Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
11.02.2017
-
Размер:
233 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Dctjnkbxyj789
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР_СБЗ_Оптоэл.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Таблица 3.
Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Таблица 3.
Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, СибГУТИ
Оценена Ваша работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Отлично
Дата оценки: 02.06.2014
Рецензия: Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройство оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Отлично
Дата оценки: 02.06.2014
Рецензия: Вы правильно выполнили работу
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
SibGOODy
: 14 сентября 2018
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
SibGOODy
: 7 августа 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ши
SibGOODy
: 7 августа 2018
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 09
SibGOODy
: 15 июля 2018
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
No варианта: 9
Тип фотоприемника: Фоторезистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
SibGOODy
: 15 июля 2018
400 руб.
Другие работы
Клапан МЧ00.52.00.00 Деталирование
Mercedes-Benz200D
: 26 апреля 2018
Задание № 52 из учебника C.К. Боголюбов "Чтение и деталирование сборочных чертежей
Деталирование клапана. Рабочие чертежи 8 деталей:
1. Корпус
2. Крышка
3. Штуцер
4. Фланец
5. Маховичок
6. Шпиндель
7. Втулка
8. Клапан
Сборочный чертеж, спецификация
Открывать с помощью Kompas Viewer Задание № 52 из учебника C.К. Боголюбов "Чтение и деталирование сборочных чертежей
Деталирование клапана. Рабочие чертежи 8 деталей:
1. Корпус
2. Крышка
3. Штуцер
4. Фланец
5. Маховичок
6. Шпиндель
7. Втулка
8. Клапан
Mercedes-Benz200D
: 26 апреля 2018
120 руб.
Разработка математической модели и проведение имитационного моделирования
elementpio
: 25 сентября 2011
Содержание пояснительной записки:
Введение.
Анализ объекта моделирования.
Построение математической модели.
Вывод.
Проведение имитационного моделирования.
Вывод.
Заключение.
Приложение А.
Приложение Б.
Список использованных источников.
elementpio
: 25 сентября 2011
45 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 216
Z24
: 25 сентября 2025
Воздух при температуре t1=20 ºC должен быть охлажден посредством адиабатного расширения до температуры t2=-60 ºC. Конечное давление воздуха при этом должно составлять 0,1 МПа.
Определить начальное давление воздуха p1 и удельную работу расширения l.
Ответ: р1=0,3 МПа, l=57,8 кДж/кг.
Z24
: 25 сентября 2025
150 руб.
ИГ.06.24.02 - Пирамида с вырезами
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 6 августа 2023
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Вариант 24
ИГ.06.24.02 - Пирамида с вырезами
1. По двум видам построить вид слева, горизонтальный, фронтальный и профильный разрезы.
2. Нанести размеры.
3. Построить прямоугольную изометрическую проекцию с четвертью выреза. Отверстия сквозные.
В состав работы входят 4 файла:
- 3D модель данной детали, разрешение файла *.m3d;
- ассоциативный чертеж формата А3 в трёх видах с выполненными горизонтальным, фронтальным и профильным разрезами с совмещением пол
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 6 августа 2023
100 руб.
