Устройства оптоэлектроники. 3-й семестр. Контрольная работа. Вариант 04

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Устройства оптоэлектроники КР вариант 04 - зачтено.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
4  Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность,  Ширина запрещен-ной зоны W, эВ
0 Ge  0,2  0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Таблица 3. Входной двоичный код и состояния выходов дешифратора.
Номер варианта Входной код Состояние выходов дешифратора
 23 22 21 20 А  В  С  Д  Е  F  G
последняя цифра пароля                      
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи No4
No варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
0  АЛ102В 5 510

П.1 Справочные данные светодиодов АЛ102
1.Особенности:
Маркируются цветными точками на корпусе: АЛ102А – одна красная; АЛ102Б – две красные; АЛ102Д – две зеленые; ЗЛ102А – одна черная; ЗЛ102Б – две черные; ЗЛ102В – одна белая; ЗЛ102Г – три черные; ЗЛ102Д – две белые точки.
2. Электрические и световые параметры при Токр= 25 С:
Сила света, не менее:
АЛ102А............................................................0,04 мкд
АЛ102Б, ЗЛ102Б.....................................................0,1 мкд
АЛ102В, ЗЛ102Д....................................................0,2 мкд
АЛ102Г, ЗЛ102В...................................................0,25 мкд
АЛ102Д................................................................0,4 мкд
ЗЛ102А...............................................................0,02 мкд
ЗЛ102Г................................................................0,06 мкд
Постоянное прямое напряжение, не более:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102В, АЛ102Г, АЛ102Д, ЗЛ102В.....2,8 В
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...............................3,0 В
Цвет свечения:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...................................................красный
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В......................................зеленый
Максимум спектрального распределения излучения на длине волны:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д...................................................0,69 мкм
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В.......................................0,53 мкм
3.Предельные эксплуатационные данные:
Постоянный прямой ток:
при Токр   С:
АЛ102А..................................................................10 мА
АЛ102Б, АЛ102Г, ЗЛ102А, ЗЛ102Б,
ЗЛ102Г, ЗЛ102Д........................................................20 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В...........................................22 мА
при Токр 7 С:
АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г...........................................10 мА
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, ЗЛ102Д ................................11 мА
АЛ102В, ЗЛ102Д, ЗЛ102В..........................................22 мА
Обратное импульсное напряжение................................2 В
Диапазон рабочей температуры окружающей среды.......- 60 + 70 С

4.Основные характеристики:
Зависимость силы све- Спектры излучения све- Вольт-амперная харак-
та в относительных тодтодов: теристика (указаны
единицах от прямого 1-красного, 2-зеленого зона разброса и усред-
тока цвета свечения ненная кривая)

Дополнительная информация

Сдана в октябре 2017г. Зачтена с незначительными замечаниями. Игнатов А.Н.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 04
Задача No1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Исходные данные. No варианта: 4 Тип фотоприемника: Лавинный фотодиод Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2. Исходные данные. No
User Учеба "Под ключ" : 18 марта 2017
400 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод. Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Исходные данные для решения задачи: Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ. Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
User PiterBlood : 28 декабря 2014
200 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
2-й семестр ДО. «Устройства оптоэлектроники». Контрольная работа. В3
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 3 Фотодиод с гетероструктурой Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Таблица 2.
User Мария60 : 1 февраля 2019
100 руб.
Экзамен по устройству оптоэлектронике. 4-й семестр
Вопросы к зачету: 1.Система обозначений оптоэлектронных приборов. 2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода. 3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника. 4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
User ramzes14 : 15 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачет. 4-й семестр
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Световые параметры. Раздел Излучатели. 2.Принцип действия и условия работы лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.ПЗС фотоприемник. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
User Dimark : 21 января 2013
Устройства оптоэлектроники. 4-й семестр. Контрольная работа. 10-й вариант
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА По дисциплине: «Устройства оптоэлектроники» Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Опис
User NataFka : 2 сентября 2014
49 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. 4-й семестр, 10-й вариант
Номер варианта для решения первой и третьей задачи должен соответствовать последней цифре пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре пароля. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод на основе р-n перехода Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид с
User yans : 3 октября 2012
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 16. 3-й семестр.
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант No 6. Составной фототранзистор Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Вариант No 1. Тип ПП материала – Si. Квантовая эффективность, n – 0,7. Ширина запрещенной зоны Δ W, эВ – 1,12. Задача No3 Изоб
User vindemia : 3 июня 2015
200 руб.
Контрольная работа №2 по физике. Вариант №8
1. При включении электромотора в сеть с напряжением U = 220 В он потребляет ток I = 5 А. Определить мощность, потребляемую мотором, и его КПД, если сопротивление R обмотки мотора равно 6 Ом 2. Определить количество теплоты Q, выделившееся за время t = 10 с в проводнике сопротивлением R = 10 Ом, если сила тока в нем, равномерно уменьшаясь, изменилась от I1 = 10 А до I2 = 0. 3. По тонкому кольцу течет ток I=80 А. Определить магнитную индукцию В в точке A, равноудаленной от точек кольца на расстоян
User Zenkoff : 23 ноября 2013
100 руб.
Теория информации. Лабораторная работа №5 (без вариантов)
Почти оптимальное кодирование Цель работы: Изучение метода почти оптимального кодирования Шеннона. Среда программирования: любая с С-подобным языком программирования. Результат: программа, тестовые примеры, отчет. 1. Запрограммировать процедуру двоичного кодирования текстового файла методом Шеннона. Текстовые файлы использовать те же, что и в лабораторной работе №1-4. Для художественных текстов (русский или английский языки) предполагается, что строчные и заглавные символы не отличаются,
User Багдат : 18 июня 2016
45 руб.
Теория информации. Лабораторная работа №5 (без вариантов)
Разработка узла компаратора регулятора напряжения
Содержание Введение 1. Разработка структурной схемы 2 Разработка принципиальной электрической схемы 3 Разработка топологии Заключение Список использованных источников Приложение А Введение Основной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции. Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии проектирования. Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является
User VikkiROY : 6 декабря 2012
5 руб.
up Наверх