3 семестр ДО. «Физические основы электроники». Контрольная работа. В3

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ_Филипова М.П._СБТ-51_В-3.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора КТ603А, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Таблица 1.
Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
КТ603А 60 1000 250 150 100 2,25 90

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.


Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты 1⁄2 Н211⁄2 /h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы 3. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3 семестр. Вариант3/0
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
User ramzes14 : 27 февраля 2012
70 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
User Seregos : 4 января 2010
Физические основы электроники. Контрольная работа
Контрольная работа: Физические основы электроники
Биполярный транзистор. Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
User Лесник : 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант No2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
User madamm : 17 декабря 2008
220 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Физика (спецглавы). 2-й семестр. Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4.
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение 3. Описание лабораторной установки Схема лабораторной установки приведена на рис.1. Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец накле
User Ирина16 : 1 июня 2017
70 руб.
Организация малого бизнеса на примере Китая
В 2002 году в Китае был принят «Закон о стимулировании развития малых и средних предприятий», который призван максимально уравнять эти предприятия в правах с крупными компаниями, особенно в вопросах доступа к современной технике, рыночной информации и к финансированию. 2003 г. на XVI съезде КПК (Коммунистической партии Китая) была утверждена программа социально-экономического развития страны до 2020 ., нацеленная на создание базы, обеспечивающей к 2050 г. коренную модернизацию экономики Китая,
User alfFRED : 5 ноября 2013
10 руб.
Проектирование электростанции ГРЭС-3400 МВт
В КП была спроектирована государственная районная электростанция мощностью 3400 МВт, связанная с энергосистемой воздушными линиями 330 кВ и линиями 110 кВ с потребителем. При выборе оборудования были учтены рекомендации НТП, а также использованы новые разработки в области энергетики. В частности, были использованы генераторы новой серии с тройным водяным охлаждением типа Т3В. В настоящее время изготовлены и успешно работают на электростанциях четыре турбогенератора Т3В-63-2 и три турбогенераторо
User 1000000 : 10 января 2025
600 руб.
Экологическая безопасность при обработке конструкций кондиционеров завода "Кондиционер"
Содержание. Введение. Обзор литературы Рациональное водопотребление в гальваническом производстве. Структура водопотребления. Промывка Очистка сточных вод от ионов тяжелых металлов. Очистка сточных вод от ионов хрома. Источники поступления соединений хрома в сточные воды. Современные методы очистки сточных вод от ионов хрома. Физико-химические методы очистки вод. Флотация. Электрохимические методы очистки сточных вод Электрофлотация. Электрофлотационный метод извлечения ионов металлов
User OstVER : 19 октября 2013
5 руб.
up Наверх