Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
25.07.2018
-
Размер:
430 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
xadmin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
экзамен электроника 3 семестр.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 24.04.2018
Рецензия:Уважаемый .......Характеристики на рисунке 10 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 24.04.2018
Рецензия:Уважаемый .......Характеристики на рисунке 10 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового эл
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
50 руб.
Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Zalevsky
: 11 сентября 2018
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Zalevsky
: 11 сентября 2018
300 руб.
Электроника. 9-й вариант. Курсовая работа. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
Цель работы:
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Студенткааа
: 19 февраля 2015
100 руб.
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
kolganov91
: 3 сентября 2014
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
kolganov91
: 3 сентября 2014
85 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 5-й семестр. 3-й вариант
ramzes14
: 11 октября 2013
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ramzes14
: 11 октября 2013
200 руб.
Курсовой проект по электронике. 3-й семестр. 6-й вариант
DonTepo
: 11 июня 2012
Введение 3
Задание 4
Электрический расчет цифровой схемы 5
Разработка топологии ИМС 12
Выводы 17
Литература 18
В настоящее время интегральные микросхемы (ИМС) широко применяется в радиоэлектронной аппаратуре, в вычислительных устройствах, устройствах автоматики и т.д. Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, сниж
DonTepo
: 11 июня 2012
50 руб.
Электротехника и электроника. Контрольная работа. III-й семестр. 7-й вариант
Madam
: 19 февраля 2017
Электротехника и электроника Контрольная работа III семестр 7 вариант
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Madam
: 19 февраля 2017
50 руб.
Контрольная работа электротехника и электроника 2-й семестр. 20-й вариант
Despite
: 8 апреля 2014
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
20 КП 307В 8 -3,2
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-п
Despite
: 8 апреля 2014
150 руб.
Другие работы
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 4.38
Z24
: 13 ноября 2025
Цилиндрический резервуар (рис. 4.44) для хранения мазута диаметром D=4,0 м имеет полусферическую крышку и сообщается с атмосферой через трубку. Определить усилие, разрывающее резервуар в плоскости 1-1, если Н1=4,0 м, Н2=8,0 м, d=0,1 м, плотность мазута ρ=890 кг/м³.
Z24
: 13 ноября 2025
200 руб.
«Программное обеспечение цифровых систем коммутации». Лабораторная работа №1
ss011msv
: 1 марта 2013
1 Цель работы
1.1 Изучение алгоритмов ввода информации в память управляющего устройства по результатам сканирования элементов АТС с программным управлением.
1.2 Изучение состава и назначения исходных данных, используемых программами ввода информации.
1.3 Изучение состава и назначения результирующих данных, создаваемых программами вводы информации.
1.4 Моделирование процесса ввода информации на IBM PC в дисплейном классе кафедры АЭС.
Число ввести нужно 0.111111
ss011msv
: 1 марта 2013
350 руб.
Особенности измерения напряжения электронными вольтметрами переменного тока
Dusya
: 21 августа 2012
Лабораторная работа
По дисциплине: « Метрология, стандартизация и сертификация»
1. Цель работы
1.1. Изучить:
1.1.1 Параметры переменных напряжений и токов;
1.1.2 Методы измерения параметров переменных напряжений и токов;
1.1.3 Принцип действия, устройство и метрологические характеристики электронных вольтметров;
1.1.4 Особенности измерения напряжения электронными вольтметрами переменного тока;
1.1.5 Источники погрешности при измерении электронными вольтметрами.
1.2. Получить навыки работы с изм
Dusya
: 21 августа 2012
210 руб.
Внутренняя и внешняя политика Японии в послевоенные годы
DocentMark
: 14 февраля 2013
Япония Краткая историческая справка Первое раннеклассовое государство на территории Японии образовалось в IV в. н.э. на базе племенного союза Ямато. С конца XII в. до середины XIX в. с некоторыми промежутками государственная власть находилась в руках военно-феодальных правителей сегунов император оставался религиозным главой государства. Сначала XVII в с установлением сегуната Токугава,
Япония оказалась закрытой для внешнего мира. Самоизоляция Японии была прервана в 1853г когда Япония подписала
DocentMark
: 14 февраля 2013
10 руб.
