Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).10-й Вариант

Цена:
130 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1AB0B31B-A4D7-47DC-ADCD-A03FD692F2BF.rar [ 137 KB ]
material.view.file_icon Контрольная работа Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).doc [ 222 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1.

По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.

Задача 2.

Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.

Задача 3.

В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.

Таблица 1
0
Рис. 1а
9
1
0,5

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 15.01.2019
Рецензия:Уважаемый

Борисов Александр Васильевич

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора КП307В построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора КТ819А определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока б
Электротехника и электроника СибГУТИ Работа Контрольная
User Coder : 27 июня 2018
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo

Другие работы

Денежно-кредитная политика как составная часть экономической политики государства
Денежно-кредитная политика является составной частью экономической политики государства, главные стратегические цели которой — повышение благосостояния населения и обеспечение максимальной занятости. В связи с этими основными ориентирами макроэкономической политики правительства обычно выступают обеспечение роста ВВП и снижение инфляции. Реальная макроэкономическая ситуация может вносить определенные коррективы в формулировку целей макроэкономической политики. В соответствии с принятыми на теку
Работа Экономика
User Lokard : 12 ноября 2013
15 руб.
Математический анализ. Контрольная работа №1 Вариант: №04, 1-й сем.
Задача 1. a) Найти предел функций lim((3x^4-x^2+6)/(2x^4-x+2)) . b) Найти предел функций lim((5x)/arctgx) c) Найти предел функций lim(1+2x)^1/x Задача 2. Найти значение производной данной функций в точке x=0, y=2^x *sin2x Задача 3. Провести исследование функций с указанием а) области определения и точек разрыва; б) экстремумов; с) асимптот. По полученным данным построить графики функций f(x)=4x(4+x^2) И т.д.
Математический анализ СибГУТИ Работа Контрольная
User Vasay2010 : 29 апреля 2015
48 руб.
Психологическое консультирование родителей младших школьников (на примере диагностики степени тревожности и развития внимания)
Поступление ребенка в школу связано с возникновением важнейшего личностного новообразования – внутренней позиции школьника. Внутренняя позиция – это тот мотивационный центр, который обеспечивает направленность ребенка на учебу, его эмоционально-положительное отношение к школе, стремление соответствовать образу хорошего ученика. В тех случаях, когда важнейшие потребности ребенка, отражающие его внутреннюю позицию школьника, не удовлетворены, он может переживать устойчивое эмоциональное неблагопол
Психология Работа
User alfFRED : 12 октября 2013
5 руб.
Расчет и проектирование технологического процесса механической обработки детали "Корпус клапана"
Введение Производственно-технологическая часть Анализ служебного назначения детали и условий её работы Анализ базового технологического процесса Анализ исходных данных Определение типа организации производства на участке Отработка конструкции детали на технологичность Установление вида заготовки и метода её изготовления Выбор технологических базовых поверхностей Выбор методов и определение последовательности обработки поверхности заготовки Расчёт операционных припусков и предельных размеров Расч
Машиностроение Работа Курсовая
User Aronitue9 : 27 декабря 2014
45 руб.
Расчет и проектирование технологического процесса механической обработки детали "Корпус клапана"
up Наверх