Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
14.09.2018
-
Размер:
83 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
seka
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лр1.docx
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике №2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике №3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике №2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике №3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Дополнительная информация
Уважаемый , Ваша работа зачтена. Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
mirsan
: 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
lev12345678
: 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследовани
ДО Сибгути
: 26 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты
SibGUTI2
: 3 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный перехо
SibGUTI2
: 3 июня 2019
50 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Art55555
: 6 августа 2009
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
aleks797
: 17 декабря 2011
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
aleks797
: 17 декабря 2011
50 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
1. Прямое включение.
1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении.
1.2. Определение материала диода.
1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА.
2. Обратное включение.
2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
Roma967
: 29 мая 2015
300 руб.
Другие работы
Баженов Е.Е., Буйначев С.К., Кручинин И.Н. Теория сочленённых транспортных и технологических систем
Aronitue9
: 7 января 2012
Принятые сокращения……………………………………………………….
Введение……………………………………………………………………...
1. Обоснование использования сочленённых транспортных сис-тем……………………………………………………………………..…
1.1. Эксплуатационные свойства и эффективность
транспортных сис-тем……….…………………….……….….……
1.2. Влияние активизации прицепных секций на повышение
проходимости транспортных сис-тем……….……………………
1.2.1. Проходимость транспортных сис-тем……………………….
1.2.2. Оценочные показатели
Aronitue9
: 7 января 2012
2 руб.
Лабораторная работа № 1 по дисциплине "Объектно-ориентированное программирование" 4-й семестр, 6-й вариант
mastar
: 20 мая 2012
Лабораторная работа №1
Тема: Принцип инкапсуляции. Описание класса.
Задание:
Описать класс tPoint, инкапсулирующий основные свойства и методы точки на плоскости. Создать массив из 100 точек. Нарисовать точки случайным образом случайным цветом на экране.
Рекомендации к выполнению:
Продумайте, какие характеристики есть у объекта Точка, и какие действия можно над ним проделывать. Затем опишите класс tPoint, включив соответствующие поля и методы. Далее продумайте и запишите код каждого метода.
После
mastar
: 20 мая 2012
120 руб.
Вычислительная математика. Курсовая работа. Вариант №4
tpogih
: 13 сентября 2014
условие задачи.
Курсовая работа
Напряжение в электрической цепи описывается дифференциальным уравнением с начальным условием:
Написать программу, которая определит количество теплоты, выделяющегося на единичном сопротивлении за единицу времени. Количество теплоты определяется по формуле: . Дифференциальное уравнение решить методов Рунге-Кутта четвертого порядка с точностью 10-4 (для достижения заданной точности использовать метод двойного пересчета). Интеграл вычислить по формуле Симпсона с шаг
tpogih
: 13 сентября 2014
70 руб.
Расчет и проектирование дерева решения, выбор оптимального пути деятельности организации
Elfa254
: 8 апреля 2014
Введение
Среди множества проблем современного менеджмента важнейшими являются разработка, принятие и осуществление управленческого решения, представляющего собой основной инструмент управляющего воздействия и имеет весьма серьезное прикладное значение, которое неизбежно возрастает по мере усложнения хозяйственных ситуаций и управленческих задач, требующих решения. Об этом свидетельствуют и возрастающие масштабы потерь в результате даже небольших ошибок, допущенных в решении.
Эффективное принятие
Elfa254
: 8 апреля 2014
5 руб.
