Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
25.07.2018
-
Размер:
430 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
xadmin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
экзамен электроника 3 семестр.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 24.04.2018
Рецензия:Уважаемый .......Характеристики на рисунке 10 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 24.04.2018
Рецензия:Уважаемый .......Характеристики на рисунке 10 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового эл
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
50 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Zalevsky
: 11 сентября 2018
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Zalevsky
: 11 сентября 2018
300 руб.
Электроника. 9-й вариант. Курсовая работа. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
Цель работы:
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Студенткааа
: 19 февраля 2015
100 руб.
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
kolganov91
: 3 сентября 2014
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
kolganov91
: 3 сентября 2014
85 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
ramzes14
: 11 октября 2013
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ramzes14
: 11 октября 2013
200 руб.
Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
DonTepo
: 11 июня 2012
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, сниж
DonTepo
: 11 июня 2012
50 руб.
Электротехника и электроника. Контрольная работа. III-й семестр. 7-й вариант
Madam
: 19 февраля 2017
Электротехника и электроника Контрольная работа III семестр 7 вариант
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Madam
: 19 февраля 2017
50 руб.
Контрольная работа электротехника и электроника 2-й семестр. 20-й вариант
Despite
: 8 апреля 2014
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
20 КП 307В 8 -3,2
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-п
Despite
: 8 апреля 2014
150 руб.
Другие работы
Онлайн Тест 10 по дисциплине: Теория связи.
IT-STUDHELP
: 20 апреля 2023
Вопрос No1
При подаче на вход фильтра согласованного с ним сигнала на выходе согласованного фильтра получаем _____ сигнала.:
преобразование Фурье
среднее значение
корреляционную функцию
Вопрос No2
Коэффициент глубины модуляции АМ сигнала с U0 = 2 В и амплитудой огибающей 1 В равен ____ .
1,0
0,5
0,2
Вопрос No3
У амплитудно-модулированного колебания амплитуда немодулированной несущей 20 В. При коэффициенте глубины модуляции 0,6 амплитуда огибающей равна _____ .
10 Вольт
18 Вольт
12 Вол
IT-STUDHELP
: 20 апреля 2023
480 руб.
Контрольная работа по дисциплине: инженерная и компьютерная графика. Вариант №3.
freelancer
: 4 сентября 2016
Вариант 3
1.Вычертить схему и нанести соответствующие надписи. Схема алгоритма для вычисления печати значения выражения.
2.По двум заданным проекциям (фронтальной и горизонтальной) построить третью (профильную). Отверстие, показанное на фронтальной плоскости, построить на горизонтальную и профильную плоскость.
3.Схема электрическая принципиальная
Наименование изделия: Пороговое устройство и усилитель
4.По двум заданным проекциям (фронтальной и горизонтальной) построить третью (профильную), нане
freelancer
: 4 сентября 2016
200 руб.
Рекомендации по применению препаратов BASF для защиты гороха в России
Slolka
: 4 июля 2013
Содержание.
Введение.
Гербициды.
Пульсар.
Базагран.
Инсектициды.
Фастак.
Болезни гороха.
Схема защиты гороха.
Slolka
: 4 июля 2013
5 руб.
Лабораторная работа №1. Метод парзеновского окна с фиксированным h. Вариант №1
Nik001
: 29 октября 2020
К заданию на лабораторную работу прилагаются файлы, в которых представлены наборы данных из 〖~10〗^4 объектов. Каждый объект описывается двумя признаками (f_j (x)∈R) и соответствующим ему классом (y∈{0,1}).
Суть лабораторной работы заключается в написании классификатора на основе метода k ближайших соседей. Данные из файла необходимо разбить на две выборки, обучающую и тестовую, согласно общепринятым правилам разбиения. На основе этих данных необходимо обучить разработанный классификатор и проте
Nik001
: 29 октября 2020
250 руб.
