Экзамен . Электроника

Цена:
110 руб.

Состав работы

material.view.file_icon A701C2D6-E0BC-4C26-B620-67EBBFD00CA2.rar [821 KB]
material.view.file_icon экзамен электроника.docx [850 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 25.11.2017


Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике

Другие работы

Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 3 Вариант 66
Провести термодинамический расчет поршневого двигателя, работающего по циклу Дизеля, если начальный удельный объем газа υ1; степень сжатия ε=υ1/υ2; начальная температура сжатия t1; количество тепла, подводимое в цикле q1. Определить параметры состояния в крайних точках цикла. Энтальпию (h), внутреннюю энергию (u) определить относительно состояния газа при T0=0 K, энтропию (s) — относительно состояния при условиях T0=273 K, р=0,1 МПа. Построить цикл в рυ- и Ts-координатах. Для каждого процесса оп
Задачи Теплотехника
User Z24 : 9 января 2026
500 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 3 Вариант 66
Основы передачи дискретных сообщений. Лабораторная работа № 1. Вариант № 23. 6-й семестр.
Тема: Метод Хаффмена Цель работы Изучение принципа эффективного кодирования источника дискретных сообщений. 1. Результаты выполнения домашнего задания Вероятности появления сообщений алфавита: Сообщения Вероятность a1 0,04 a2 0,17 a3 0,14 a4 0,26 a5 0,10 a6 0,11 a7 0,18
Основы передачи дискретных сообщений СибГУТИ Работа Лабораторная
User skaser : 9 апреля 2012
80 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Системное программное обеспечение. Вариант №9
Вариант №9 Лабораторная работа 1 Вычисление арифметических выражений Цель работы: Научиться использовать арифметические команды языка ассемблера. Порядок выполнения работы: 1. В Far Manager создадим файл lab1.asm. 1. В файле lab1.asm наберем программу, которая вычисляет выражение 2 - В (А + В) + С / 4 и результат заносит в регистр BХ. Строки программы прокомментированы. 3. Выполним отладку программу. Проверим значение регистра BХ перед выходом из программы с помощью отладчика Turbo Debugger:
СибГУТИ Системное программное обеспечение Работа Лабораторная
User IT-STUDHELP : 23 декабря 2022
480 руб.
promo
Шпаргалки по дисциплине: Управление производством
Сущность, виды, задачи управления производством (УП). Менеджмент и управление, соотношение понятий. Основные свойства современных организаций. Производств. системы. Различия м/ду процессом произв и услуг. Сущность услуг. Экономические методы управления (ЭМУ). Типы производства. Метод «бережливое производство +6 сигм» Инновации в управлении производством. Роль и место системы управления производ. в системе управления предприятием Структура и содержание системы управления производством Менеджер и
Менеджмент Шпаргалки
User evelin : 9 мая 2013
30 руб.
up Наверх