Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники, вариант 6

Цена:
180 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 88E6AE3B-0225-4DD2-95D5-A23F3EFCD65C.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Дополнительная информация

год сдачи - 12.2018

оценка - зачет

проверил - Савиных Валерий Леонидович
Лабораторная работа №2 по дисциплине: "Физические основы электроники"
Тема: " Исследование статических характеристик биполярного транзистора " 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Отчет о работе 2.1 Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. 2.1.1Снять две входные характеристики тра
User wowan1190 : 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Ход выполнения работы В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным
User 4eJIuk : 11 апреля 2011
70 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Лабораторная работа 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом. 1 Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2 Подготовка к работе 3 Схемы исследования Cхема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. При
User Alexbur1971 : 9 декабря 2021
100 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Лабораторная работа №2. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках *-*. 2. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования выходных характеристик с ОБ
User Колька : 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Выводы по работе В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик биполярного транзистора, на экспериментальной установке получены осциллограммы этих характеристик, построены соответствующие графики. Виды полученных характеристик соответствуют данным, приведенным в с
User sec1or : 15 мая 2012
200 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
Лаб. работа №1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
User JuliaRass : 23 января 2013
150 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №6.
1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэф-фициенты усиления по току
User Grusha : 1 июля 2015
120 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
"Цифровое неравенство" как проблема становления информационного общества
Введение 1. Понятие «цифрового неравенства» 2. Пути преодоления цифрового неравенства 3. Проблема цифрового неравенства в России и возможные пути её решения Заключение Список использованной литературы
User ivanPBT22 : 28 мая 2015
200 руб.
Образование как фактор профессионального успеха
В начале 90-х гг. успешность труда в России определялась не столько наличием профильного образования, сколько его отсутствием. Сейчас же все больше ценятся профессионалы, имеющие развернутый опыт, современные навыки, и знающие свой труд в тонкостях и нюансах. Эдуард Михайлович Коротков, доктор экономических наук, профессор Государственного университета управления (г. Москва). Условия современного российского бизнеса таковы, что в конце 80-х — начале 90-х гг. успешность труда в России определялас
User alfFRED : 15 ноября 2012
10 руб.
Одноэтажное производственное здание
Одноповерхова виробнича будівля 1. Загальні положення .......................... 3 1.1 Вихідні дані ............................. 3 1.2 Забезпечення просторової жорсткості .................. 5 2. Розрахунок конструкції покриття ..................... 7 2.1 Розрахунок дощатих щитів ................... 7 2.2 Розрахунок розрізних прогонів ................ 10 3. Розрахунок трикутної ферми ......................12 3.1 Вибір конструктивної схеми. Матеріали для конструкцій.......12 3.2 Статичний розраху
User cybikrybik : 24 марта 2020
200 руб.
Одноэтажное производственное здание
Разработка технологического процесса восстановления детали выпускной клапан
Проект содержит: 23 с., 2 рисунка,2 таблиц, 3 формата А1 графического материала ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДЕТАЛИ Объектом курсовой работы является выпускной клапан двигателя автомобиля ГАЗ-69. В процессе выполнения курсового проекта были выбраны способы восстановления дефектов детали, была разработана маршрутная карта восстановления дефектов, выбрано оборудование, приспособление и инструмент, рассчитаны режимы и нормы времени для выполнения каждой операции. Б
User konstruktor_ns : 12 октября 2016
120 руб.
Разработка технологического процесса восстановления детали выпускной клапан
up Наверх