Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лр4 - с исправлениями зачтено.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Работа зачтена после исправлений. 100 % всё верно !

Вариант №10
Сила тока, мА = 10

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы

Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
6. Литература

Савельев И.В. Курс общей физики.- М.: Наука, 1979,- т.3,§ 57,58,59.
Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.- Гл.19 § 19.3

Дополнительная информация

2017
Стрельцов А.И.
Зачтено после исправлений
(Исправления выделены зеленым, комментарии преподавателя красным)
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
АСУ тепловой работы камерной нагревательной печи кузнечного отделения
Курсовая работа По дисциплине: «Автоматизация промышленных печей и систем очистки газов» Тема: «АСУ тепловой работы камерной нагревательной печи кузнечного отделения» Содержание Реферат 3 Введение 4 1. Описание конструкции, технологической и тепловой работы камерной печи 8 2. Описание функциональной схемы автоматизации 12 3. Расчет регулятора расхода природного газа 18 3.1 Контроль температуры 10 3.2 Контроль давления газа, воздуха и защитной атмосферы 12 3
User Kmet1 : 23 марта 2010
Эмоции в маркетинговой стратегии: анализ и использование
Содержание Введение Глава 1. Разновидности маркетинговых стратегий 1.1 Определение стратегии 1.2 Виды стратегий Глава 2. Внутренние или психологические факторы поведения потребителей 2.1. Мотивация 2.2 Эмоции 2.2.1 Манипулирование и эмоционирование 2.2.2 Эмоции и бренд Глава 3. Значение эмоций в маркетинге детских товаров Заключение Список используемой литературы Введение Маркетинг затрагивает жизнь каждого из нас. Это процесс, в ходе которого разрабатываются и предоставляются в
User evelin : 9 октября 2013
10 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Цифровая обработка сигналов. Вариант 33
Задача 1. Прохождение дискретного непериодического сигнала через нерекурсивную дискретную цепь. На вход дискретной цепи подается непериодический сигнал x(n)={x0;x1;x2}. 1.1 Построить график дискретного сигнала. 1.2 Рассчитать спектр ДС с шагом wд/10. Построить амплитудный спектр. 1.3 Построить дискретную цепь. Записать ее передаточную функцию, определить импульсную характеристику цепи. 1.4 Определить сигнал на выходе цепи по формуле линейной свертки Построить график выходного сигнала. 1.5 Рассчи
User Учеба "Под ключ" : 12 августа 2022
1300 руб.
promo
Вопросы к зачету: Правовые основы противодействия коррупции в России.
Вопросы к зачету: 1. Правовые основы противодействия коррупции в России. 2. Планирование деятельности в сфере противодействия коррупции. 3. Система государственных органов, осуществляющих противодействие коррупции. 4. Субъекты антикоррупционной политики на федеральном уровне. 5. Субъекты антикоррупционной политики на уровне субъекта Российской Федерации. 6. Субъекты антикоррупционной политики на муниципальном уровне. 7. Субъекты антикоррупционной политики в негосударственной сфере. 8. Граждане к
User Donbass773 : 9 декабря 2016
700 руб.
Вопросы к зачету: Правовые основы противодействия коррупции в России.
up Наверх