3 семестр ДО. «Физические основы электроники». Контрольная работа. В3

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ_Филипова М.П._СБТ-51_В-3.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора КТ603А, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Таблица 1.
Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
КТ603А 60 1000 250 150 100 2,25 90

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.


Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты 1⁄2 Н211⁄2 /h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы 3. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3 семестр. Вариант3/0
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллекто
User ramzes14 : 27 февраля 2012
70 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
User Seregos : 4 января 2010
Физические основы электроники. Контрольная работа
Контрольная работа: Физические основы электроники
Биполярный транзистор. Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
User Лесник : 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант No2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
User madamm : 17 декабря 2008
220 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Зачет по дисциплине: Основы антикоррупционной культуры. Билет 16
Билет №16 Социальное конструирование коррупции в эпоху Древней Руси и Московского Царства (IX XVII вв.) Объем ответа - 9 стр.
User xtrail : 1 августа 2024
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Философия» СибГУТИ
Контрольная работа По дисциплине: «Философия» 1."Материалистами называются философы, которые признают лишь существование материальных вещей и тел" /Вольф Х./ Можно ли согласиться с этим определением? 2. Английский философ и ученый Бертран Рассел, размышляя над вопросом о специфике философии и ее месте в духовной культуре общества, заметил: "Философия, как я буду понимать это слово, является чем-то промежуточным между теологией и наукой. Подобно теологии, она состоит в спекуляциях по поводу пр
User Sinner69 : 3 июня 2021
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Философия» СибГУТИ
Смоленская крепостная стена
В настоящее время оборонительные сооружения Смоленска представлены остатками крепостной стены, созданной Федором Конем, и фрагментами предшествующего ей земляного вала. Несмотря на относительно позднюю дату этих сооружений, есть основания предполагать, что город был укреплен уже в начальный период своего существования, о чем свидетельствует упоминание Смоленска как города во вводной части "Повести временных лет", а также оценка его укреплений Константином Багрянородным ("Об управлении государств
User Qiwir : 26 августа 2013
10 руб.
Диагностика и ремонт автомобильного транспорта
Контрольная работа по 3-м вопросам (10 вариант) 1. Техник А сказал, что ЭБУ двигателя игнорирует сигнал датчика кислорода в режиме работы без обратной связи. Техник Б сказал, что ЭБУ двигателя игнорирует сигнал датчика кислорода в режиме работы с обратной связью. Кто из них прав? 2. Укажите назначение гидрокорректора (электрокорректора) света фар. Как нужно использовать это устройство при проведении регулировки света фар? 3. Какими приборами можно определить степень разряда аккумулятора? Каков д
User ilji : 22 апреля 2012
up Наверх