Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники" ВАРИАНТ 03
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ±50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=250 мкА.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора Рисунок П.Б.6 построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ±50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=250 мкА.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения А. По выходным характеристикам полевого транзистора Рисунок П.Б.6 построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.06.2019
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.06.2019
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 03
Roma967
: 26 сентября 2015
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
1000 руб.
Другие работы
Английский язык. 2-й семестр. Экзамен
fred_student
: 2 октября 2014
Задание 1.Выберите правильную форму глагола.
1. No city has cables ___laid__ directly.
a. lay
b. are laying
c. laid
2. Computers __are used______ to perform series of mathematical operations.
a. are used
b. are using
c. have used
3. _To reduce__ power losses, thick wires should be used.
a. Reducing
b. To reduce
c. Having reduced
100 руб.
Технология разработки телекоммуникационных сервисов. Билет №19
ToPool
: 5 января 2022
Экзамен
по дисциплине: Технология разработки
телекоммуникационных сервисов
Билет: 19
Проверил:
Кокорева Е.В.
Билет 19
1. Общие сведения о технологии JavaSpaces.
2. Структура приложения Android. Папки проекта и их содержимое.
3. Задача (тема «Технология сервлетов»).
Введите пропущенное название в описании класса-сервлета.
import javax.servlet.*;
import java.util.*;
import java.io.*;
@WebServlet(name = "MyServlet", URLPattern = {"/MyServlet"})
public class MyServlet extends ______________ {
220 руб.
Основы криптографии. Работы лабораторные №№1,2,3. Вариант общий.
SemenovSam
: 23 мая 2017
Комплект из 3-х лабораторных работ.
Лабораторная работа № 1
Тема: Шифры с открытым ключом (Глава 2)
Лабораторная работа № 2
Тема: Шифры с секретным ключом (Глава 4)
Лабораторная работа № 3
Тема: Цифровая подпись (Глава 5)
150 руб.
Направляющие системы электросвязи. 11-й вариант
dralex
: 9 июля 2020
Курсовой проект на тему: ПРОЕКТИРОВАНИЕ МАГИСТРАЛЬНЫХ И ВНУТРИЗОНОВЫХ ВОЛП. Вариант 11. Трасса по варианту - Новгород-Великие Луки.
Содержание курсовой работы:
1. Введение
2. Задание и исходные данные
3. Выбор трассы кабельной линии связи
4. Определение числа каналов
5. Расчет параметров оптического кабеля
6. Выбор системы передачи и определение требуемого числа ОВ в кабеле
7. Расчет длины регенерационного участка
8. Схема размещения ОРП и НРП на трассе
9. Составление сметы на строительство лин
100 руб.