Физические основы электроники. Лабораторная работа № 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Вариант общий.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.
Дополнительная информация
Уважаемый , Ваша работа зачтена. Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ.
ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЯ.
Выводы:
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 2. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
lev12345678
: 17 марта 2013
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Проверил: Савиных В.Л.
зачет
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.
Art55555
: 6 августа 2009
СибГУТИ.
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2. "Исследование статических характеристик биполярного транзистора". Все варианты
SibGUTI2
: 7 июня 2019
Физические основы электроники. Лабораторная работа No2. "Исследование статических характеристик биполярного транзистора". Все варианты
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники
natin83
: 2 апреля 2012
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
aleks797
: 17 декабря 2011
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процес
50 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик биполярного транзистора". (Для всех вариантов)
Roma967
: 29 мая 2015
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Выполнение работы:
1. Схема с общей базой.
1.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкб=0В, Uкб=8В
1.2. Снятие выходных характеристик биполярного транзистора при Iэ=0мА, Iэ=2мА, Iэ=5мА.
2. Схема с общим эмиттером.
2.1. Снятие входных характеристик биполярного транзистора при Uкэ=0В,
300 руб.
Другие работы
Иностранный язык (английский) (часть 3)
arsonix
: 8 октября 2018
Контрольная работа № 3
КОНТРОЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ № 3
I. Перепишите и письменно переведите на русский язык следующие предложения. Помните, что объектный и субъектный инфинитивные обороты переводятся придаточными предложениями.
1. The input and output units are known to be necessary components of a computers.
2. The semiconductor diode allows current to flow through it freely in one direction.
3. We know the velocity of a particle to be continuously changing if this particle has a non-uniform motio
70 руб.
Изготовление промежуточного вала механизма передвижения экскаватора ЭО-4112
SerFACE
: 18 марта 2015
Розробка технологічного процесу виготовлення валу проміжного екскаватора ЭО-4112
Вихідні дані для проектування:
Номер деталі за каталогом: No505A.035.00.1
Матеріал деталі Сталь 45 ГОСТ 1050-88
Маса деталі: 27,9кг
Розмір партії деталей: Q = 1400 шт.
2.1 Вибір метода отримання заготовки і визначення припусків
Матеріал: Сталь 45 ГОСТ 1050-88
Маса деталі Gд= 27,9кг
Розмір партії деталей Q=1400
Визначаю припуск на обробку валу табличним м
120 руб.
Двухэтажный жилой дом из мелкоразмерных элементов
Рики-Тики-Та
: 22 декабря 2011
Содержание пояснительной записки.
Введение……………………………………………………………………………………… 4
1. Природно-климатические характеристики района строительства………………… 5
2. Требуемые параметры проектируемого здания……………………………………… 6
3. Характеристика функционального процесса здания………………………………… 9
4. Объемно-планировочное решение здания…………………………………………… 10
5. Конструктивное решение здания……………………………………………………….11
5.1. Фундаменты…………………………………………………………………………11
5.2. Стены и перегородки…………………………………………………………… 11
55 руб.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 18 Вариант 6
Z24
: 14 октября 2025
Горизонтальный трубопровод с наружным диаметром d=0,25 м, длиной l=20 м имеет температуру поверхности tст, степень черноты поверхности ε1=0,72. Определить количество тепла, которое отдает трубопровод в окружающую среду излучением и конвекцией, кВт (в условиях свободного движения воздуха), если температура воздуха tв=23ºС. Как изменится суммарный коэффициент теплоотдачи конвекцией и излучением (отношение суммарного удельного теплового потока к разности температур поверхности в среды), если при пр
200 руб.