Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.

ЛР№1
Цель работы.

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Подготовка к работе.

1. Изучить следующие вопросы курса:
2. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
3. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
4. Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
5. Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
6. Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.


Порядок проведения лабораторной работы.
1. Снятие вольтамперной характеристики при прямом включении германиевого диода марки Д7Ж (рисунок 1.1). Результаты сведены в таблицу 1.1а.
Таблица 1.1а - Диод D7Ж
UПР, В 0 0,254 0,310 0,345 0,371 0,391 0,406 0,422 0,437
IПР, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8
По ВАХ D7Ж рассчитываем и заносим результаты в таблицу 1.3:

ЛР№2
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.

Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.

Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 1а, рис. 1б.
Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В . Результаты измерений занести в таблицу 1.
Снять три выходные характеристики транзистора IК = f(UКБ). Первую для IЭ = 0, вторую для IЭ = 2 мАи третью для IЭ = 5 мА . Результаты измерений занести в таблицу 2.
ЛР№3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Порядок проведения лабораторной работы.
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1.

Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).


UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604
IС,мА 0,64 0,54 0,42 0,30 0,20 0,10 0,05 0,03 0,02 0,01 0,01

По графику передаточной характеристики определяем значение напряжения отсечки UЗИ0=-0,457В (значение напряжения на затворе, при котором ток стока IC снизился до 0,1мкА)

Снятая с осциллографа передаточная вольтамперная характеристика представлена на рисунке 3.2.

Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет