Физические основы электроники, Вариант для всех один, Лабараторные работы № 1, 2, 3.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.05.2018
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.05.2018
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабараторная работа №1, №2, №3. вариант 4
Leprous
: 22 сентября 2015
Все лабораторные по физическим основам электроники
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа № 2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ).
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
900 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. 6 вариант.
Ирина47
: 2 мая 2015
Тема: “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на бипо-лярном транзисторе”
1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабили-зацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные харак-теристики).
2. Содержание отчета
1. Принципиальная схема исследуемого каскада.
2. Результаты расчета.
3. Графики амплитудно-частотных характеристик.
4. Осциллограммы выходного импульсного сигнала, данные измерений
переходных искажений.
100 руб.
Контрольная работа "Исследование структурной надёжности сети" ВАРИАНТ 06
Боря0511
: 11 марта 2022
Контрольная работа
"Исследование структурной надёжности сети"
Вариант 06
Задача No1
Провести анализ сети, структура которой представлена на рис. 1:
а) построить дерево всех возможных простых путей от узла коммутации УКi ко всем другим узлам сети, используя графический способ. Номер узла i взять из таблицы 1 в соответствии с номером варианта задания;
б) выделить пути ранга r не более трех в дереве путей для заданной в таблице 1 пары узлов УКi и УКj;
в) найти структурную матрицу сети;
г) исполь
700 руб.
Основы информационной безопасности в телекоммуникациях
Kurmet
: 13 марта 2018
Федеральное агентство связи
Российской Федерации
ФГОБУ ВПО «Сибирский Государственный Университет
Телекоммуникаций и Информатики»
Кафедра Б и УТ
Утверждаю
Зав. кафедрой
Билет № 13
Факультет ДО Курс - Семестр -
Дисциплина Информационная безопасность
1. Информационная безопасность в сфере государственного и муниципального управления.
Основные положения правового обеспечения защиты информации приве
400 руб.
Особенности эволюции денежной системы и проведения денежных реформ в России
GnobYTEL
: 26 октября 2013
После революции и Гражданской войны экономика России находилась в глубоком финансовом кризисе; произошел развал хозяйства и денежной системы страны. В начале 20-х годов доходы от государственных предприятий покрывали лишь 14,4% расходов бюджета, остальные расходы финансировались за счет эмиссии бумажных денег. В стране раскручивалась гиперинфляция, ежедневный рост цен составлял 1,5—2,0%. Положение осложнялось тем, что в России не было единой денежной системы. В денежном обращении находилось боле
15 руб.