Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ

Цена:
85 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 91E6097E-F370-4C8A-9751-5A00EEE51BB0.rar [ 430 KB ]
material.view.file_icon экзамен электроника 3 семестр.docx [ 479 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 24.04.2018
Рецензия:Уважаемый .......Характеристики на рисунке 10 не соответствуют заданию

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1 Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы. Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
******* Не известно Электроника Работа Курсовая
User Zalevsky : 11 сентября 2018
300 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.
Электроника. 9-й вариант. Курсовая работа. 3-й семестр
Цель работы: 1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов 2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов. 3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств. 4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User kolganov91 : 3 сентября 2014
85 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
СибГУТИ Электроника Работа Зачетная
User ramzes14 : 11 октября 2013
200 руб.
Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
Введение 3 Задание 4 Электрический расчет цифровой схемы 5 Разработка топологии ИМС 12 Выводы 17 Литература 18 В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, сниж
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User DonTepo : 11 июня 2012
50 руб.
Электротехника и электроника. Контрольная работа. III-й семестр. 7-й вариант
Электротехника и электроника Контрольная работа III семестр 7 вариант Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2.
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Madam : 19 февраля 2017
50 руб.
Электротехника и электроника. Контрольная работа. III-й семестр. 7-й вариант
Контрольная работа электротехника и электроника 2-й семестр. 20-й вариант
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы № вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В 20 КП 307В 8 -3,2 Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-п
Схемотехника СибГУТИ Работа Контрольная
User Despite : 8 апреля 2014
150 руб.
promo

Другие работы

Государственный бюджет, структура и порядок его принятия
Государственный бюджет как явление в истории человеческого общества появился сравнительно недавно - в эпоху капитализма (феодализм не знал единого документу, который объединял бы все доходы и расходы государства). Его появление связано с отделением государственных финансов от финансов монарха, ограничением власти последнего, переходом к демократическим основам управления государственной и общественной жизнью. Бюджет во всех странах мира служит основой государственных финансов и основным фондом д
Работа Экономика
User Lokard : 12 ноября 2013
10 руб.
Россия в мусорном интерьере (навстречу единой мусорной концепции)
Мировой рынок услуг по переработке промышленных отходов и очистке почв оценивается в 20 млрд евро. Россия рассматривается мировъили лидерами промпереработки как одна из наиболее перспективных стран для развития этого вида бизнеса, но вести его здесь они пока не спешат - условий нет. Минприроды пытается исправить ситуацию и решило создать федеральную систему переработки отходов, на которую планируется потратить 42 млрдруб. Деньги на отходах Рост промышленного производства и повышение уровня потр
Рефераты Экология и защита окружающей среды
User alfFRED : 3 сентября 2013
5 руб.
Тест - Стандартизация основных норм взаимзоаменяемости
1. Укажите действительный размер, соответствующий годному отверстию, если на чертеже проставлено диаметр 50U8: 1) 50,000 мм 2) 49,891 мм 3) 49,940 мм 4) 50,070 мм 2.При контроле размера 100F8 предел допускаемой погрешности измерения следует принять равным ... 1) 0,036 мм 2) 0,090 мм 3) 0,018 мм 4) 0,027 мм 3. Что является исходным при определении предела допускаемой погрешности измерения данного размера? 1) основное отклонение 2) наибольший предельный размер 3) номинальный размер 4)
Стандартизация и сертификация Тесты
User IT-STUDHELP : 18 июня 2019
250 руб.
Расчёт клапанной ректификационной колонны непрерывного действия для разделения смеси этилацетат-толуол.
Оглавление Введение 1. Аналитический обзор литературы и технико-экономическое обоснование проекта……………………………………………………………………….8 – 23 Сравнительная характеристика и выбор основного оборудования…………………………………………………………...10 – 21 Выбор конструкции аппарата…………………………………………21 – 23 2. Физико-химическая характеристика продуктов………………………………24 Этилацетат…………………………………………………………………...24 Толуол………………………………………………………………………..24 3. Технологическая схема и её описание……………………………………25 – 26 4. Выбор конструк
Химическая промышленность Работа Курсовая
User Рики-Тики-Та : 12 декабря 2011
55 руб.
up Наверх