Физические основы электроники, Контрольная работа, Вариант 02.

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon КР ФОЭ.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.05.2018
Физические основы электроники, Контрольная работа, Вариант 02
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 02
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
User astebor : 1 марта 2010
100 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №02. Контрольная работа и Лабораторная работа №№1,2,3.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3. Контрольная работа Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие
User glebova95 : 21 апреля 2020
75 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
User Seregos : 4 января 2010
Физические основы электроники. Контрольная работа
Технологический процесс обработки детали барабан (курсовая работа)
Курсовая работа по технологии машиностроения содержит в себе 4-ре чертежа А1 и пояснительную записку А4 на тему разработки технологического процесса обработки детали барабан в условиях мелкосерийного производства . В приложении к ПЗ содержится маршрутные и операционные карты технологического процесса . На чертежах формата А1 представлены чертеж детали и заготовки , чертеж схем наладок, чертеж установочно зажимного приспособления и спецификация к нему, чертеж режущего инструмента , чертеж контро
User diplomnikv : 6 июня 2018
200 руб.
Технологический процесс обработки детали барабан (курсовая работа)
Основы построения инфокоммуникационных систем и сетей. Билет №12.
1. Относительная фазовая модуляция. Формирование ОФМ-сигнала. Когерентный и не когерентный прием. Многопозиционная и амплитудно-фазовая модуляции. 2. Среды передачи, используемые в компьютерных сетях. Их характеристики и возможности. 3. За время испытаний 2 часа, при скорости модуляции 600 бод было ошибочно принято 10 единичных элементов. Все элементы сгруппированы в кодовые комбинации по 8 элементов. Определить коэффициенты ошибок по единичным элементам и кодовым комбинациям.
User SirFreeze : 15 апреля 2016
150 руб.
Безграничность потребностей и ограниченность экономических ресурсов
Введение ……………………………………………………………………….1 1.Безграничные потребности общества. Виды потребностей. ……………3 1.1. Благо. Классификация благ………………………………………………4 1.2 Экономические ресурсы и их ограниченность…………………………..6 2.Экономический выбор. Кривая производственных возможностей ……...8 2.1 Кривая производственных возможностей национального хозяйства….8 2.2 Вмененные издержки……………………………………………………..10 2.3 Закон возрастания вмененных издержек………………………………...11 3. Основные экономическ
User larin1986 : 1 марта 2012
Экзамен по химии радиоматериалов. 1-й сем, 2013, вар. №6
Подвижность носителей тока является одним из важных параметров полупроводника. Она определяет величину электропроводности, свойства полупроводниковых приборов, такие, как инерционность, частотные характеристики и др. Движение электронов и дырок в условиях действия на них электрического напряжения может быть охарактеризовано скоростями их при данной напряженности электрического поля Е в полупроводнике. Скорость, с которой электроны или дырки перемещаются под действием электрического поля, характе
User DmitrTolmach : 5 ноября 2014
150 руб.
up Наверх