Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”

Цена:
35 руб.

Состав работы

material.view.file_icon D29B50FF-DCF6-4F48-B098-64590E300137.rar [ 233 KB ]
material.view.file_icon КР_СБЗ_Оптоэл.docx [ 4 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).

Таблица 3.
Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, СибГУТИ
Оценена Ваша работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Отлично
Дата оценки: 02.06.2014
Рецензия: Вы правильно выполнили работу

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 14 сентября 2018
400 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 7 августа 2018
450 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 09
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. No варианта: 9 Тип фотоприемника: Фоторезистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Исходные данные. No варианта: 0 Тип ПП материала: Ge
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SibGOODy : 15 июля 2018
400 руб.
promo

Другие работы

Лабораторная работа №1. Схемотехника. Исследование RC-фильтров нижних и верхних частот во временной и частотной областях.
Лабораторная работа №1. Схемотехника. Исследование RC-фильтров нижних и верхних частот во временной и частотной областях. Цель работы. Исследование RC-фильтров нижних и верхних частот во временной и частотной областях. Задачи. В данной лабораторной работе поставлены следующие задачи: 1. Построить компьютерные модели RC-фильтров нижних и верхних частот в среде NI Miltisim; 2. Исследовать реакцию моделей при подаче на их вход различных гармонических сигналов с помощью виртуального осциллографа;
Схемотехника Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ Работа Лабораторная
User DiKey : 3 июля 2022
220 руб.
Лабораторная работа №1. Схемотехника. Исследование RC-фильтров нижних и верхних частот во временной и частотной областях.
Сети связи Лабораторные работы №1-4, 7-й семестр. 13-й вариант
Сети связи Лабораторные работы №1-4, 7 семестр 13 вариант №1. СИСТЕМЫ СИГНАЛИЗАЦИИ ТЕЛЕФОННОЙ СЕТИ ОБЩЕГО ПОЛЬЗОВАНИЯ Задается фрагмент сети и сигнальный код, используемый на участке междугородной или внутризоновой сети. Требуется составить алгоритм установления соединения, используя данный сигнальный код. № варианта 3 2ВСК МТС 1f СЛМ №2. Методы динамического распределения потоков вызовов на сетях электросвязи. Метод рельефов №3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНОЙ НА
СибГУТИ Работа Лабораторная Сети связи
User Dimark : 23 марта 2014
150 руб.
Теория электрических и магнитных полей. Лекции
В лекциях изложены понятие поля, акустическое, электромагнитное поля, энергия, поляризация, тепловые поля, электрическое поле, диполь, волновая зона, рассеяние, дифракция, магнитное поле.
Физика. Физика математическая Лекции
User Aronitue9 : 8 сентября 2011
Совершенствование использования нефтекомплекса, с разработкой установки для очистки моторных масел в схп им. кирова советского района
АННОТАЦИЯ Дипломный проект разработан на тему «Совершенствование использования нефтекомплекса, с разработкой установки для очистки моторных масел в СХП им. Кирова Советского района» Выполнен в объеме 111 страниц пояснительной записки и 9 листов графического материала формат А 1. В дипломном проекте проведен анализ деятельности хозяйства и ис-пользования нефтепродуктов. Освещены вопросы хранения, транспортировки, учета нефтепродуктов, организации нефтехозяйства. Даны рекомендации по предупрежд
******* Не известно Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Рики-Тики-Та : 20 апреля 2017
825 руб.
up Наверх