Физические основы электроники.Экзаменационная работа. Вариант №13. Билет №17.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физические основы электроники, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
25.11.2016
-
Размер:
125 KB
-
Закачек:
11
-
Добавил:
Mental03
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
AB049724-69EE-4340-A7B1-0D8B0EA37A9E.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационная работа по дисциплине Физические основы электроники. Вариант 13. Билет 17
Билет № 17
1. Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
2. Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Билет № 17
1. Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
2. Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Дополнительная информация
Семестр: 4
Вариант: 13
Билет:17
Год сдачи: 2016
Оценка: хорошо
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Вариант: 13
Билет:17
Год сдачи: 2016
Оценка: хорошо
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17
SibGOODy
: 28 августа 2018
Билет №17
1. Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
2. Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
SibGOODy
: 28 августа 2018
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17.
freelancer
: 23 апреля 2016
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
freelancer
: 23 апреля 2016
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 апреля 2014
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 апреля 2014
130 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №13.
Mental03
: 25 ноября 2016
Контрольная работа по дисциплине Физические основы электроники. Вариант 13.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала
Mental03
: 25 ноября 2016
Контрольная работа. Физические Основы Электроники. Вариант №13
ZhmurovaUlia
: 20 ноября 2016
Контрольная работа
По дисциплине: Физические Основы Электроники
Вариант No13
Задача 1: Исходные данные: транзистор KT603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА, f=100 МГц, | H|=2,25, tК=90пс.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача
ZhmurovaUlia
: 20 ноября 2016
150 руб.
Физические основы электроники. Экзаменационная работа. Билет №1.
seka
: 14 сентября 2018
Физические основы электроники.
Экзаменационная работа.
Билет № 1.
1. Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность.
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик.
Вид характеристик и их объяснение.
seka
: 14 сентября 2018
100 руб.
Экзаменационная работа по физическим основам электроники. Билет №16
ртв14
: 9 ноября 2013
1.Устройство и принцип работы МДП – транзисторов с индуцированным
каналом. Схемы включения. Характеристики.
2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.
ртв14
: 9 ноября 2013
Курсовая работа. Физические основы электроники. Вариант 13 и 33
astoria
: 27 ноября 2019
Раздел 1. Полупроводниковые диоды
Вариант No13
Задача 1.
Цепь состоит из последовательно включенного диода и резистора (рис. 1). На ВАХ реального диода (рис. 2 и 3) построить нагрузочную прямую при заданных UВХ и RН. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке.
Задача 2.
Для схемы (рис. 4), для заданных параметров стабилитрона UСТ, IСТ min, IСТ max и тока нагрузки IН определить пределы изменения входного напряжения UВХ min и UВХ max.
Задача 3.
Определить напряжение на варикапе,
astoria
: 27 ноября 2019
300 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Основы компьютерных технологий. Вариант №1
IT-STUDHELP
: 10 апреля 2019
Задание №1
1) Начертить логическую схему по образцу:
Для этого использовать инструмент «Обрамление» на панели «Форматирование текста»:
2)Написать формулу для каждого выхода С, используя логические функции OOCalc (значение сигналов на входе задать самостоятельно):
3) Составить таблицу истинности для этой схемы:
Задание №2
1. Создать таблицу для расчетов по образцу.
2. Скопировать Рисунок 1 на лист.
3. Составить формулы для расчета каждого значения в таблице (используя справочный материал).
IT-STUDHELP
: 10 апреля 2019
480 руб.
Основы теории массового обслуживания. Зачёт. Билет №13
Gila
: 17 января 2019
Билет 13.
1. Классификация случайных процессов в ТМО.
1. СМО с немедленным обслуживанием.
Gila
: 17 января 2019
200 руб.
Теория электрической связи. Лабораторные работы №1-№5. Вариант 06.
пума
: 15 января 2016
1.ИССЛЕДОВАНИЕ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ ДИСКРЕТНЫХ ВИДОВ МОДУЛЯЦИИ.
2.ИССЛЕДОВАНИЕ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ
МЕТОДОВ ПЕРЕДАЧИ И ПРИЕМА
ДИСКРЕТНЫХ СИГНАЛОВ
НА АВТОМАТИЗИРОВАННОМ РАБОЧЕМ МЕСТЕ СПИ
3.ИССЛЕДОВАНИЕ СОГЛАСОВАННОГО ФИЛЬТРА ДИСКРЕТНЫХ СИГНАЛОВ ИЗВЕСТНОЙ ФОРМЫ.
4.Исследование обнаруживающей и исправляющей способности циклических кодов.
5.Исследование эффективности устройств защиты от ошибок в дискретном канале передачи информации
пума
: 15 января 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Студенткааа
: 16 января 2019
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
Студенткааа
: 16 января 2019
100 руб.
