Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения p-n перехода путем введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии, или эпитаксии....
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра аналогично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой.....
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения p-n перехода путем введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии, или эпитаксии....
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра аналогично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой.....
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 13.06.2018
Рецензия:Уважаемый замечаний к Вашим ответам нет.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 13.06.2018
Рецензия:Уважаемый замечаний к Вашим ответам нет.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
freelancer
: 16 апреля 2016
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
mirsan
: 24 января 2015
Билет № 3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.
SemenovSam
: 30 мая 2016
Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр.
Билет № 3.
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
200 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3.
sibgutido
: 20 марта 2012
Физические основы электроники. Зачетная работа.
Билет №3.
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Roma967
: 7 декабря 2015
Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
250 руб.
Другие работы
Государственное регулирование цен в условиях рыночной экономики
Aronitue9
: 25 сентября 2013
Теоретическая часть
Сущность государственного регулирования цен
Цена, ее виды и функции
Государственное воздействие на цены
Меры, методы и способы воздействия государства на цены
Функции и задачи государственного воздействия на цены
Аналитическая часть
Законодательное регулирование цен в Российской Федерации
Административное регулирование цен
Регулирование цен естественных монополий
Регулирование цен гражданским законодательством
Регулирование цен в целях налогообложения
Заключение
Список исполь
19 руб.
Психология предпринимательской деятельности
alfFRED
: 12 октября 2013
План
1. Сравнительный анализ понятий «бизнес» и «предприниматель» 3
2. Типы групповых взаимоотношений и их особенности. 5
3. Внутренняя среда организации. 8
Литература. 14
1. Сравнительный анализ понятий «бизнес» и «предприниматель»
Понятийный аппарат у нас обновляется, много новых и забытых старых терминов устойчиво входят в оборот: предприниматель, бизнес, коммерция, биржа, аудит, маркетинг, менеджмент, приватизация, консалтинг, дилер, брокер и т.д., и т.п. Часто трудно во всем этом ра
Тема №2. Формирование древнерусской государственности
sam1
: 15 февраля 2018
1. Ведение
2. Предпосылки возникновения государства у восточных славян. Концепции образования древнерусского государства.
3. Политическое и социальное устройство древнерусского государства. Формирование раннефеодальных отношений.
4. Принятие Русью христианства: причины и последствия.
5. Заключение.
6. Список использованной литературы.
200 руб.
Кооперативное движение в условиях фермерских и крестьянских хозяйств
Slolka
: 5 марта 2014
Субъектами новых рыночных отношений стали различные организационно-правовые формы сельских товаропроизводителей, а так же новые структуры, связанные со сбытом, переработкой, хранением и реализацией сельскохозяйственной продукции, с обслуживанием агропромышленного производства.
Сегодня необходимо создать такие условия, чтобы крестьянин мог выбрать ту форму ведения хозяйства, которая бы в наибольшей степени соответствовала его психологии и возможностям, эффективности производства. Такой формой при
15 руб.