Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).10-й Вариант

Цена:
130 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1AB0B31B-A4D7-47DC-ADCD-A03FD692F2BF.rar [ 137 KB ]
material.view.file_icon Контрольная работа Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).doc [ 222 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1.

По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.

Задача 2.

Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.

Задача 3.

В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.

Таблица 1
0
Рис. 1а
9
1
0,5

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 15.01.2019
Рецензия:Уважаемый

Борисов Александр Васильевич

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора КП307В построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора КТ819А определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока б
Электротехника и электроника СибГУТИ Работа Контрольная
User Coder : 27 июня 2018
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo

Другие работы

Chevrolet Cobalt SS
Chevrolet Cobalt SS 3d model Detailed, Midpoly 3d model of Chevrolet Cobalt SS with standard materials and bitmaps. Шевроле Кобальт СС(Chevrolet Cobalt SS) разгоняется с нуля до 100 км/ч за 5,7 секунд, проходит четверть мили за 14,2 секунд на скорости 165 км/ч(авто до обновления разгонялся с нуля до сотни за 6,1 сек. а 0,25 миль проезжал за 14,6 сек на скорости 160 км/ч). Кроме этого, появился контроль зажигания и режим "No-lift shift". С помощью бортового компьютера можно установить лимит оборо
3D моделирование и проектирование Материалы
User shoom : 5 декабря 2010
Chevrolet Cobalt SS
Некрасов Б.Б. Задачник по гидравлике, гидромашинам и гидроприводу Задача 1.27
Определить показание мановаккууметра рмв, если к штоку поршня приложена сила F=0,1 кН, его диаметр d=100 мм, высота Н=1,5 м, плотность жидкости ρ=800 кг/м³.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 3 декабря 2025
130 руб.
Некрасов Б.Б. Задачник по гидравлике, гидромашинам и гидроприводу Задача 1.27
Технологическая (проектно-технологическая практика).
Содержание ВВЕДЕНИЕ 3 1 Требования законодательства в части обеспечения защиты персональных данных на предприятиях, не являющихся государственными структурами 4 2 Средства защиты персональных данных 8 3 Политика работы с персональными данными 15 4 Как избежать похищение персональных данных 22 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 27 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 28 ВВЕДЕНИЕ Технологическая (проектно-технологическая) практика является составной частью учебного процесса подготовки квалифицированных специалистов. Актуаль
СибГУТИ Технологическая практика Практические занятия и отчеты
User IT-STUDHELP : 16 мая 2022
700 руб.
promo
Курсовая работа по дисциплине: Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. Вариант №2
Содержание Введение 3 1. Методы регистрации 4 1.1. Регистрация посылок методом стробирования. 4 1.2. Интегральный метод регистрации. 5 1.3. Сравнение методов регистрации. 8 Задача №1 9 2.Синхронизация в системах ПДС 11 2.1. Устройства синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов. 12 2.2. Параметры системы синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов. 13 2.3. Расчет параметров системы синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов. 15 Задача № 2 15 Задача № 3 17 Задача № 4 17 3
ДО СИБГУТИ Основы построения телекоммуникационных систем и сетей Работа Курсовая
User Учеба "Под ключ" : 6 августа 2017
1000 руб.
promo
up Наверх