Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №4
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
30.06.2017
-
Размер:
4 MB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Philius
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
092CF1EF-DE1E-4D1B-89BA-ED738DD1A720.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты│Н21│/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Дан биполярный транзистор КТ605А
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты│Н21│/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Дополнительная информация
2016г
Зачет
Зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №4
parovozz
: 23 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Дано:
КТ 605 А
EK = 12В
RН = 240 Ом
IБ0 = 500 мкА
IБМ = 250 мкА
Оценка зачет.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Физические основы электроники». Вариант №4
lebed-e-va
: 30 марта 2015
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
Тип БТ Ек, В Rн, Ом Iбо, мкА Iбм, мкА f, МГц | H| tк, пc
КТ605А 12 240 500 250 20 2,25 240
lebed-e-va
: 30 марта 2015
150 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
MN
: 27 декабря 2013
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
MN
: 27 декабря 2013
100 руб.
Вариант №4. Физические основы электроники
MK
: 14 сентября 2016
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало
MK
: 14 сентября 2016
176 руб.
Вариант №4. Физические основы электроники
MK
: 24 мая 2016
Задача 1: Дан биполярный транзистор КТ605А
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты│Н21│/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам п
MK
: 24 мая 2016
220 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Другие работы
Информатика сегодня
OstVER
: 1 ноября 2012
Содержание
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ОБ ИНФОРМАЦИОННОМ ОБЩЕСТВЕ.. 2
РОЛЬ ИНФОРМАТИЗАЦИИ В РАЗВИТИИ ОБЩЕСТВА.. 2
Роль и значение информационных революций. 2
Об информации, информатизации и защите информации. 6
Глава 4. Информатизация, информационные системы, технологии и средства их обеспечения 6
КАЧЕСТВЕННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ИТ. 7
ТРИ КАЧЕСТВЕННЫХ СКАЧКА В ИТ - ТРИ ВЕЛИКИХ ФЕНОМЕНА.. 8
ЭТАПЫ РАЗВИТИЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.. 8
OstVER
: 1 ноября 2012
5 руб.
Экзамен Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 2)
SOKOLOV
: 2 марта 2025
Экзаменационное задание
1. Построить ИСДП, используя в качестве массива набор из 12 букв своих фамилии, имени, отчества.
2. Построить СДП, используя в качестве массива набор из 12 букв своих фамилии, имени, отчества.
3. Построить АВЛ-дерево, используя набор из 12 букв своих фамилии, имени, отчества.
4. Построить ДБ-дерево, используя набор из 12 букв своих фамилии, имени, отчества.
5. Построить ДОП, используя все буквы своих фамилии, имени, отчества двумя приближенными алгоритмами. Вычислить сред
SOKOLOV
: 2 марта 2025
200 руб.
Реферат: Памятники Москвы
evelin
: 26 августа 2013
ПАМЯТЬ В СЕРДЦЕ РОССИИ
Множество людей - гостей столицы и её жителей ежедневно посещают самую центральную точку Москвы и России -
Красную площадь. И здесь, у собора Василия Блаженного взору открывается величественный памятник двум воинам.
Кому же, за что и кем поставлен этот памятник?
... Около четырёхсот лет назад Москва и почти половина России были захвачены польскими интервентами. Весной 1611г. москвичи восстали против иноземцев. Особенно сильное сопротивление захват
evelin
: 26 августа 2013
5 руб.
Матричный метод расчета надежности. Оптимальное резервирование
Aronitue9
: 20 января 2012
Содержание
Матричный метод расчета надежности 3
Задача 1 5
Оптимальное резервирование 6
Задача 2 8
Классификация методов резервирования систем 11
Список использованной литературы 17
Сущность метода состоит в том, что для определения вероятности безотказной работы ЭВМ от внезапных отказов с учетом последствия отказов составляется матрица всевозможных несовместимых событий х1, х2, ..., хN , вычисляются вероятности всех этих событий, затем суммируются вероятности благоприятных гипотез, при которы
Aronitue9
: 20 января 2012
20 руб.
