Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №02. Контрольная работа и Лабораторная работа №№1,2,3.

Цена:
75 руб.

Состав работы

material.view.file_icon D7C7C735-3EB7-4599-B7AB-44FED8156383.rar [2 MB]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_3.doc [1 MB]
material.view.file_icon ФОЭ 02.doc [1 MB]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_1.doc [289 KB]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_2.doc [616 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.

Контрольная работа

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=12
сопротивление нагрузки Rн=200
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=625
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=375.

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8


Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы 1, 2, 3. (Физические основы электроники)

Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.03.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 18.03.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.

Другие работы

Элеватор трубный ЭТА-П-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
РЕФЕРАТ В данном дипломном проекте рассматривается элеватор трубный ЭТА-П, усовершенствованная модель элеватора ЭТА-50. Конструкция проста в изготовлении, удобна при эксплуатации и его использование уменьшит трудозатраты, что положительно скажется на технико-экономических показателях. Пояснительная записка включает в себя 3 раздела: техническую часть, экономическую часть и раздел безопасности и экологичности проекта. В техническую часть входят: назначение, описание конструкции элеватора, па
Нефтяная промышленность Диплом и связанное с ним ИНиГ
User https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27 : 28 февраля 2016
3485 руб.
Элеватор трубный ЭТА-П-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
Пневмоцилиндр КИКГ.ХХХХХХ.005
КИКГ.ХХХХХХ.005 Пневмоцилиндр сборочный чертеж КИКГ.ХХХХХХ.005 Пневмоцилиндр спецификация КИКГ.ХХХХ01.005 Корпус КИКГ.ХХХХ02.005 Крышка КИКГ.ХХХХ03.005 Основание КИКГ.ХХХХ04.005 Поршень КИКГ.ХХХХ05.005 Пружина КИКГ.ХХХХ06.005 Шток Пневмоцилиндры по принципу действия подразделяются на односторонние и двухсторонние. В одностороннем цилиндре сжатый воздух подается только в одну сторону от поршня 3. Обратный ход поршня осуществляется под действием пружины 5. Уплотнения служат для предотвращения уте
БелГУТ Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User coolns : 12 марта 2020
350 руб.
Пневмоцилиндр КИКГ.ХХХХХХ.005 promo
Распределенные системы. Вариант №13
Вариант 13. Производство цемента (млн. т). Страна 1937 1958 Китай 2.3 9.3 Польша 1.3 5.0 Чехословакия 1.3 4.1 Венгрия 0.3 1.3 Болгария 0.2 0.9 5.7 33.3 а) В какой стране в 1958г. произвели больше всего цемента? [страна, объем производства цемента в 1958г.]; б) В каких странах производство цемента в 1937г. было не меньше 1 млн. тонн? [страна, объем производства в 1937г.]. 1 Общие положения Дисциплина «Распределенные системы» рассматривает методы, способы и инструментальные средства п
ДО СИБГУТИ Распределенные системы и технологии Работа Контрольная
User Marina4 : 31 октября 2021
400 руб.
Распределенные системы. Вариант №13
Корпус. Вариант 11
Корпус. Вариант 11 Резьбовые соединения Наименование деталей: 1 – Плита нижняя 2 – Плита верхняя Для соединения деталей применить Болт М14х1,5. 1.Выполнить расчет элементов болтового соединения. 2.Начертить чертеж заданной конструкции в двух видах (главный вид и вид сверху). 3.Выполнить местный разрез для упрощенного изображения болтового соединения. 4.Нанести выносные и размерные линии. 5.Выполнить обводку изображений. 6.Проставить размерные числа. 7.Заполнить перечень элементов спецификаци
БИТТиУ Инженерная и компьютерная графика Работа Контрольная
User lepris : 5 сентября 2022
200 руб.
Корпус. Вариант 11
up Наверх