Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
25.07.2018
-
Размер:
430 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
xadmin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
экзамен электроника 3 семестр.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 24.04.2018
Рецензия:Уважаемый .......Характеристики на рисунке 10 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 24.04.2018
Рецензия:Уважаемый .......Характеристики на рисунке 10 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового эл
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
50 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Zalevsky
: 11 сентября 2018
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Zalevsky
: 11 сентября 2018
300 руб.
Электроника. 9-й вариант. Курсовая работа. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
Цель работы:
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Студенткааа
: 19 февраля 2015
100 руб.
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
kolganov91
: 3 сентября 2014
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
kolganov91
: 3 сентября 2014
85 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
ramzes14
: 11 октября 2013
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ramzes14
: 11 октября 2013
200 руб.
Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
DonTepo
: 11 июня 2012
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, сниж
DonTepo
: 11 июня 2012
50 руб.
Электротехника и электроника. Контрольная работа. III-й семестр. 7-й вариант
Madam
: 19 февраля 2017
Электротехника и электроника Контрольная работа III семестр 7 вариант
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Madam
: 19 февраля 2017
50 руб.
Контрольная работа электротехника и электроника 2-й семестр. 20-й вариант
Despite
: 8 апреля 2014
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
20 КП 307В 8 -3,2
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-п
Despite
: 8 апреля 2014
150 руб.
Другие работы
Полупроводниковый релейный элемент. принципиальная схема
Bernard1611
: 23 июня 2022
Полупроводниковый релейный элемент. принципиальная схема
Диод ГОСТ 2.730-73 Д223Б
Резистор ГОСТ 2.728-74 МЛТ-0,5-5,6 ком+-10%
Транзистор ГОСТ 2.730-73 МП 42Б
Чертеж Компас
Bernard1611
: 23 июня 2022
50 руб.
Зачетная работа По дисциплине: Моделирование телекоммуникационных систем
vladimir2050
: 7 мая 2018
Билет №5
5. Классификация основных видов моделирования. Пояснения. Примеры.
vladimir2050
: 7 мая 2018
400 руб.
Лабораторные работы №1, 2, 3 + Контрольная работа + Экзамен (Вариант №3) по дисциплине: "Электропитание устройств и систем телекоммуникаций"
ProstoStudent
: 21 апреля 2020
Лабораторная работа No1
Установка электропитания MPSU – 4000
Лабораторная работа No2
Система бесперебойного электропитания СБЭП-48/160
Лабораторная работа No3
ИБП переменного тока HFR Top Line-930
Контрольная работа
1. Задание
- рассчитать количество и емкость элементов аккумуляторных батарей и выбрать их тип; найти ток выпрямителя и мощность, потребляемую ЭПУ от внешней сети; выбрать типовое выпрямительное устройство; выбрать вводный шкаф; рассчитать заземляющее устройство и выбрать автомат за
ProstoStudent
: 21 апреля 2020
300 руб.
Экзамен. Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. Билет №7. 4-й семестр
Студенткааа
: 24 марта 2013
1. Найти остаточное затухание в канале, содержащем три усилительных участка: l1 =5 км, l2 = 6 км, l3 = 9 км, километрическое затухание в кабеле а = 0,5 дБ/км; коэффициенты передачи (усиления) К1 = 15 дБ, К2= 10 дБ, К3 = 6 дБ.
2. Определить полосу пропускания сигнала на выходе передатчика РРЛ, если по стволу передается сигнал от МСП-ЧРК типа К- 1020, при девиации частоты fк = 100 кГц.
3. Привести структурную схему мультиплексирования цифровых потоков в аппаратуру SDH. Поясните ее работу.
4. Прив
Студенткааа
: 24 марта 2013
100 руб.
