Электроника. Экзаменационная работа. Оценка отлично.

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 60641E4D-21C9-4200-A2FA-6A04EEE23C84.rar [ 226 KB ]
material.view.file_icon Экзамен_Электроника_отлично.doc [ 785 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы:
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Экзаменационная работа сделана индивидуально на заказ

Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: май 2017
Рецензия:Уважаемый ....Вы правильно ответили на вопросы

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
Электротехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Багдат : 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User aleks797 : 20 января 2013
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.

Другие работы

Теория электрической связи. Вариант №15
Вриант No15 Способ модуляции -ДФМ, Способ приема -для не четных вариантов не когерентный прием Мощность сигнала на входе демодулятора приемника Рс=2,2мВт. Длительность элементарной посылки Т=6,0 мкс. Помеха-белый шум с гауссовским законом распределения. Спектральная плотность мощности помехиN0= 0,001 мкВт/Гц. Вероятность передачи сигнала "1" p(1) = 0,7 Число уровней квантования N=256.
******* Не известно Работа Курсовая Теория электрической связи
User bartelby : 18 ноября 2013
300 руб.
Разработка печатной платы ключевой транзисторной ячейки
РЕФЕРАТ. 2 СОДЕРЖАНИЕ. 3 Вступ. 4 І. Анализ технического задания. 5 ІІ. Поиск и создание базы данных библиотек элементов. 6 2.1 Поиск элементов в базе данных пакета ORCAD.. 6 2.2 Создание отсутствующих библиотечных элементов. 6 ІІІ. Создание принципиальной электрической схемы в схемном редакторе DRAFT. ЕХЕ. 10 IV. Создание файла ошибок. 12 V. Создание файла связей. 14 VI. Выбор и расчёт типоразмера печатной платы.. 24 VII. Разработка печатной платы.. 26 VIII. Подготовка и печать документов. 28 З
Организация и планирование производства Работа
User alfFRED : 15 февраля 2014
10 руб.
Математический анализ (часть 2). Экзамен, сдана в 2017 г. Билет 6.
Подробное задание смотрите на скриншоте! 1. Приложения тройного интеграла: объем, масса тела. 2. Найти градиент функции в точке 3. Изменить порядок интегрирования. Область интегрирования изобразить на чертеже. 4. Исследуйте ряд на абсолютную сходимость 5. Данную функцию разложить в ряд Тейлора по степеням х: 6. Решить уравнение 7. Найти частное решение дифференциального уравнения при данных начальных условиях
Математический анализ СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Александр574 : 13 декабря 2017
360 руб.
Математический анализ (часть 2). Экзамен, сдана в 2017 г. Билет 6.
Архитектура вычислительных систем. Вариант №1
Глава 1. Способы организации и типы ВС Вопросы: 1.1. Какие бывают виды внешних устройств ВС? 1.2. Какие требования к ВС предъявляют задачи обработки и хранения данных? Задачи: 1.1. Система управления автомобильным движением, служащая для управления группой светофоров на перекрестках некоторого района города и позволяющая в реальном времени менять интервалы переключения светофоров в зависимости от данных о числе проходящих по разным направлениям машин, которые поступают от датчиков Глава 2.
ДО СИБГУТИ Работа Контрольная Архитектура вычислительных систем
User JustTomaS : 5 марта 2019
110 руб.
up Наверх