Физические основы электроники. Лабораторная работа №1-3. Вариант № 2

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 85369E03-A57C-4F81-824F-5D720E30F99D.rar [ 668 KB ]
material.view.file_icon Л.Р.1.doc [ 391 KB ]
material.view.file_icon Л.Р.2.doc [ 533 KB ]
material.view.file_icon Л.Р.3.doc [ 255 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 1: Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3: ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

2017 год, Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики. Преподаватель - Савиных Валерий Леонидович. Оценка зачёт

Похожие материалы

Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.

Другие работы

Особливості управління металургійними підприємствами у процесі їх реструктуризації
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність теми. В сучасному економічному середовищі конкуренція усе більше стає боротьбою не ресурсів, а стратегій підприємств та методів їх реалізації. Інвестиції підприємствами все частіше направляються на забезпечення своїх динамічних здібностей. Усе більшу роль відіграють такі властивості підприємств як інноваційний потенціал, здатність породжувати більш ефективні стратегії і забезпечувати свій постійний розвиток, обновлюючи структуру і ключові виробничі пр
Работа Экономика
User alfFRED : 2 ноября 2013
10 руб.
Технология изготовления детали "Вал Раздаточный"
Содержание Введение 3 1 Технологическая часть 6 1.1 Служебное назначение и конструкция детали 6 1.2 Анализ технологичности конструкции детали 10 1.3 Выбор метода получения исходной заготовки 11 1.4 Определение типа и организационной формы производства 20 1.5 Выбор и обоснование варианта маршрутного технологического процесса 23 1.5.1 Разработка технологического маршрута 23 1.5.2 Назначение технологических баз 24 1.5.3 Выбор оборудования и технологической оснастки 25 1.6 Расчет припусков на механи
******* Не известно Диплом и связанное с ним Технология машиностроения
User creed : 16 февраля 2012
2850 руб.
Проекционная задача НГТУ. Вариант 1
Задача 1. По предложенным изображениям построить три вида детали, выполнить необходимые разрезы (ГОСТ2.305), проставить размеры (ГОСТ2.307). Выполнить аксонометрическое изображение детали с четвертным вырезом. чертеж и 3д модель компасе 21 + дополнительно сохранены в компас 11 и в джпг Файлы компаса можно просматривать и сохранять в нужный формат бесплатной программой КОМПАС-3D Viewer.
НГТУ Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User Laguz : 6 марта 2025
160 руб.
Проекционная задача НГТУ. Вариант 1
Совершенствование процесса принятия управленческих решений с точки зрения экономии времени
Вряд ли кто-то будет спорить с утверждением, что планирование есть основной и важнейший процесс управления. Принятие решений же является в свою очередь основой планирования. Нельзя сказать, что план существует, если не было принято решение. Отсюда вытекает суждение, что процесс принятия решения должен иметь для организации ту же значимость, что и само планирование. Если обратиться к словарю, то можно прочесть, что решение – это "акт выработки окончательного суждения". Применительно к управленче
Менеджмент Работа
User evelin : 23 октября 2013
5 руб.
up Наверх