Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
03.02.2019
-
Размер:
49 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
AlexBrookman
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лр4 - с исправлениями зачтено.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа зачтена после исправлений. 100 % всё верно !
Вариант №10
Сила тока, мА = 10
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
6. Литература
Савельев И.В. Курс общей физики.- М.: Наука, 1979,- т.3,§ 57,58,59.
Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.- Гл.19 § 19.3
Вариант №10
Сила тока, мА = 10
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
6. Литература
Савельев И.В. Курс общей физики.- М.: Наука, 1979,- т.3,§ 57,58,59.
Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.- Гл.19 § 19.3
Дополнительная информация
2017
Стрельцов А.И.
Зачтено после исправлений
(Исправления выделены зеленым, комментарии преподавателя красным)
Стрельцов А.И.
Зачтено после исправлений
(Исправления выделены зеленым, комментарии преподавателя красным)
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Использование особых экономических зон для целей налогообложения
Lokard
: 26 октября 2013
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………..……….3
ГЛАВА 1 Особые экономические зоны как инструмент налогового планирования……………………………………………………………………..8
1.1 Международное налоговое планирование………………………...8
1.2 Определение особых экономических зон……………………..…11
1.3 Налоговые льготы и преимущества для резидентов особой экономической зоны……………………………………………………………..20
1.2.1 Единый социальный налог…………….…………………………...20
1.2.2 Налог на прибыль………………………………………..………….21
1.2.3 Налог на имущество……………………………………..…………30
1
Lokard
: 26 октября 2013
10 руб.
Оценка и обучение персонала
kapusja
: 11 ноября 2024
1. Какой комплекс кадровых мероприятий уменьшает приток новых людей и идей в организацию:
2. Ряд конкретных мер, необходимых для принятия решения о найме нескольких из возможных кандидатур есть:
3. Что следует понимать под текучестью персонала (при необходимости указать несколько):
4. Карьера — это:
5. Работа с резервом преемников-дублеров не должна носить целевого характера: организация заботится об их развитии для последующего замещения ими через 10-20 лет руководящей должности вообще, а
kapusja
: 11 ноября 2024
200 руб.
Основы теплотехники МИИТ 2012 Задача 1.2 Вариант 4
Z24
: 4 марта 2026
Смесь идеальных газов заданного массового состава занимает объем V при постоянном абсолютном давлении p и температуре t. Требуется определить газовую постоянную смеси, среднюю молекулярную массу, массу смеси, объемный состав смеси, а также среднюю мольную, объемную и массовую теплоемкости смеси (при p=const) для интервала температур 0-t.
Z24
: 4 марта 2026
180 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Персональный менеджмент. Вариант №
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Задание 1
Цель работы по заданию 1 – отразить результаты самоанализу своей деятельности, целеполаганию и формированию плана профессиональной карьеры.
Примерная структура работы по заданию 1 включает:
1. Мои профессиональные цели (с временным горизонтом их достижения – например, «в ближайшие пять лет», «через три года», «за один месяц» и т.п.).
Моя цель - это стать педагогом начальных классов.
Для достижения конечной цели мною в ближайшие 5 лет будут направлены мои усилия на обучение по специа
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
350 руб.
