"Физические основы электроники". Вариант 11. 2 курс, 4 семестр
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Данные, соответствующие варианту No11, согласно таблицы 1.1 приложения А
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Задача 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Данные, соответствующие варианту No11, согласно таблицы 1.1 приложения А
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Задача 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.05.2020
Рецензия:Уважаемый ....., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.05.2020
Рецензия:Уважаемый ....., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники. Билет 10. 2 курс, 4 семестр
Alexandr1305
: 10 июня 2020
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
50 руб.
Физические основы электроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с (ОБ) приведена на рисунке 1 а.
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №11.
costafel
: 24 марта 2015
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
250 руб.
Физические основы электроники, курсовая работа, вариант №11
parus10810
: 22 марта 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 11
1. Напряжение источника питания UПИТ = - 15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 7.
3. Входное сопротивление: RВХ = 0,47 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 2 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: F
1000 руб.
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Andreas74
: 5 марта 2019
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Приложение А. Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
8 КТ605А 15 250 625 375 20 2,75 220
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариан
70 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №11.
costafel
: 14 ноября 2015
1.Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3.Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
320 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Другие работы
Основание в сборе. Задание №16
lepris
: 24 сентября 2021
Основание в сборе. Задание 16
Сборочная единица "Основание в сборе" содержит три детали. В стаканы 2 вставляются втулки 3 и детали соединяются двумя винтами 5 (М10х16 ГОСТ 17473-80). Стаканы со втулками крепятся к основанию 1 двумя винтами 4 (М10х25 ГОСТ 1491-80), расположение стаканов см. на схеме.
Требуется:
а) Выполнить сборочный чертеж узла на формате А3 в масштабе 1:1.
Чертеж должен содержать главный вид с разрезом, вид сверху и вид слева с разрезом.
б) Составить спецификацию сборочной е
500 руб.
Стенд для испытания тормозных систем роликового типа для грузовых автомобилей
proekt-sto
: 29 декабря 2020
Содержание
ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………..……….4
1 ОБЗОР АНАЛОГОВ И ВЫБОР ПРОТОТИПА…………….....…………………….……5
2 РАСЧЁТ ИНЕРЦИОННОГО СТЕНДА ПРОВЕРКИ ТОРМОЗНОЙ СИСТЕМЫ………………11
2.1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ РОЛИКОВ СТЕНДА…………………………...……11
2.2 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ И ВЫБОР ВЫТАЛКИВАТЕЛЯ КОЛЁС…………….....13
2.3 РАСЧЁТ ПОДШИПНИКОВ РОЛИКОВ………………………………………………15
2.4 РАСЧЁТ МОМЕНТОВ ИНЕРЦИИ ВРАЩАЮЩИХСЯ МАСС…….………………….…16
2.5 РАСЧЁТ ИНЕРЦИОННОЙ МАССЫ СТЕНДА…………………………………………18
2.6 РАСЧЁТ ВАЛА РОЛИКОВ НА ПРОЧНОСТЬ
700 руб.
1-й курс. 1-й семестр. «Математический анализ». Экзамен. Билет № 11
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
1. Второй замечательный предел и следствия из него.
2. Приложения определенного интеграла: площадь плоской фигуры в декартовой и полярной системе координат.
3. Найти интервалы выпуклости и вогнутости кривой
4. Найти область определения функции
5. Найти интеграл
7. Исследовать сходимость интеграла
8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями.
50 руб.
Теплотехника Задача 3.54 Вариант 64
Z24
: 19 января 2026
Определение основных параметров газовой смеси в состояниях 1 и 2
1 кг газовой смеси заданного состава в % от объёма смеси совершает термодинамические процессы от состояния от 1 до состояния 2 с показателями n1=0; n2; n3=1; n4; n5=k; n6. Объём газовой смеси во всех процессах изменяется в ε=V2/V1 раз. Данная смесь обладает свойствами идеального газа. Начальное давление газовой смеси р1, МПа; начальная температура t1, ºС.
Определить основные параметры газовой смеси в состоянии 1 и в состоянии
500 руб.