Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники" ВАРИАНТ 03
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ±50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=250 мкА.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора Рисунок П.Б.6 построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ±50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=250 мкА.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора Рисунок П.Б.6 построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.06.2019
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.06.2019
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 03
Roma967
: 26 сентября 2015
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
1000 руб.
Другие работы
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика Хабаровск ТОГУ Задача 18 Вариант 2
Z24
: 25 ноября 2025
По сифону (рис.17) диаметром d, длина которого L, вода с расходом Q переливается из резервуара A в резервуар Б. Определить разность горизонтов воды в резервуарах и величину наибольшего вакуума в сифоне. Расстояние от уровня воды в резервуаре А до центра тяжести сечения х-х равно z=3 м, а расстояние от начала сифона до сечения х-х 0,4L. Трубы стальные сварные, умеренно заржавевшие, температура воды t=20 ºC.
200 руб.
Вариант №4. Соединение шпоночное по методичке Липовки
Чертежи
: 8 мая 2019
Всё выполнено в программе Компас 3D v16
В состав входит один чертеж шпоночного соединения Вариант №4.
Работа выполнена по методичке Липовки Е.Р. "Инженерная графика. Соединения разъемные", ред. 2012г.
Шпоночное соединение выполнено на формате А3, по примеру из методички, без спецификации, вместо спецификации в работе вычерчивается используемая шпонка и подписывается её название с габаритами и ГОСТом.
Всё выполнено в программе Компас 3D v16
80 руб.
Плуг ППО-5-40 (чертеж общего вида)
kurs9
: 14 мая 2021
Плуг ППО-5-40 состоит из следующих сборочных единиц: рамы 1, тя-говой балки 2, корпусов правооборачивающих 3 с углоснимами правыми 4, корпусов левооборачивающих 5 с углоснимами левыми 6, навески 7, механизма оборота рамы 8, предохранителей 9, рамки 10, механизма регулировки глубины пахоты 11, хода колесного 12, гидросистемы 13, талрепа 14 и колеса опорного 15 (рисунок 4.14).
1 – рама; 2 – балка тяговая; 3 – корпус правооборачивающий; 4,6 – углосним; 5 – корпус левооборачивающий; 7 – навеск
390 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Современные технологии программирования. Абстрактный тип данных (ADT) «p - ичная память» (Вариант общий для номеров 1-8)
Учеба "Под ключ"
: 30 декабря 2016
Тема: Классы Object Pascal, С++
Цель: Сформировать практические навыки: реализации абстрактного типа данных с помощью классов Object Pascal, С++.
Задание
1. В соответствии с приведенной ниже спецификацией реализовать абстрактный тип данных «р-ичная память», используя класс
• Object Pascal,
• C++.
2. Протестировать каждую операцию, определенную на типе данных одним из методов тестирования.
Спецификация типа данных «р-ичная память».
ADT TMemory
Данные
Р-ичная память (тип TMemory, в дальнейшем -
300 руб.