Электроника. Экзаменационная работа. Оценка отлично.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы:
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Экзаменационная работа сделана индивидуально на заказ
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: май 2017
Рецензия:Уважаемый ....Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: май 2017
Рецензия:Уважаемый ....Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
Багдат
: 18 июня 2016
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные х
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
Teuserer
: 18 декабря 2015
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
aleks797
: 20 января 2013
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
170 руб.
Другие работы
Совершенствование качества кузовного ремонта в ИП «Алексеев С.Б»
Hobbit
: 24 марта 2016
Пояснительная записка включает в себя семь основных разделов:
В первом разделе рассматривается анализ состояния вопроса и обоснование проекта.
Во втором разделе рассматривается обоснование технологических решений по реконструкции, расчет производственных площадей, количества постов и автомобиле-мест, выбор и расчет потребного количества технологического оборудования для кузовного участка, а также расчет численности основных и вспомогательных рабочих.
В третьем разделе рассматривается описание пл
500 руб.
Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 2.24 Вариант в
Z24
: 4 октября 2025
Квадратное отверстие со стороной а в вертикальной плоской стенке закрытого резервуара с водой перекрывается плоским щитом при помощи устройства с шарниром А (рис. 2.24). Щит прижимается к стенке грузом G на расстоянии b от шарнира А.
Найти величину силы тяжести G для удержания щита в закрытом положении, если глубина воды на уровне нижней кромки отверстия Н. Верхняя кромка отверстия находится на расстоянии h от шарнира А. Абсолютное давление на поверхности рабс.
200 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 1.4 Вариант 9
Z24
: 23 октября 2025
Сварной цилиндрический резервуар с двумя полусферическими днищами полностью заполнен жидкостью. С помощью насоса в нем создано избыточное давление в верхней точке ризб.
Найти:
а) горизонтальную силу, отрывающую днище от цилиндрической части резервуара;
б) горизонтальную силу, отрывающую левую половину резервуара от правой (см. сеч. А-А);
150 руб.
Макроэкономическая нестабильность: цикличность развития рыночной экономики
evelin
: 31 октября 2012
Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1. Экономический цикл . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1. Определение цикла . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2. Классификация и периодичность циклов . . . . . . . . . . . . . . . . .18
1.3. Теории экономических циклов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2. Макроэкономичес
15 руб.