Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лр4 - с исправлениями зачтено.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Работа зачтена после исправлений. 100 % всё верно !

Вариант №10
Сила тока, мА = 10

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы

Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
6. Литература

Савельев И.В. Курс общей физики.- М.: Наука, 1979,- т.3,§ 57,58,59.
Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.- Гл.19 § 19.3

Дополнительная информация

2017
Стрельцов А.И.
Зачтено после исправлений
(Исправления выделены зеленым, комментарии преподавателя красным)
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Модернизация тормозной системы буровой лебедки ЛБУ-1500 ЭТ, JC50DB«Хунхуа СНГ» в составе буровой установки БУ 5000/320 ЭК-БМЧ-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин
Буровая лебедка JC50DB. Назначение и область применения: Лебедка JC50DB (КНР) является одним из основных узлов буровой установки серии DBS, и предназначена для подъема и спуска вышки, бурильного инструмента, спуска обсадных колонн, а также проведение иных технологических операций, сопровождающих процесс строительства и эксплуатации скважин. Лебедка состоит из четырех частей: электродвигатель, редуктор, рама лебедки и вспомогательное приводное устройство. Рисунок 1.6 - Лебедка JC50DB. О
2606 руб.
Модернизация тормозной системы буровой лебедки ЛБУ-1500 ЭТ, JC50DB«Хунхуа СНГ» в составе буровой установки БУ 5000/320 ЭК-БМЧ-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К1 Рисунок 8 Вариант 9
Кинематика плоских механизмов Плоский кривошипно-шатунный механизм связан с системой зубчатых колес, насаженных на неподвижные оси, которые приводятся в движение ведущим звеном (зубчатая рейка – схема К1.0; рукоятка – схема К1.1; груз на нити – схема К1.2 и т. д.). Рукоятка О1А и кривошип О2С жестко связаны с соответствующими колесами. Длина кривошипа О2С = L1, шатуна CD = L2. Схемы механизмов приведены на рис. К1.0 – К1.9, а размеры и уравнения движения точки А ведущего звена S = f (t) –
User Z24 : 9 ноября 2025
600 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К1 Рисунок 8 Вариант 9
Контрольная работа по дисциплине: Моделирование телекоммуникационных систем. Вариант №5.
Задание 1 Моделирование случайных последовательностей чисел. Сгенерируйте последовательности из n случайных чисел, согласно вариантам, приведенным в Таблице 1: Таблица 1. Исходные данные Номер варианта 5 Последовательность случайных чисел, n Столбец n=10 Закон распределения Равномерный Вывести на экран и записать значения последовательности. Задание 2 Равномерное распределение случайных последовательностей в заданном интервале 1. Сформируйте n случайных чисел с равномерным распределением из ин
User ДО Сибгути : 27 апреля 2018
350 руб.
promo
Зачет по дисциплине: Информационные сервисы. Билет №5
Факультет АЭС Курс Дисциплина ИС 1. Сценарии услуг IP-телефония 2. Состав и назначение элементов Softswitch 3. Изобразить в виде диаграммы основные процедуры реализации услуг IP- телефонии для Вашего маршрута в сети, изображенной на рисунке.
User IT-STUDHELP : 7 декабря 2020
400 руб.
Зачет по дисциплине: Информационные сервисы. Билет №5 promo
up Наверх