Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лр4 - с исправлениями зачтено.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Работа зачтена после исправлений. 100 % всё верно !

Вариант №10
Сила тока, мА = 10

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы

Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
6. Литература

Савельев И.В. Курс общей физики.- М.: Наука, 1979,- т.3,§ 57,58,59.
Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.- Гл.19 § 19.3

Дополнительная информация

2017
Стрельцов А.И.
Зачтено после исправлений
(Исправления выделены зеленым, комментарии преподавателя красным)
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Чертеж рулевого устройства
1. Главные размерения: L=175,2м; В=24,1м; d=9,9м; D=15,1м; Cb=0,8 2. Материал обшивки пера руля, диафрагмы и торцевых листов - Листовой прокат, сталь В. Reh = 235 МПа 3. Материал баллера руля и штыря руля - Поковка марки 40ХН. Reh = 400 Мпа 4. Параметры руля - площадь пера руля = 26,5 мДиаметр винта=5,74 м Относительное удлинение = 2,30; коэффициент компенсации = 0,20 5. Профиль пера руля NACA0020 модифицированный 6. Расчетные изгибиющие моменты действующие в сечениях баллера: М1 = 0 кН*м; М2
User Laguz : 17 ноября 2023
300 руб.
Чертеж рулевого устройства
Цель и задача аудита. Аудит оплаты труда
СОДЕРЖАНИЕ. Введение. 1. Цель и задача аудита. Аудит оплаты труда. 2. Программа проведения аудиторской проверки. 2.1. Нормативное регулирование бухгалтерского учета и налогооб-ложение. 2.2. Ознакомление с финансово-производственной деятельностью хозяйства 2.2.1. Общие положения 2.2.2. Специализация хозяйства 2.2.3. Аудиторский риск. 2.3. Определение последовательности проверки р
User Aronitue9 : 3 мая 2012
20 руб.
Кейс "Настоящий полковник"
Кейс 1: «Настоящий полковник» – У меня такое ощущение, что в детстве его били. Поэтому он считает насилие единственным способом воспитания и управления. – Ольга не могла скрыть возмущения в голосе. Ее собеседники в курилке согласно закивали. Когда речь заходила о новом исполнительном директоре небольшого рекламного агентства, сотрудники проявляли удивительное единодушие. – Это не детство, это армия. Чего ты хочешь – солдафон! Откуда он взялся только на нашу голову? – Говорят, старый друг Папы
User Катерина2102 : 2 июня 2019
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). Вариант 9 (19, 29 и т.д.)
1. Задание на контрольную работу Выполнить расчет сопротивлений схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией с исходными данными, указанными в таблице 1. Текст пояснительной записки должен включать: 1. Схему рассчитываемого усилителя. 2. Выбор режима работы транзистора. 3. Расчет цепей питания по постоянному току (сопротивлений схемы). 4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току (с обоснованием процесса построения). 5. Определение входног
User SibGOODy : 2 апреля 2018
500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2). Вариант 9 (19, 29 и т.д.) promo
up Наверх