Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
20.02.2017
-
Размер:
658 KB
-
Покупок:
13
-
Добавил:
007lena007
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа ФОЭ.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Дополнительная информация
2016 год, СИБГУТИ, работа зачтена
Похожие материалы
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
1. Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
2. Находим h - параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
3.Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэ
Gila
: 17 января 2019
190 руб.
Контрольная работа. Вариант №1. Физические основы электроники
Teuserer
: 24 декабря 2015
Задача №1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего режима) коэффициенты усиления п
Teuserer
: 24 декабря 2015
150 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
Seregos
: 4 января 2010
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Seregos
: 4 января 2010
Контрольная работа: Физические основы электроники
Лесник
: 17 ноября 2009
Биполярный транзистор.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
Лесник
: 17 ноября 2009
70 руб.
Другие работы
Борштанга - 00.14.000 СБ
.Инженер.
: 7 октября 2024
С.К. Боголюбов. Чтение и деталирование сборочных чертежей. Альбом. 1972 г. Задание 14. Борштанга. Деталирование. Сборочный чертеж. Модели.
Для растачивания отверстий цилиндров применяют борштангу с механическим передвижением резцедержателя. Резцедержатель 4 перемещается вдоль борштанги с помощью рычага 7, насаженного на квадратный конец винта 5. Применение борштанги дает возможность использовать повторно ход стола и шпинделя станка.
В состав работы входят:
-Сборочный чертеж
-Спецификация
-Черт
.Инженер.
: 7 октября 2024
600 руб.
Бюджетирование. Вариант №8
ляпина
: 27 ноября 2014
Задание №1 Теоретический блок
Необходимо раскрыть тему своего варианта и составить не менее 5 контрольных вопросов по ней. Объем 5-10 страниц.
"Учет выпуска готовой продукции по синтетическим и аналитическим счетам."
Задание №2 Практический блок
Организация производит две разновидности шкафов для электроаппаратуры, используя в качестве основных материалов сплав А и сплав Б. Учетной политикой предусмотрено применение метода ФИФО. Руководство определило план развития организации на 201Хг(исходные
ляпина
: 27 ноября 2014
150 руб.
Конкурентоспособность продукции в современных условиях бизнеса
evelin
: 8 октября 2013
Введение
Глава 1 Разработка нового продукта
1.1 Структура и понятие продуктового портфеля
1.2 Анализ продуктового портфеля
1.3 Управление конкурентоспособностью продуктового портфеля
Глава 2 Формирование продуктовой программы
2.1 Сущность и виды продуктового планирования
2.2 Процесс продуктового планирования инноваций
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Конкурентоспособность продукции в современных условиях бизнеса приобретает особо важное значение, поскольку многие
evelin
: 8 октября 2013
10 руб.
Политический режим. Типология политических режимов
alfFRED
: 21 февраля 2013
РЕФЕРАТ по ПОЛИТОЛОГИИ ПОЛИТИЧЕСКИЙ РЕЖИМ. ТИПОЛОГИЯ ПОЛИТИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ. СТУДЕНТА 2-го КУРСА ОЧНОГО ОТДЕЛЕНИЯ ОЛЕЙНИКА ИЛЬИ ВАЛЕРЬЕВИЧА ПЕТРОЗАВОДСК 1997 ОГЛАВЛЕНИЕ 1.ВВЕДЕНИЕ 2.ДЕМОКРАТИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ 3.НЕДЕМОКРАТИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ 1. Тоталитаризм 2. Авторитаризм 4.ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 14 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ
ЛИТЕРАТУРЫ 1. ВВЕДЕНИЕ. Я выбрал эту тему потому, что хочу лучше разобраться в процессах, происходящих сегодня в России, так как наша страна находится на стадии перехода от одного политического режи
alfFRED
: 21 февраля 2013
10 руб.
