Экзамен . Электроника
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 25.11.2017
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 25.11.2017
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
500 руб.
Электроника. Экзамен.
banderas0876
: 15 марта 2020
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и
200 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Gila
: 17 января 2019
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
250 руб.
Электроника. Экзамен.
seka
: 11 ноября 2018
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики..
Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
63 руб.
Экзамен по электронике
ZhmurovaUlia
: 11 июня 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по
140 руб.
Другие работы
Термодинамика и теплопередача ТЕХНИЧЕСКАЯ ТЕРМОДИНАМИКА ИрГУПС 2015 Задача 10 Вариант 2
Z24
: 3 декабря 2025
Определить степень сжатия, давление и температуру в переходных точках идеального цикла поршневого двигателя внутреннего сгорания с подводом теплоты при постоянном объеме, а также термический КПД, удельные значения (на 1 кг рабочего тела) полезной работы, подведенной и отведенной теплоты, если известно, что абсолютное давление рабочего тела в начале сжатия р1=95 кПа, а в конце сжатия — р2. Отношение давлений рабочего тела в процессе подведения теплоты λ. Температура в начале процесса сжатия t1=47
200 руб.
Приспособление для установки втулки цилиндровой при хонинговании рабочей поверхности
kuks
: 7 января 2009
Технология восстановления зеркала втулки цилиндровой методом плазменного напыления с последующей механической обработкой. Разрабтка приспособления для хонингования
Введение 2
1 Аналитическая часть 3
Анализ чертежа и технических условий 3
Конструкторско-технологический анализ 4
Таблица 1.4 - Состав самофлюсующегося порошкового сплава 5
1.3 Назначение и условия работы детали 5
1.4 Анализ эксплуатационных износов 6
1.5 Анализ условий производства и определение его типа 6
2 Технологическая часть 8
Резьбовое соединение. Задание 74 - Вариант 6
.Инженер.
: 4 октября 2025
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Резьбовое соединение. Задание 74 - Вариант 6
Вид спереди заменить фронтальным разрезом. При выполнении задания допустимо соединить половину разреза с половиной вида.
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модели.
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
100 руб.
Пути снижения затрат на предприятии
evelin
: 14 ноября 2013
Аннотация
Данный дипломный проект на тему “Пути снижения затрат на предприятии” состоит из четырех глав.
В первой главе дана краткая характеристика предприятия - рассмотрены его история, современное состояние, положение на рынке, проведен анализ его финансово-хозяйственной деятельности.
Во второй главе проведен анализ существующей системы затрат на предприятии – проанализированы материальные затраты, затраты на оплату труда и ЕСН, анализ амортизационных отчислений, прочих затрат, рассмотрена
10 руб.