Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
23.10.2016
-
Размер:
863 KB
-
Покупок:
12
-
Добавил:
ElenaA
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР Устройство оптоэлектроники.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ
0 CdS 0,4 2,5
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания, В. Номинал ограничительного сопротивления, Ом
5 АЛ 307В 6 470
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Задача No 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, h Ширина запрёщенной зоны ∆W, эВ
0 CdS 0,4 2,5
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача No 4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
No варианта Тип светодиода Напряжение питания, В. Номинал ограничительного сопротивления, Ом
5 АЛ 307В 6 470
Дополнительная информация
год сдачи - 2016. Оценка - зачет. Преподаватель - Игнатов
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 05.
student90s
: 22 июля 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант 5
Тип фотоприемника (ФП) Фотодиод-транзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для реше
student90s
: 22 июля 2015
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа №1. Вариант №05
vecrby
: 24 мая 2015
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №05 – Фотодиод - транзистор
Задача №2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней .
Дано:
Тип ПП материала Ge;
Квантовая эффективность, ;
Ширина запрещенной зоны , ;
Найти: -? -?
Задача №3: Изобразить принципиальную схему вклю
vecrby
: 24 мая 2015
40 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Другие работы
Проектирование концевой фрезы и машинного метчика
sahem
: 2 января 2013
В курсовом проекте, представлено проектирование концевой фрезы диаметром 25 мм. для фрезерования торцевой поверхности кронштейна и машинного метчика для нарезания резьбы М22.
Проектирование инструментов представлено в виде выбора и расчета параметров.
Исходные данные
Задание1
Параметры резьбы M22 1,5-4H.
Материал детали: АЛ2 ГОСТ 1583-93 В=150 МПа
Задание 2:
Марка материала детали – СЧ 15-32, В=150 МПа
sahem
: 2 января 2013
200 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств. Зачетная работа. Вариант №18. Билет 6.
Mental03
: 11 октября 2016
Зачетная работа по дисциплине Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 18. Билет 6.
Билет 6.
Коэффициенты усиления отдельных каскадов трехкаскадного усилителя равны K1=35 дБ, K2=27 дБ, K3=12 дБ. Определить, какое напряжение должно быть на входе усилителя, чтобы на выходе получить мощность 4 Вт на нагрузке 4 Ом.
2. Определить коэффициенты усиления по напряжению (К, К*), если Рн = 0,8 Вт, Rн = 20 Ом, КТ = 40 дБ, Rист = 1 кОм, Rвх = 2 кОм.
3. К чему приведет отсутствие емкости Сэ в сх
Mental03
: 11 октября 2016
Модель дослідження стійкості та якості перехідних процесів слідкувальної системи
alfFRED
: 9 октября 2013
ПЕРЕЛІК УМОВНИХ СКОРОЧЕНЬ
ВСТУП
1. ТЕОРЕТИЧНІ ЗАСАДИ СИСТЕМНОГО АНАЛІЗУ ОБ‘ЄКТІВ ТА ПРОЦЕСІВ КОМП‘ЮТЕРІЗАЦІЇ
1.1 Задачі системного управління структурою і властивостями складних об'єктів
1.2 Аналіз вимог до точності та стійкості слідкувальної системи
1.3 Аналіз інформаційних процесів предметної області дослідження
2. МОДЕЛЬ ДОСЛІДЖЕННЯ СТІЙКОСТІ ТА ЯКОСТІ ПЕРЕХІДНИХ ПРОЦЕСІВ СЛІДКУВАЛЬНОЇ СИСТЕМИ
2.1 Технічне завдання
2.2 Функціональна схема та математична модель слідкувальної системи
2
alfFRED
: 9 октября 2013
10 руб.
Особенности наследования имущества в предпринимательской сфере
Slolka
: 14 сентября 2013
Современные экономические отношения обусловили широкое участие граждан в отношениях, связанных с предпринимательской деятельностью. Гражданин может быть участником коммерческой организации, владельцем предприятия, участником фермерского хозяйства. В связи с этим приобретают особую актуальность вопросы правового регулирования отношений по переходу такого имущества и имущественных прав в порядке наследственного правопреемства, которые нашли свое отражение в отдельных новеллах раздела V Гражданског
Slolka
: 14 сентября 2013
4 руб.
