Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).10-й Вариант

Цена:
130 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1AB0B31B-A4D7-47DC-ADCD-A03FD692F2BF.rar [137 KB]
material.view.file_icon Контрольная работа Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).doc [Office 2010, 14 стр., 222 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1.

По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.

Задача 2.

Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.

Задача 3.

В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.

Таблица 1
0
Рис. 1а
9
1
0,5

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 15.01.2019
Рецензия:Уважаемый

Борисов Александр Васильевич

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора КП307В построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора КТ819А определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока б
Электротехника и электроника СибГУТИ Работа Контрольная
User Coder : 27 июня 2018
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. 8-й вариант.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo

Другие работы

Зачетная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Билет №5.
ТЗ № 1. Количество основных видов, согласно ГОСТ 2.305… ТЗ № 2. Обозначение изображения по ГОСТ 2.305 ТЗ № 3. Вид детали слева, если даны два вида: спереди и сверху ТЗ № 4. Изображение сложного ломаного разреза по ГОСТ 2.305 ТЗ № 5. Заданному разрезу соответствует вид сверху ТЗ № 6. Разрешается поворачивать УГО элементов в схемах электрических на угол ТЗ № 7. Выбрать форму записи элементов схемы электрической в перечень, НЕ соответствующую действующим стандартам ТЗ № 8. При выполнении схем изме
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Инженерная графика
User teacher-sib : 15 апреля 2017
60 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Билет №5. promo
Контрольная работа.По дисциплине: «Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2) ». Вариант №12
Задания на контрольную работу. 1. Схема рассчитываемого усилителя. 2. Выбор режима работы транзистора. 3. Расчет цепей питания по постоянному току (сопротивлений схемы). 4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току (с обоснованием процесса построения). 5. Определение входного сопротивления усилительного каскада по переменному току. 6. Расчет стабилизации режима работы транзистора.
СибГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Контрольная
User Колька : 18 сентября 2017
70 руб.
Контрольная работа.По дисциплине: «Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 2) ». Вариант №12
Лабораторная работа №3. Базы данных. 10-й вариант
Лабораторная работа № 3 Цель работы: Приобрести навыки создания запросов, использующих данные из нескольких связанных таблиц
СибГУТИ Базы данных Работа Лабораторная
User Despite : 14 мая 2015
60 руб.
Подозреваемый и обвиняемый в уголовном процессе
Введение. Глава I. Понятие обвиняемого и подозреваемого в уголовно – процессуальном законодательстве России. 1.1 Понятие "подозреваемый" и момент его появления в уголовном процессе. Особенности трактовки понятия и момента появления подозреваемого в УПК РФ. 1.2 Понятие "обвиняемый" и момент его появление в уголовном процессе. Особенности трактовки понятия и момента появления обвиняемого в УПК РФ. Глава II. Процессуальное положение подозреваемого. 2.1 Процессуальные права подозреваемого. 2.2 Обяза
Право уголовное Работа
User Lokard : 12 марта 2014
25 руб.
up Наверх