Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 05
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
Исходные данные (последняя цифра пароля «5»):
Тип БТ: КТ603А;
Напряжение питания: ЕК=60 В;
Сопротивление нагрузки: RН=1200 Ом;
Постоянный ток смещения в цепи базы: IБ0=200 мкА;
Амплитуда переменной составляющей тока базы: IБМ=150 мкА.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Исходные данные (последняя цифра пароля «5»):
Частота: f=100 МГц;
Модуль коэффициента передачи: |H21|=2,5;
Постоянная времени цепи коллектора: тК=80 пс.
Задача 4.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные (предпоследняя цифра пароля «0»):
Тип ПТ: КП903А;
Напряжение сток-исток: UСИ0=18 В;
Напряжение затвор-исток: UЗИ0=8 В.
Список литературы
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
Исходные данные (последняя цифра пароля «5»):
Тип БТ: КТ603А;
Напряжение питания: ЕК=60 В;
Сопротивление нагрузки: RН=1200 Ом;
Постоянный ток смещения в цепи базы: IБ0=200 мкА;
Амплитуда переменной составляющей тока базы: IБМ=150 мкА.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Исходные данные (последняя цифра пароля «5»):
Частота: f=100 МГц;
Модуль коэффициента передачи: |H21|=2,5;
Постоянная времени цепи коллектора: тК=80 пс.
Задача 4.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные (предпоследняя цифра пароля «0»):
Тип ПТ: КП903А;
Напряжение сток-исток: UСИ0=18 В;
Напряжение затвор-исток: UЗИ0=8 В.
Список литературы
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: февраль 2017 г.
Преподаватель: Савиных В.Л.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: февраль 2017 г.
Преподаватель: Савиных В.Л.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 05
ElenaA
: 6 марта 2016
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Исходные данные
Тип транзистора – КТ603А;
Ек = 60 В;
Rн = 1200 Ом;
Iб0 = 200 мкА.
Iбм = 150 мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и
200 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 05.
student90s
: 24 июля 2015
Задача No 1:
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты
70 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3. Вариант 05.
student90s
: 24 июля 2015
«Исследование статических характеристик
полевого транзистора»
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
50 руб.
Другие работы
ГОСТ Р МЭК 60285-2002 Аккумуляторы и батареи щелочные. Аккумуляторы никель-кадмиевые герметичные цилиндрические (взамен ГОСТ 26367.1-93 и ГОСТ Р МЭК 285-97)
Qiwir
: 7 мая 2013
Настоящий стандарт устанавливает технические требования и методы испытаний герметичных никель-кадмиевых цилиндрических аккумуляторов (далее — аккумуляторов), пригодных для работы в любом пространственном положении.
В стандарте также установлены особые технические требования и методы испытаний для аккумуляторов, предназначенных для работы в режиме длительного заряда при повышенной температуре.
Дополнительные главы матемачиского анализа Контрольная работа №2 Вариант №25 Вариант №5
Keeper
: 8 мая 2018
Вариант №5
1. Вычертить область плоскости по данным условиям:
2. Найти все особые точки функции, определить их характер (для полюсов указать порядок) и вычислить вычеты в них.
200 руб.
Резервуар вертикальный стальной РВС-1000 цилиндрический для нефти и нефтепродуктов-Чертеж-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 22 июня 2016
Резервуар вертикальный стальной РВС-1000 цилиндрический для нефти и нефтепродуктов -(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
485 руб.
Развитие инфраструктуры рынка труда в рамках информационного пространства
alfFRED
: 26 февраля 2014
При создании механизмов регулирования рынка труда в России необходимо учитывать накопленный опыт развитых стран, а именно внедрение информационных методов и средств в сферы управления занятостью и мониторинга рынка труда. Опыт развитых стран Европы, на примере Франции, позволяет сделать вывод о том, что в отличие от Российской системы служб занятости, они имеют наиболее развитую инфраструктуру рынка труда. Особенно необходимо отметить развитость информационной подсистемы инфраструктуры, которая
10 руб.