Физические основы электроники Лабораторная работа №1

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8F9442BB-9C3F-490B-AEB0-FCA11D5DF785.rar [ 121 KB ]
material.view.file_icon Лаб-1, ФОЭ.docx [ 139 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1 . Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

2. Подготовка к работе

3 . Схемы исследования

На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.

При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.

Для исследования характеристики стабилитрона используется схема, приведенная на рисунке 1.3.

На рисунке 1.4 приведена схема для исследования однополупериодного выпрямителя. Используется германиевый диод.

Дополнительная информация

Лабораторная работа 1 
15.11.2018 20.11.2018 
Зачет 
Уважаемый Д......., Ваша работа зачтена. Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.
Отчет по работе №1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Результаты исследования 1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР) ...
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User kisa7 : 20 июля 2012
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Вариант №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Gila : 17 января 2019
190 руб.

Другие работы

Влияние национального воспитания в семье на развитие детей дошкольного возраста
Содержание Введение Глава 1. Теоретическая часть 1.1 Теория привязанности 1.2 Роль матери в развитии ребенка 1.3 Роль и влияние общения в семье на психическое развитие ребенка 1.4 Стили родительского воспитания и их влияние на развитие детей 1.4.1 Авторитарный стиль 1.4.2 Либеральный стиль 1.4.3 Авторитетный стиль 1.5 Специфика и задачи воспитания в еврейской семье Глава 2. Практическая работа по исследованию взаимоотношений родителей и ребенка 2.1 Цель исследования 2.2 Задачи иссле
Психология Работа
User alfFRED : 15 октября 2013
10 руб.
Диплом
ТНВД
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты БГАУ
User selt1987 : 12 марта 2009
Диплом
Использование ЭВМ в исследовании функциональных узлов и блоков оборудования Лабораторная работа №11 вариант
Схема исследования №1. Поочередно подключаем лампочки.: Превышаем номинальное напряжение:
СибГУТИ Вычислительная техника и информационные технологии Работа Курсовая
User Ash89 : 4 мая 2014
30 руб.
СибГУТИ ЛР по физике Изучение характеристик электростатического поля
Изучение характеристик электростатического поля 1. Цель работы Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User BrinGe : 26 апреля 2009
200 руб.
up Наверх