Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
23.10.2016
-
Размер:
863 KB
-
Покупок:
12
-
Добавил:
ElenaA
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР Устройство оптоэлектроники.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ
0 CdS 0,4 2,5
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания, В. Номинал ограничительного сопротивления, Ом
5 АЛ 307В 6 470
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ
0 CdS 0,4 2,5
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания, В. Номинал ограничительного сопротивления, Ом
5 АЛ 307В 6 470
Дополнительная информация
год сдачи - 2016. Оценка - зачет. Преподаватель - Игнатов
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05.
student90s
: 22 июля 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 5
Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для реше
student90s
: 22 июля 2015
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа №1. Вариант №05
vecrby
: 24 мая 2015
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №05 – Фотодиод - транзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны , ;
Найти: -? -?
Задача №3: Изобразить принципиальную схему вклю
vecrby
: 24 мая 2015
40 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Другие работы
Редуктор 32.000 деталировка
coolns
: 13 февраля 2020
Редуктор 32.000 сборочный чертеж
Редуктор 32.000 спецификация
Подшипник фланцевый 32.001
Пробка 32.002
Корпус 32.003
Вал шестерня Z=16, m=1.75 32.004
Вал шестерня Z=13. m=1.75 32.005
Шарнир 32.006
Втулка 32.007
Редуктор привода спидометра служит для передачи вращательного движения под прямым углом с выходного вала коробки передач через гибкий вал к спидометру. Редуктор состоит из литого корпуса 3, двух валов, пересекающихся под углом 90°, изготовленных совместно с прямозубыми коническими зубчат
coolns
: 13 февраля 2020
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Теория Связи. Вариант №14.
teacher-sib
: 30 августа 2023
ЗАДАЧА 1
Дано: Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:
где iк - ток коллектора транзистора,
S = 95 мА/В - крутизна характеристики,
uб - напряжение на базе транзистора,
uо = 0,75 В - напряжение отсечки,
um = 0,45 В - амплитуда входного высокочастотного сигнала.
Требуется:
1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить
teacher-sib
: 30 августа 2023
800 руб.
Совершенствование агрегатного метода ремонта техники в спк «чалмалы» шаранского района с разработкой конструкции хонинговальной установки
Рики-Тики-Та
: 22 февраля 2017
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 6
1 АНАЛИЗ ХОЗЯЙСТВЕННОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ СПК «ЧАЛМАЛЫ»
ШАРАНСКОГО РАЙНА РБ 7
1.1 Общая характеристика предприятия 7
1.2 Организация технологии ремонта 10
1.2.1 Характер
Рики-Тики-Та
: 22 февраля 2017
825 руб.
Клапан предохранительный. Вариант 13 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 22 октября 2026
Клапан предохранительный. Вариант 13 ЧЕРТЕЖ
Клапан предохранительный ТюмГНГУ 516.13.00.00 ЧЕРТЕЖ
13.1 Схема работы устройства «Клапан предохранительный» приведена на рисунке 13.1.
13.2 Краткое описание изделия и принципа его работы
Когда давление в системе поднимается выше установленного предела, устройство срабатывает и открывается.
Тарелка 2 поднимается, преодолевая силу сопротивления пружины 3, и часть воздуха выходит через отверстия в корпусе 1, неподвижно соединенного с крышкой. Пр
coolns
: 22 октября 2026
600 руб.
