Физические основы электроники. Контрольная работа. СибГУТИ. Вариант 04
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
22.03.2018
-
Размер:
842 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Tanya1
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Вариант_04.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12В, сопротивление нагрузки RН =240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 500мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 250мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дан полевой транзистор КП903К, напряжение сток-исток
UСИ0 = 18 В, UЗИ0 = 8 В.
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12В, сопротивление нагрузки RН =240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 500мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 250мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дан полевой транзистор КП903К, напряжение сток-исток
UСИ0 = 18 В, UЗИ0 = 8 В.
Дополнительная информация
2017, без замечаний
Похожие материалы
Физические основы электроники. Вариант 04. Контрольная работа.
Aleksey23
: 18 августа 2020
Изучение дисциплины “Физические основы электроники” ставит следующие цели: получение знаний по физическим основам полупроводниковых материалов, изучении процессов, происходящих при контакте полупроводников различной проводимости, изучении процессов происходящих в различных электронных приборах, их характеристики и параметры, приобретение умений расчета их основных параметров по характеристикам.
Aleksey23
: 18 августа 2020
130 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 04
sprut89
: 16 сентября 2019
Дано: транзистор КТ315А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 350 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 150 мкА .
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения . На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК.
sprut89
: 16 сентября 2019
300 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 04
aleks797
: 17 декабря 2011
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э:
На входных характеристиках (рис.2.1) задаемся приращением тока базы
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты│Н21│/
aleks797
: 17 декабря 2011
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 04
SibGOODy
: 15 июля 2018
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
SibGOODy
: 15 июля 2018
600 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. вариант 01, сибгути
Yulya0709
: 8 декабря 2014
ЗАДАЧА 1(С 1ПО 3-ВАРИАНТ 1)
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
ЗАДАЧА 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента переда
Yulya0709
: 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. 2-й семестр. Контрольная работа. Вариант №04
Ирина16
: 28 марта 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
Ирина16
: 28 марта 2017
100 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). 20 вариант СибГУТИ
bioclown
: 5 октября 2011
Имеются Оригиналы графиков, построенные в "Компас 3D", что позволяет переделать работу под себя. Зачет получен без замечаний и исправлений.
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 750 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (р
bioclown
: 5 октября 2011
70 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии. Вариант №7
mikhailmikhnyuk
: 31 марта 2014
1. Цель работы
Изучение свойств логических элементов «И–НЕ»; приобретение навыков синтеза логических схем.
2. Подготовка к работе
2.1. Изучить основные логические функции и их условное обозначение,способы представления логических функций, основные правила выполнения логических операций, функционально полные системы логических элементов.
2.2. Синтезировать логические выражения, реализующие в базисе И – НЕ следующие логические функции: НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ – НЕ, И – НЕ, И – ИЛИ – НЕ, неравнозначнос
mikhailmikhnyuk
: 31 марта 2014
50 руб.
Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели. Задание 35 - Вариант 23
.Инженер.
: 2 ноября 2025
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели (построить три проекции и нанести размеры). Задание 35 - Вариант 23
В состав работы входит:
Чертежи;
3D модели.
Выполнено в программе Компас + чертежи в PDF.
.Инженер.
: 2 ноября 2025
150 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Проектирование информационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 30 апреля 2021
Вариант № 3
Лабораторная работа №1 – Обследование предметной области
1. Провести детальный анализ работы заданного объекта информатизации (ОИ) и описать процесс его функционирования.
2. Выделить функциональные подсистемы в рамках заданного объекта информатизации (бухгалтерия, склад, торговый зал, др. отделы и структурные подразделения, выделенные по функциональному признаку) и перечислить возложенные на них задачи.. Результаты описания представить в виде таблицы 1.1.
3. Выделить и описать мн
IT-STUDHELP
: 30 апреля 2021
900 руб.
Задача по физике (развернутое решение в Word)
Григорий12
: 3 марта 2017
Ракета запускается на полюсе Земли строго по вертикали с первой космической скоростью. На какое расстояние от поверхности земли удалится ракета?
Григорий12
: 3 марта 2017
50 руб.
