"Физические основы электроники". Вариант 11. 2 курс, 4 семестр
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Данные, соответствующие варианту No11, согласно таблицы 1.1 приложения А
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Задача 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Данные, соответствующие варианту No11, согласно таблицы 1.1 приложения А
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Задача 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.05.2020
Рецензия:Уважаемый ....., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.05.2020
Рецензия:Уважаемый ....., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники. Билет 10. 2 курс, 4 семестр
Alexandr1305
: 10 июня 2020
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
50 руб.
Физические основы электроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с (ОБ) приведена на рисунке 1 а.
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №11.
costafel
: 24 марта 2015
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
250 руб.
Физические основы электроники, курсовая работа, вариант №11
parus10810
: 22 марта 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 11
1. Напряжение источника питания UПИТ = - 15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 7.
3. Входное сопротивление: RВХ = 0,47 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 2 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: F
1000 руб.
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Andreas74
: 5 марта 2019
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Приложение А. Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
8 КТ605А 15 250 625 375 20 2,75 220
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариан
70 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №11.
costafel
: 14 ноября 2015
1.Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3.Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
320 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Другие работы
Роль рынка региональных облигаций и их воздействие на экономику
evelin
: 3 ноября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1 Теоретические аспекты функционирования рынка региональных облигаций
1.1 Сущность понятия облигации
1.2 Виды и типы облигаций
1.3 Особенности функционирования рынка облигаций
2. Практическая оценка рынка региональных облигаций
2.1 Оценка рынка региональных облигаций субъектов Российской Федерации
2.2 Оценка регионального рынка корпоративных облигаций
2.3 Оценка регионального рынка муниципальных облигаций
3. Проблемы рынка региональных облигаций и пути их решения
3
5 руб.
Расчет аналоговых и дискретных устройств связи. Вариант №6
b1nom
: 21 января 2018
Спроектировать дискретный фильтр, выделяющий гармоническое колебание заданной частоты из сигнала на выходе нелинейного преобразователя и удовлетворяющий условиям, указанным в таблице 1.
Схема (б)
КТ301Г
fг = 17,2 кГц
Rк = 2,7 кОм
Uпит. авт. = 16 В
Схема 3.2в
Д2В
Uо = 0,2 В
Um = 0,6 В
n=3
ΔА = 2 дБ
Amin. = 18 дБ
m=2
950 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 4.8 Вариант Ж
Z24
: 19 декабря 2025
В системе отопления горячая вода с вязкостью ν = 0,004 см²/с поступает с расходом Q по трубе к точке К, в которой подключен трубопровод 2 для подвода воды к теплообменнику. В точке М трубопроводы вновь объединяются. Определить перепад давлений между точками К и М – ΔрК-М и расход Q2, поступающий в теплообменник. При этом: теплообменник рассматривать как трубопровод длиной l и диаметром d2; считать, что трубопроводы 1 и 2 имеют одинаковый диаметр d, а их длины соответственно равны l1 и l2, режим
150 руб.
Контрольная работа по предмету "Производственный менеджмент". Вариант №14
ZhmurovaUlia
: 8 февраля 2019
Задание на контрольную работу
«Технико-экономический проект развития ГТС»
Исходные данные:
Емкость проектируемой АТС, номеров - 9000.
Количество соединительных линий от проектируемой АТС к другим АТС и УВС (исходящие/входящие):
АТС 1 - 57/59 УВС 1 - - / 174
АТС 2 - 67/73 УВС 2 - 155 / -
АТС 3 - 72/69 УВС 3 - 137 / -
Расстояние между проектируемой АТС и другими АТС и УВС:
АТС 1 - 3,4 УВС 1 - 5,9
АТС 2 - 1,7 УВС 2 - 4,7
АТС 3 - 2,4
120 руб.