Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 03. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_3.doc
material.view.file_icon ФОЭ_вр_3.doc
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_1.doc
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_2.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 03. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.

Контрольная работа

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .

Исходные данные: транзистор KT603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА, f=100 МГц, | H|=2,25, tК=90пс.

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8


Лабораторные работы 1, 2, 3. (Физические основы электроники)

Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 11.04.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 11.04.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 05
Из резервуара при постоянном манометрическом давлении рм = (20 + 0,2·y) кПа и постоянном уровне H = (1,0 + 0,1·z) м вода вытекает по вертикальной трубе переменного сечения, нижний конец которой погружен в открытый резервуар. Определить расход Q в трубе и полное гидростатическое давление р2 в сечении 2 – 2, расположенном на высоте h = (0,5 + 0,02·y) = 0,58 м от свободной поверхности нижнего резервуара, если d1 = (50 + 5·z) = 95 мм, d2 = (75 + 2·y) = 83 мм (рис. 7). Учитывать только местные
User Z24 : 1 января 2026
250 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 7 Вариант 05
Психосоматичні особливості перебігу хвороб органів дихання
ВСТУП РОЗДІЛ 1 Захворювання органів дихання 1.1 Бронхіальна астма 1.1.1 Психоаналіз 1.1.2 Поведінкова психологія 1.1.3 Системний підхід 1.1.4 Астма й емоції 1.1.5 Астматичний дистрес 1.1.6 Образ власного „я” у дітей з бронхіальною астмою 1.2 Кашель 1.3 Афонія РОЗДІЛ ІІ Матеріал та методи дослідження 2.1 Характеристика методів дослідження 2.2 Характеристика обстежуваних РОЗДІЛ ІІІ Результати дослідження ВИСНОВКИ СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ ВСТУП За сучасних екологічних умов досить поширеними
User elementpio : 3 февраля 2013
Некрасов Б.Б. Задачник по гидравлике, гидромашинам и гидроприводу Задача 1.27
Определить показание мановаккууметра рмв, если к штоку поршня приложена сила F=0,1 кН, его диаметр d=100 мм, высота Н=1,5 м, плотность жидкости ρ=800 кг/м³.
User Z24 : 3 декабря 2025
130 руб.
Некрасов Б.Б. Задачник по гидравлике, гидромашинам и гидроприводу Задача 1.27
Контрольная работа по дисциплине Построение беспроводных систем (ДВ 8.2) Вариант 01
1. Задание и исходные данные для контрольной работы 1. Привести краткую характеристику заданного стандарта 2. Для заданных параметров станций рассчитать радиус зоны обслуживания БС Предпоследняя цифра номера студенческого билета Тип местности Значение холмистости Последняя цифра номера студенческого билета Используемый стандарт Тип антенны Параметры БС Параметры МС Мощность передатчика, Вт Коэффициент усиления антенны, дБ Высота антенны, м Чувствительность приемника, дБм Мощность передат
User Valek912 : 3 мая 2023
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине Построение беспроводных систем (ДВ 8.2) Вариант 01
up Наверх