Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 60C5CACA-F966-486F-A041-84C2CC53DAC7.rar [ 85 KB ]
material.view.file_icon Экзамен.doc [ 150 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения p-n перехода путем введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии, или эпитаксии....

2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра аналогично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой.....

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 13.06.2018
Рецензия:Уважаемый замечаний к Вашим ответам нет.
Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User freelancer : 16 апреля 2016
100 руб.
promo
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
Билет № 3 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Электроника Работа Зачетная
User mirsan : 24 января 2015
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника физическая
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 23 февраля 2013
100 руб.
Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.
Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр. Билет № 3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная
User SemenovSam : 30 мая 2016
200 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User sibgutido : 20 марта 2012
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
ДО СИБГУТИ Работа Физические основы электроники
User Jerryamantipe03 : 23 июня 2021
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User djo : 8 сентября 2020
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Билет №3 1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User Roma967 : 7 декабря 2015
250 руб.
promo

Другие работы

ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год Московская международная академия Институт дистанционного образования Тест оценка ОТЛИЧНО 2024 год Ответы на 20 вопросов Результат – 100 баллов С вопросами вы можете ознакомиться до покупки ВОПРОСЫ: 1. We have … to an agreement 2. Our senses are … a great role in non-verbal communication 3. Saving time at business communication leads to … results in work 4. Conducting negotiations with foreigners we shoul
Московская международная академия Институт дистанционного Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тесты
User mosintacd : 28 июня 2024
150 руб.
promo
Задание №2. Методы управления образовательными учреждениями
Практическое задание 2 Задание 1. Опишите по одному примеру использования каждого из методов управления в Вашей профессиональной деятельности. Задание 2. Приняв на работу нового сотрудника, Вы надеялись на более эффективную работу, но в результате разочарованы, так как он не соответствует одному из важнейших качеств менеджера - самодисциплине. Он не обязателен, не собран, не умеет отказывать и т.д.. Но, тем не менее, он отличный профессионал в своей деятельности. Какими методами управления Вы во
******* Не известно Педагогика Практические занятия и отчеты
User studypro : 13 октября 2016
200 руб.
Особенности бюджетного финансирования
Содержание: Введение Теоретические основы бюджетного финансирования Понятие и сущность бюджетного финансирования Характеристика основных форм бюджетного финансирования Анализ бюджетного финансирования образования Понятие и источники бюджетного финансирования образования Проблемы бюджетного финансирования образования Основные направления совершенствования бюджетного финансирования образования Заключение Список использованный литературы Цель курсовой работы – исследовать особенности бюджетного фин
Работа Курсовая Банковское дело и кредитование
User Aronitue9 : 24 августа 2012
20 руб.
Программирование (часть 1-я). Зачёт. Билет №2
ЗАЧЕТ по дисциплине “Программирование (часть 1)” Билет 2 Определить значение переменной y после работы следующего фрагмента программы: a = 3; b = 2 * a – 10; x = 0; y = 2 * b + a; if ( b > y ) or ( 2 * b < y + a ) ) then begin x = b – y; y = x + 4 end; if ( a + b < 0 ) and ( y + x > 2 ) ) then begin x = x + y; y = x – 2 end;
ДО СИБГУТИ Программирование Работа Зачетная
User sibsutisru : 3 сентября 2021
200 руб.
Программирование (часть 1-я). Зачёт. Билет №2
up Наверх