50

Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). 19-й вариант. Вид работы: Лабораторная работа 1«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»

ID: 188467
Дата закачки: 03 Февраля 2018
Продавец: Yekaterina (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Лабораторная работа №1
“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
2. Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
• цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления;
• построение и использование нагрузочных прямых резисторного каскада для постоянного и переменного токов на семействе выходных статических характеристик;
• свойства и особенности каскадов предварительного усиления;
• назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада;
• амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) резисторного каскада;
• переходные характеристики резисторного каскада;
• эквивалентные схемы и линейные искажения в резисторном каскаде; расчетные соотношения для резисторного каскада.
2.2. Изучить принципиальную схему усилителя (рисунок 12), особенности работы с программой Electronics workbench.
2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя:
• Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада.
• Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4.
• Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами.
• Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада:
tуст = 2,2× Сн× Rэв вых, (2.1)
где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот.
• Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен:
D общ = D Ср вх + D Ср вых , (2.2)
Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.


Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.01.2018
Рецензия:Уважаемая ,

Бородихин Михаил Григорьевич

Размер файла: 396,9 Кбайт
Фаил: (.rar)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

Скачать

Добавить в корзину

Занесено в корзину

    Скачано: 3         Коментариев: 0

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Схемотехника телекоммуникационных устройств
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.