Физические основы электроники Лабораторная работа №1

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8F9442BB-9C3F-490B-AEB0-FCA11D5DF785.rar [121 KB]
material.view.file_icon Лаб-1, ФОЭ.docx [139 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1 . Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

2. Подготовка к работе

3 . Схемы исследования

На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.

При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.

Для исследования характеристики стабилитрона используется схема, приведенная на рисунке 1.3.

На рисунке 1.4 приведена схема для исследования однополупериодного выпрямителя. Используется германиевый диод.

Дополнительная информация

Лабораторная работа 1 
15.11.2018 20.11.2018 
Зачет 
Уважаемый Д......., Ваша работа зачтена. Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1.
Отчет по работе №1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Результаты исследования 1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР) ...
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User kisa7 : 20 июля 2012
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Вариант №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Gila : 17 января 2019
190 руб.

Другие работы

Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 54
Определение плотности лучистого теплового потока между двумя параллельным плоскими стенками Определить плотность лучистого теплового потока между двумя, параллельно расположенными, плоскими стенками, имеющими температуры t1, ºС и t2, ºС, а степени черноты поверхностей соответственно равны ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при наличии между стенками экрана, со степенями черноты с обеих сторон εэк = 0,025. Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвектив
Задачи Теплотехника
User Z24 : 4 февраля 2026
250 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 54
Экономические закономерности формирования и принципы развития промышленных агломераций
ВСТУПЛЕНИЕ 1. ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И ПРИНЦИПЫ РАЗВИТИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ АГЛОМЕРАЦИЙ 1.1 Закономерность приядерной и примагистральной территориальной концентрации производства 1.2 Закономерность усиления диверсификации и специализации производства 1.3 Закономерность роста региональной конкурентоспособности промышленных предприятий агломерации олигополистического характера 1.4 Закономерность роста трудонасыщенности производства при приближении к ядру агломерации, а фондонасыщ
Рефераты Экономика
User alfFRED : 24 сентября 2013
10 руб.
Податкова система України: теорія і практика становлення
План 1. Створення податкової служби України. 3 2. Реформування податкової системи в Україні 5 3. Основні положення оподатковування в Україні 14 Висновок. 16 Список використаної літератури. 17 1. Створення податкової служби України. З розпадом Радянського Союзу Україна стала на шлях самостійного державного розвитку, прийнявши курс на побудову ринкової економіки. Отримавши в спадщину від колишнього ладу викривлену структуру економіки, ми опинились перед необхідністю корінного перетворення в
Работа Экономика
User evelin : 2 ноября 2013
5 руб.
Насос шестеренный 53.000
Насос шестеренный 53.000 сборочный чертеж Насос шестеренный 53.000 спецификация Насос шестеренный 53.000 3d модель Насос шестеренный 53.000 чертежи Корпус 53.001 Крышка 53.002 Прокладка 53.003 Крышка 53.004 Втулка 53.005 Гайка накидная 53.006 Втулка уплотнительная 53.007 Вал 53.008 Зубчатое колесо 53.009 Зубчатое колесо 53.010 Вал 53.011 Втулка 53.012 Втулка переходная 53.013 Шестеренный насос применяется для подачи жидкости. В корпусе 2 размещены зубчатые колеса 9 и 10. Крышки 1, 4 плотно прис
Компьютерная графика ВГМХА Практические занятия и отчеты
User vermux1 : 14 октября 2021
350 руб.
Насос шестеренный 53.000 promo
up Наверх