Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2).Контрольная работа. Вариант 10 Экзаменационная работа. Билет 15
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
цифра студенческого пароля 0
Принципиальная схема элемента Рис. 1а
Напряжение питания, В. 9
Пороговые напряженияМДП
транзисторов VT1 и VT2 1
Уровень входного напряжения, В. 0,5
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
цифра студенческого пароля 0
Принципиальная схема элемента Рис. 1а
Напряжение питания, В. 9
Пороговые напряженияМДП
транзисторов VT1 и VT2 1
Уровень входного напряжения, В. 0,5
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 04.10.2016
Рецензия:Уважаемый .
Игнатов Александр Николаевич
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 09.10.2016
Рецензия:Уважаемый ,
Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 04.10.2016
Рецензия:Уважаемый .
Игнатов Александр Николаевич
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 09.10.2016
Рецензия:Уважаемый ,
Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзаменационная работа. Билет 15
Bodibilder
: 20 мая 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттеро
40 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Зачет. Билет №15
holm4enko87
: 11 ноября 2024
1.Определение автоколебательной цепи. Режим самовозбуждения и стационарный режим работы автогенератора.
2. Определить напряжение на выходе цепи при t=0 с помощью интеграла Дюамеля.
40 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Зачет. Билет №15
uberdeal789
: 30 ноября 2014
Билет № 15 для зачета по дисциплине "Электротехника и электроника"
1.Определение автоколебательной цепи. Режим самовозбуждения и стационарный режим работы автогенератора.
2. Определить напряжение на выходе цепи при t=0 с помощью интеграла Дюамеля.
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника,электроника и схемотехника (ч.2-я). Билет №15
najdac
: 15 ноября 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
78 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Другие работы
Основные концепции самоорганизации: И. Пригожин и Г. Хакен
Aronitue9
: 10 сентября 2012
Содержание:
1. Введение в теорию самоорганизации.....................................3
2. Основные концепции самоорганизации Г. Хакена................6
3. Основные концепции самоорганизации И. Пригожина........15
Вывод….........................................................................................22
Список литературы.......................................................................23
Постулат о способности материи к саморазвитию в философию был введен достаточно давно. А вот его
25 руб.
Факторы золотовалютных резервов
Elfa254
: 9 ноября 2013
За последние годы в результате благоприятной для российской экономики внешнеторговой конъюнктуры и проводимой органами денежно-кредитного регулирования политики золотовалютные резервы Российской Федерации многократно возросли. Управление золотовалютными резервами (т.е. ее ликвидными резервными активами) стало одним из ключевых направлений валютной политики страны, поскольку они характеризуются следующими факторами:
- представляют собой национальные высоколиквидные резервы, которые относятся к в
30 руб.
Институт политической власти и особенности её функционирования в современной Республике Беларусь
Elfa254
: 12 января 2014
Содержание
Введение
Глава 1. Природа политической власти
1.1 Власть как общественное явление. Понятие и происхождение политической власти
1.2 Структура политической власти. Механизмы функционирования политической власти
1.3 Основные функции, принципы, формы и уровни политической власти
Глава 2. Особенности функционирования политической власти в Республике Беларусь
2.1 Исторический процесс организации политической власти в Республики Беларусь
2.2 Конституция Республики Беларусь о власти
2.3 Новые
5 руб.