Устройства оптоэлектроники. 3-й семестр. Контрольная работа. Вариант 04
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
4 Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А В С Д Е F G
последняя цифра пароля
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
П.1 Справочные данные светодиодов АЛ102
1.Особенности:
Маркируются цветными точками на корпусе: АЛ102А – одна красная; АЛ102Б – две красные; АЛ102Д – две зеленые; ЗЛ102А – одна черная; ЗЛ102Б – две черные; ЗЛ102В – одна белая; ЗЛ102Г – три черные; ЗЛ102Д – две белые точки.
2. Электрические и световые параметры при Токр= 25 С:
Сила света, не менее:
АЛ102А............................................................0,04 мкд
АЛ102Б, ЗЛ102Б.....................................................0,1 мкд
АЛ102В, ЗЛ102Д....................................................0,2 мкд
АЛ102Г, ЗЛ102В...................................................0,25 мкд
АЛ102Д................................................................0,4 мкд
ЗЛ102А...............................................................0,02 мкд
ЗЛ102Г................................................................0,06 мкд
Постоянное прямое напряжение, не более:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102В, АЛ102Г, АЛ102Д, ЗЛ102В.....2,8 В
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...............................3,0 В
Цвет свечения:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...................................................красный
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В......................................зеленый
Максимум спектрального распределения излучения на длине волны:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...................................................0,69 мкм
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В.......................................0,53 мкм
3.Предельные эксплуатационные данные:
Постоянный прямой ток:
при Токр С:
АЛ102А..................................................................10 мА
АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д........................................................20 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В...........................................22 мА
при Токр 7 С:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г...........................................10 мА
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д ................................11 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В..........................................22 мА
Обратное импульсное напряжение................................2 В
Диапазон рабочей температуры окружающей среды.......- 60 + 70 С
4.Основные характеристики:
Зависимость силы све- Спектры излучения све- Вольт-амперная харак-
та в относительных тодтодов: теристика (указаны
единицах от прямого 1-красного, 2-зеленого зона разброса и усред-
тока цвета свечения ненная кривая)
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
4 Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
0 Ge 0,2 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
23 22 21 20 А В С Д Е F G
последняя цифра пароля
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0 АЛ102В 5 510
П.1 Справочные данные светодиодов АЛ102
1.Особенности:
Маркируются цветными точками на корпусе: АЛ102А – одна красная; АЛ102Б – две красные; АЛ102Д – две зеленые; ЗЛ102А – одна черная; ЗЛ102Б – две черные; ЗЛ102В – одна белая; ЗЛ102Г – три черные; ЗЛ102Д – две белые точки.
2. Электрические и световые параметры при Токр= 25 С:
Сила света, не менее:
АЛ102А............................................................0,04 мкд
АЛ102Б, ЗЛ102Б.....................................................0,1 мкд
АЛ102В, ЗЛ102Д....................................................0,2 мкд
АЛ102Г, ЗЛ102В...................................................0,25 мкд
АЛ102Д................................................................0,4 мкд
ЗЛ102А...............................................................0,02 мкд
ЗЛ102Г................................................................0,06 мкд
Постоянное прямое напряжение, не более:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102В, АЛ102Г, АЛ102Д, ЗЛ102В.....2,8 В
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...............................3,0 В
Цвет свечения:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...................................................красный
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В......................................зеленый
Максимум спектрального распределения излучения на длине волны:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...................................................0,69 мкм
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В.......................................0,53 мкм
3.Предельные эксплуатационные данные:
Постоянный прямой ток:
при Токр С:
АЛ102А..................................................................10 мА
АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д........................................................20 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В...........................................22 мА
при Токр 7 С:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г...........................................10 мА
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д ................................11 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В..........................................22 мА
Обратное импульсное напряжение................................2 В
Диапазон рабочей температуры окружающей среды.......- 60 + 70 С
4.Основные характеристики:
Зависимость силы све- Спектры излучения све- Вольт-амперная харак-
та в относительных тодтодов: теристика (указаны
единицах от прямого 1-красного, 2-зеленого зона разброса и усред-
тока цвета свечения ненная кривая)
Дополнительная информация
Сдана в октябре 2017г. Зачтена с незначительными замечаниями. Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 04
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Исходные данные.
No варианта: 4
Тип фотоприемника: Лавинный фотодиод
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No
400 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
PiterBlood
: 28 декабря 2014
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод.
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ.
Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
200 руб.
2-й семестр ДО. «Устройства оптоэлектроники». Контрольная работа. В3
Мария60
: 1 февраля 2019
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2.
100 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
ramzes14
: 15 февраля 2013
Вопросы к зачету:
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Dimark
: 21 января 2013
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр. Контрольная работа. 10-й вариант
NataFka
: 2 сентября 2014
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА
По дисциплине: «Устройства оптоэлектроники»
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Опис
49 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 4-й семестр, 10-й вариант
yans
: 3 октября 2012
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод на основе р-n перехода
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид с
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 16. 3-й семестр.
vindemia
: 3 июня 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант No 6. Составной фототранзистор
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12.
Задача No3
Изоб
200 руб.
Другие работы
Контрольная работа №2 по физике. Вариант №8
Zenkoff
: 23 ноября 2013
1. При включении электромотора в сеть с напряжением U = 220 В он потребляет ток I = 5 А. Определить мощность, потребляемую мотором, и его КПД, если сопротивление R обмотки мотора равно 6 Ом
2. Определить количество теплоты Q, выделившееся за время t = 10 с в проводнике сопротивлением R = 10 Ом, если сила тока в нем, равномерно уменьшаясь, изменилась от I1 = 10 А до I2 = 0.
3. По тонкому кольцу течет ток I=80 А. Определить магнитную индукцию В в точке A, равноудаленной от точек кольца на расстоян
100 руб.
Конспкт лекций по Электрическим машинам (электронный)
Администратор
: 26 февраля 2007
Курс лекций по "Электрическим машинам" (полный)
Санкт - Петербург
2002
Теория информации. Лабораторная работа №5 (без вариантов)
Багдат
: 18 июня 2016
Почти оптимальное кодирование
Цель работы: Изучение метода почти оптимального кодирования Шеннона.
Среда программирования: любая с С-подобным языком программирования.
Результат: программа, тестовые примеры, отчет.
1. Запрограммировать процедуру двоичного кодирования текстового файла методом Шеннона. Текстовые файлы использовать те же, что и в лабораторной работе №1-4. Для художественных текстов (русский или английский языки) предполагается, что строчные и заглавные символы не отличаются,
45 руб.
Разработка узла компаратора регулятора напряжения
VikkiROY
: 6 декабря 2012
Содержание
Введение
1. Разработка структурной схемы
2 Разработка принципиальной электрической схемы
3 Разработка топологии
Заключение
Список использованных источников
Приложение А
Введение
Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является
5 руб.