Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Экзамен.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения p-n перехода путем введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии, или эпитаксии....

2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра аналогично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой.....

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 13.06.2018
Рецензия:Уважаемый замечаний к Вашим ответам нет.
Савиных Валерий Леонидович
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User freelancer : 16 апреля 2016
100 руб.
promo
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
Билет № 3 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User mirsan : 24 января 2015
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.
Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр. Билет № 3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User SemenovSam : 30 мая 2016
200 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User sibgutido : 20 марта 2012
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
User Jerryamantipe03 : 23 июня 2021
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User djo : 8 сентября 2020
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Билет №3 1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
User Roma967 : 7 декабря 2015
250 руб.
promo
Государственное регулирование цен в условиях рыночной экономики
Теоретическая часть Сущность государственного регулирования цен Цена, ее виды и функции Государственное воздействие на цены Меры, методы и способы воздействия государства на цены Функции и задачи государственного воздействия на цены Аналитическая часть Законодательное регулирование цен в Российской Федерации Административное регулирование цен Регулирование цен естественных монополий Регулирование цен гражданским законодательством Регулирование цен в целях налогообложения Заключение Список исполь
User Aronitue9 : 25 сентября 2013
19 руб.
Психология предпринимательской деятельности
План 1. Сравнительный анализ понятий «бизнес» и «предприниматель» 3 2. Типы групповых взаимоотношений и их особенности. 5 3. Внутренняя среда организации. 8 Литература. 14 1. Сравнительный анализ понятий «бизнес» и «предприниматель» Понятийный аппарат у нас обновляется, много новых и забытых старых терминов устойчиво входят в оборот: предприниматель, бизнес, коммерция, биржа, аудит, маркетинг, менеджмент, приватизация, консалтинг, дилер, брокер и т.д., и т.п. Часто трудно во всем этом ра
User alfFRED : 12 октября 2013
Тема №2. Формирование древнерусской государственности
1. Ведение 2. Предпосылки возникновения государства у восточных славян. Концепции образования древнерусского государства. 3. Политическое и социальное устройство древнерусского государства. Формирование раннефеодальных отношений. 4. Принятие Русью христианства: причины и последствия. 5. Заключение. 6. Список использованной литературы.
User sam1 : 15 февраля 2018
200 руб.
Кооперативное движение в условиях фермерских и крестьянских хозяйств
Субъектами новых рыночных отношений стали различные организационно-правовые формы сельских товаропроизводителей, а так же новые структуры, связанные со сбытом, переработкой, хранением и реализацией сельскохозяйственной продукции, с обслуживанием агропромышленного производства. Сегодня необходимо создать такие условия, чтобы крестьянин мог выбрать ту форму ведения хозяйства, которая бы в наибольшей степени соответствовала его психологии и возможностям, эффективности производства. Такой формой при
User Slolka : 5 марта 2014
15 руб.
up Наверх