Физические основы электроники.

Лаб раб.No2
Отчет по работе No2
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1.

Таблица 2.1. Транзистор МП37А.
UКБ, В IЭ, мА 0,1 1 2 4 6 8
0 UЭБ, В 0 0,22 0,28 0,35 0,42 0,5
8 UЭБ, В 0 0,15 0,18 0,2 0,22 0,24

2.1.2. Снять три выходные характеристики транзистора IК = f(UКБ). Первую для IЭ = 0, вторую для IЭ = 2 мА и третью для IЭ = 5 мА (график 2). Результаты измерений занести в таблицу 2.2.

Таблица 2.2. Транзистор МП37А.
IЭ, мА UКБ, В 0 0,5 1 2 5 8
0 IКБ0, мкА 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
2 IК, мА 2,1 2,1 2,1 2,1 2,1 2,1
5 IК, мА 5,1 5,1 5,1 5,1 5,1 5,1


2.2. Исследовать БТ для схемы с ОЭ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведена на рис. 2.2.
2.2.1. Снять две входные характеристики IБ = f(UБЭ): одну при UКЭ = 0, вторую при UКЭ = 5 В (график 4). Результаты измерений занести в таблицу 2.3.

Таблица 2.3. Транзистор МП37А.
UКЭ, В IБ, мкА 0 50 100 150 200 250 300
0 UБЭ, В 0 0,08 0,11 0,12 0,13 0,14 0,15
5 UБЭ, В 0,08 0,16 0,18 0,2 0,21 0,22 0,24

2.2.2. Снять семейство из 6 выходных характеристик IК = f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая IБ = 0 (график 5). Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т. е. UКЭ = 0 - 1 В, а так же не превосходить мощность рассеивания на коллекторе (UКЭ∙IК = РК<РК max = 150 мВт). Результаты измерений заносятся в таблицу 2.4.

Таблица 2.4. Транзистор МП37А.
IБ, мкА UКЭ, В 0,1 0,2 0,5 1 2 3
0 IКЭ0, мкА 150 200 200 200 200 200
50 IК, мА 1,1 1,2 1,3 1,4 1,4 1,5
100 IК, мА 2,0 2,2 2,8 2,9 3,0 3,1
150 IК, мА 2,0 4,0 4,6 4,8 4,9 5,0
200 IК, мА 2,0 5,0 6,5 6,6 6,8 6,9
250 IК, мА 2,0 6,0 8,4 8,5 8,6 8,8

2.3. Исследовать работу усилителя.
Схема исследования усилителя на БТ приведена на рис. 2.3.
Режим работы транзистора определяется уровнем напряжения источника смещения ECM. Режим работы при подаче постоянных напряжений и в отсутствие на его входе Um напряжения электрического сигнала, который требуется усилить, называется режимом покоя.
Рабочая точка на IК = f(UКЭ) двигается по нагрузочной прямой АВ относительно точки покоя P. По ее перемещению строим IК = f(t) и UК = f(t), UВЫХ оказывается сдвинутым на 180 0 от UВХ, т. е. не только усиливает, но и инвертирует входной сигнал (осциллограмма 1).
При смещении точки рабочей P на характеристике и подав на вход сигнал с такой же амплитудой, мы выйдем за пределы прямолинейного участка АВ. Работа усилителя на биполярном транзисторе ограничена в двух точках: в точке В - в режим отсечки (осциллограмма 2), а в точке А транзистор входит в режим насыщения (осциллограмма 3).

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 01.05.2019
Савиных Валерий Леонидович