Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
03.02.2019
-
Размер:
49 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
AlexBrookman
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
лр4 - с исправлениями зачтено.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа зачтена после исправлений. 100 % всё верно !
Вариант №10
Сила тока, мА = 10
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
6. Литература
Савельев И.В. Курс общей физики.- М.: Наука, 1979,- т.3,§ 57,58,59.
Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.- Гл.19 § 19.3
Вариант №10
Сила тока, мА = 10
Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
6. Литература
Савельев И.В. Курс общей физики.- М.: Наука, 1979,- т.3,§ 57,58,59.
Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.- Гл.19 § 19.3
Дополнительная информация
2017
Стрельцов А.И.
Зачтено после исправлений
(Исправления выделены зеленым, комментарии преподавателя красным)
Стрельцов А.И.
Зачтено после исправлений
(Исправления выделены зеленым, комментарии преподавателя красным)
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Теплотехника 5 задач Задача 3 Вариант 71
Z24
: 4 января 2026
Воздух с начальной температурой t1 = 27ºС сжимается в одноступенчатом поршневом компрессоре от давления р1 = 0,1 МПа до давления р2. Сжатие может происходить по изотерме, по адиабате и по политропе (с показателем политропы n).
Определить:
Для каждого из трех процессов сжатия конечную температуру газа t2, отведенную от газа теплоту Q, кВт; изменение внутренней энергии и теоретическую мощность компрессор, если его производительность G. Дать сводную таблицу и изображение процессов в рv — диа
Z24
: 4 января 2026
250 руб.
Бретань в составе Франции
Aronitue9
: 8 марта 2013
Временно, с начала 1491, и постоянно с начала 1532, Бретань вошла в королевский домен, и оказалась включенной, в полной мере, во французское королевство. Конечно, акт 1532 гарантировал ее свободы и привилегии, однако эта ситуация, не придавала ей никакого исключительного статуса. При Старом Режиме, каждая административная формация имела определенные свободы и привилегии. Французское королевство было мозаикой человеческих сообществ и провинций, связанных с центральным правительством договорами га
Aronitue9
: 8 марта 2013
10 руб.
Расчет трансформатора типа ТМ – 1000/10
tnhpt34
: 29 апреля 2013
Содержание
Введение…………………………. …………………………………...... 3
1. Задание на расчет……………………………………………………….. 4
2. Определение основных электрических величин…………………….... 5
3. Расчет основных коэффициентов трансформатора…………………... 7
4. Расчет обмотки НН……………………………………………………... 18
5. Расчет обмотки ВН……………………………………………………… 22
6. Определение параметров короткого замыкания……………………… 27
7. Определение размеров магнитной системы и массы стали………….. 32
8. Расчет потерь холостого хода………………………………………
tnhpt34
: 29 апреля 2013
15 руб.
Проектирование интерфейсов для сайта. Проектирование сайта «Летние страны»
Aronitue9
: 13 апреля 2012
Введение
Описание предметной области
Цель работы
Методологии и технологии проектирования опыта взаимодействия
Определение понятия «Опыт взаимодействия» (UX)
Методология проектирование опыта взаимодействия
Подходы к проектированию опыта взаимодействия
Проектирование, ориентированное на пользователей (User Centered Design)
Человекоориентированное проектирование (Human Centered Design)
Проектирование, ориентированное на цели пользователей
Проектирование, основанное на анализе деятельности
Aronitue9
: 13 апреля 2012
20 руб.
