Крім того, поява на українському ринку великих іноземних ба
10 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Общая теория связи. Вариант: 25
natin83
: 1 февраля 2015
Исходные данные
1 Номер варианта: N =25
2 Вид сигнала в канале связи: ДЧМ
3 Скорость передачи сигналов: V =225000 Бод
4 Амплитуда канальных сигналов: А =16.43 мВ
5 Дисперсия шума: 2 = 80.98 мкВт
6 Априорная вероятность передачи символов "1": p(1) = 0,36
7 Способ приема сигнала: КГ
08 Полоса пропускания реального приемника: f прДЧМ =562.5 кГц
9 Значение отсчета принятой смеси сигнала и помехи на входе решающей схемы приёмника при однократном отсчете Z(t0) = 4.26 мВ.
10 Значения отсчетов при
150 руб.