Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 08. Контрольная работа и Лабораторная работа №№1,2,3.

Цена:
75 руб.

Состав работы

material.view.file_icon F9CE046C-CDE9-465B-A499-638759E59BAF.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_1.doc [ 289 KB ]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_2.doc [ 616 KB ]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_3.doc [ 1 MB ]
material.view.file_icon ФОЭ_вр_08.docx [ 1016 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 08. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.

Контрольная работа

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .

Исходные данные: транзистор KT605А, напряжение питания ЕК=15В, сопротивление нагрузки RН = 250 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 375 мкА, f=20 МГц, | H|=2,75, tК=220пс.

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8


Лабораторные работы 1, 2, 3. (Физические основы электроники)

Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 24.04.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 24.04.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.

Другие работы

Стратегическое планирование в маркетинге
Понятия стратегического планирования Оценка текущего состояния бизнеса и перспектив его развития Анализ хозяйственного и продуктового портфелей SWOT-анализ Выбор миссии и стратегических целей Базисные стратегии развития организации Маркетинг в стратегическом планировании Слово «стратегия» означает «искусство развертывания войск в бою». За последние 20 лет это понятие широко вошло в обиход специалистов, теорию и практику менеджмента как набор правил, которыми руководствуется организация при п
Рефераты Маркетинг
User GnobYTEL : 21 января 2012
10 руб.
Совершенствование технологии ремонта колосового элеватора комбайна Дон – 1500 в ОАО «Минский райагросервис» с модернизацией станочного приспособления для фрезерной операции
Дипломный проект Расчетно – пояснительная записка на 116 с., графическая часть на 10 листах формата А1, таблиц 19 , иллюстраций 4 , приложения. Ключевые слова: технология, колосовой элеватор, рабочее место, оснастка, предельно – допустимая концентрация, технико – экономические показатели. В проекте приведены анализ ремонтного предприятия и его производственных подразделений, анализ существующих технологий ремонта. По результатам анализа разработана перспективная, ресурсосберегающая техно
Диплом и связанное с ним Сельскохозяйственные машины
User Shloma : 3 июня 2020
1590 руб.
Совершенствование технологии ремонта колосового элеватора комбайна Дон – 1500 в ОАО «Минский райагросервис» с модернизацией станочного приспособления для фрезерной операции
«Схемотехника» Вариант №1..4-й семестр
Контрольная работа из 3-х задач. Условия задач: Задача1: Создать таблицу состояний регистра с обратной связью. Задача2: Составить схему для выходного сигнала. Т1=63мкс, Т2=31мкс. Т3=1мкс. Задача3: Определить модуль коэффициента передачи устройства.
Схемотехника Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики Работа Контрольная
User Mental : 1 апреля 2018
150 руб.
«Схемотехника» Вариант №1..4-й семестр
Системы радиочастотной идентификации. Билет №70
Билет №70 1. Процесс распознавания объекта или субъекта по его идентификатору это: 4. Перечислите недостатки применения штрих-кодов. 7. Могут ли СРЧИ работать внутри изделия? 18. В каком режиме передача данных от транспондера к считывателю осуществляется одновременно с передачей данных в обратном направлении? 19. Дайте определение модуляции. 35. Что обозначает логическая "1" на выходе однобитного транспондера? 42. Перечислите, на каких частотах образуются субгармоники для передачи данных устройс
СибГУТИ Работа Зачетная Системы радиочастотной идентификации
User IT-STUDHELP : 26 ноября 2021
350 руб.
promo
up Наверх