Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для всех вариантов
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике No2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике No3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
5. Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.
Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
5. Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исследований транзистора.
5.2 Таблицы с результатами исследований.
5.3 График характеристики прямой передачи
5.4 Семейство выходных характеристик
5.5 Определить крутизну в двух точках характеристики прямой передачи: при напряжении UЗИ= 0 В и UЗИ= 0,5∙UЗИ0
5.6 Привести осциллограммы работы усилителя.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике No2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике No3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
5. Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.
Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
5. Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исследований транзистора.
5.2 Таблицы с результатами исследований.
5.3 График характеристики прямой передачи
5.4 Семейство выходных характеристик
5.5 Определить крутизну в двух точках характеристики прямой передачи: при напряжении UЗИ= 0 В и UЗИ= 0,5∙UЗИ0
5.6 Привести осциллограммы работы усилителя.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.10.2019
Рецензия:Уважаемая
Игнатов Александр Николаевич
Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 28.10.2019
Рецензия:Уважаемая
Игнатов Александр Николаевич
Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Похожие материалы
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Леший
: 18 января 2021
Лабораторная работа 1
Тема работы
Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
==============================
Лабораторная работа 2
Тема работы
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора
==============================
Лабораторная работа 3
Тема работы
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов
150 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=========
400 руб.
Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №22
IT-STUDHELP
: 29 декабря 2021
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1. Исследование полупроводниковых диодов при прямом включении
2. Исследование полупроводниковых диодов при обратном включении
3. Исследование стабилитрона
4. Исследование выпрямителя
Отчет по лабораторной работе №2
Исс
450 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №1
svladislav987
: 9 ноября 2021
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Приме
200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Вариант №10
Лабораторная работа N1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
=============================================
Лабораторная работа N2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора
=========
700 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы.
Объем отчета составляет 2
55 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 1. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Лабораторная работа 1
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.
Таблица П.1.
6
D14A
D226D
KT315V
KP303D
160 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Другие работы
Графическая работа 2. Вариант 8 - Контур детали
Чертежи по сборнику Миронова 1984
: 27 марта 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Миронов Б.Г. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере.
Графическая работа 2. Вариант 8 - Контур детали
Вычертить контуры деталей, применяя правила построения сопряжений и деления окружностей на равные части.
В состав выполненной работы входят 2 файла:
1. Чертеж фор
80 руб.
Зачёт по Основам визуального программирования. Билет №3
pbv
: 12 февраля 2016
Вопрос 1. Разработать приложение, выполняющее следующие действия:
по нажатию на пункт меню (компонент TMainMenu) Start формируется двумерный массив Mas размером N x M с помощью генератора случайных чисел...
Вопрос 2. Создать таблицу Студенты. Работу с базой данных организовать, используя компонент TQuery....
100 руб.
Контрольная по дисциплине: Микропроцессорная техника в системах связи. Вариант 10
xtrail
: 14 августа 2024
Задание 1.
Разработать схему алгоритма и написать программу на языке программирования С. Вариант задания выбрать в соответствии с предпоследней цифрой шифра студента.
Вариант 1. Сформировать массив из 10 чисел. Найти наибольший элемент массива и его номер.
Схема алгоритма
Текст программы
Задание 2.
Разработать микропроцессорное устройство на основе микроконтроллера AduC842.
1. Привести схему устройства с описанием назначения элементов.
2. Разработать схему алгоритма и программу на языке прогр
500 руб.
Агрегат Азинмаш 43а. Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин
leha.se92@mail.ru
: 26 января 2022
Агрегат Азинмаш 43а-Дипломная работа-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин
1. ВЕДЕНИЕ
1.1. История развития промыслового машиностроения
В послевоенное время начинают разрабатываться месторождения Сибири, Среднего Поволжья, Башкирии и некоторых других районов существенным для интенсивного развития новых районов нефтедобычи явилась возможность использования имеющихся материально-технических ресурсов на новых перспективных пло
856 руб.