Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения p-n перехода путем введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии, или эпитаксии....
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра аналогично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой.....
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения p-n перехода путем введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии, или эпитаксии....
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра аналогично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормальном активном режиме ток эмиттерного перехода можно представить формулой.....
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 13.06.2018
Рецензия:Уважаемый замечаний к Вашим ответам нет.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 13.06.2018
Рецензия:Уважаемый замечаний к Вашим ответам нет.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
freelancer
: 16 апреля 2016
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
mirsan
: 24 января 2015
Билет № 3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.
SemenovSam
: 30 мая 2016
Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр.
Билет № 3.
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
200 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3.
sibgutido
: 20 марта 2012
Физические основы электроники. Зачетная работа.
Билет №3.
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Roma967
: 7 декабря 2015
Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
250 руб.
Другие работы
Этические аргументы "за" и "против" смертной казни
Slolka
: 15 ноября 2013
Содержание
1. История
1.2 Смертная казнь в современном мире
2. Виды смертной казни
2.1 Практикуемые в современном мире виды смертной казни
2.2 Исторические виды смертной казни
3. Смертная казнь должна умереть
4. Казнить, нельзя помиловать
5. Смертная казнь в различных странах
5.1 Великобритания
5.2 Франция
5.3 Германия
5.4 Западноевропейские страны
5.5 Россия
5.6 Белоруссия
5.7 Центральная Европа
5.8 США
5.9 Ближний Восток и Азия
6. Отношение мировых религий к смертной казни
6.1 В Библии
6.2
10 руб.
Моделирование станции технического обслуживания легковых автомобилей
GnobYTEL
: 6 февраля 2012
Бизнес-справка.
Введение.
Обоснование проекта.
Система технического сервиса индивидуальных автотранспортных средств и определение потенциальных потребителей её услуг.
Краткая характеристика района проектирования
Маркетинговый анализ и прогнозирование ёмкости рынка автосервисных услуг в районе проектирования.
Расчётно-технологическая часть.
Обоснование мощности и назначения станции.
Расчёт производственной программы.
Расчёт численности производственных рабочих.
Расчёт числа постов и автомобиле-ме
450 руб.
Пневмоклапан редукционный 65.000
vermux1
: 22 октября 2021
Пневмоклапан редукционный 65.000 Сборочный чертеж
Пневмоклапан редукционный 65.000 Спецификация
Пневмоклапан редукционный 65.000 3d модель
Корпус 65.002
Цилиндр корпуса 65.003
Седло выпускного клапана 65.004
Шток клапана 65.005
Гайка колпачковая 65.006
Кожух 65.007
Пружина 65.008
Штуцер 65.013
Редукционный пневмоклапан шарикового типа автомобилей ЗИЛ-130 автоматически поддерживает давление сжатого воздуха в пневмосистеме путем впуска воздуха в разгрузочное устройство компрессора или выпуска из
190 руб.
Экономика
karaleva
: 19 августа 2019
Строительная бригада получила аккордное задание, которое она должна выполнить за 22 рабочих дня. Но вместо 22 дней она выполнила задание за 18 дней. Зарплата всей бригады, рассчитанная по аккордной системе, составила 101 500 рублей.
Рассчитайте зарплату всей бригады, если за 100 %-е выполнение задания ей причитается премия в размере 25 %, а за каждый процент (%) перевыполнения плана – по 2,3 % от зарплаты.
При выполнении задания использовать следующую последовательность:
1. Фактическое выполнен
100 руб.