Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 06
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 6
Тип фотоприемника: Составной фототранзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Последняя цифра пароля: 6
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номина ограничительного сопротивления, Ом: 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 6
Тип фотоприемника: Составной фототранзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Последняя цифра пароля: 6
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Предпоследняя цифра пароля: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номина ограничительного сопротивления, Ом: 510
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: декабрь 2017 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: декабрь 2017 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники Вариант 06
vladimir2050
: 5 января 2018
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
190 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант:06
radist24
: 26 февраля 2012
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.(Составной фототранзистор)
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.(Ge)
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. У
50 руб.
Зачет: «Устройства оптоэлектроники». Вариант 06
radist24
: 6 декабря 2012
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Классификация оптоэлектронных приборов и устройств.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фоторезистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
90 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Другие работы
СИБГУТИ. Основы обработки данных. Лабораторная работа №1.
CameronCarmona
: 7 февраля 2023
Цель работы
Обработка экспериментальных данных при измерении вольт-амперной характеристики полупроводникового диода для нахождения теоретической кривой, наилучшим образом приближенной к экспериментальной.
Расчетные формулы
Обработка экспериментальных данных при измерении вольт-амперной характеристики полупроводниковых диодов обычно сводится к нахождению теоретической кривой, которая должна наилучшим образом приближаться к экспериментальной. Наиболее распространенным методом для решения этой зад
300 руб.
Оптимизация сетевого графика
Elfa254
: 24 марта 2013
Оптимизация сетевой модели
Построение сетевого графика
Анализ сетевого графика
Оптимизация сетевого графика
Планирование поставки товаров оптовым покупателям
Построение сетевого графика
Первый этап оптимизации
Второй этап оптимизации
Третий этап оптимизации
Задание:
Провести оптимизацию сетевой модели. Для этого:
сформировать таблицу работ, содержащую перечень работ, наименование работ, коэффициенты пересчёта, исходные продолжительности работ;
построить сетевой график, определить критический пу
10 руб.
Пластина. Вариант 8
lepris
: 16 августа 2022
Пластина. Вариант 8
Перечерить пластину, определяя размеры по клеткам. сторона клетки 5 мм. Проставить размеры.
Чертеж выполнен на формате А4 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) сделано и открываются в компасе v13, компас v14, компас v15, компас v16, компас v17, компас v18, компас v19, компас v20, компас v21, компас v22 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
Просьба п
100 руб.
Термодинамика и теплопередача. Основы теплопередачи ОмГУПС Задача 17 Вариант 1
Z24
: 14 февраля 2026
Определить требуемую площадь поверхности нагрева рекуперативного теплообменника при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей для подогрева воды в количестве G2 = 1,3 кг/с от начальной температуры tʹ2 = 15ºC до tʺ2. В качестве греющего теплоносителя используется газ, начальная и конечная температуры которого соответственно tʹ1 и tʺ1. Коэффициент теплопередачи k = 40 Вт/(м²·К). Привести графики изменения температур теплоносителей для прямотока и противотока.
200 руб.