"Физические основы электроники". Вариант 11. 2 курс, 4 семестр
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Данные, соответствующие варианту No11, согласно таблицы 1.1 приложения А
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Задача 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Данные, соответствующие варианту No11, согласно таблицы 1.1 приложения А
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Задача 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.05.2020
Рецензия:Уважаемый ....., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.05.2020
Рецензия:Уважаемый ....., Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники. Билет 10. 2 курс, 4 семестр
Alexandr1305
: 10 июня 2020
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
50 руб.
Физические основы электроники. Вариант №11
konst1992
: 31 января 2018
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с (ОБ) приведена на рисунке 1 а.
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №11.
costafel
: 24 марта 2015
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
250 руб.
Физические основы электроники, курсовая работа, вариант №11
parus10810
: 22 марта 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 11
1. Напряжение источника питания UПИТ = - 15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 7.
3. Входное сопротивление: RВХ = 0,47 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 2 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: F
1000 руб.
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Andreas74
: 5 марта 2019
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Приложение А. Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
8 КТ605А 15 250 625 375 20 2,75 220
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариан
70 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №11.
costafel
: 14 ноября 2015
1.Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3.Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
320 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Другие работы
Проект хлебозавода производительностью 50-55 т/сут
Рики-Тики-Та
: 20 марта 2011
Содержание
Нормативные ссылки 5
Введение 7
1 Технологические расчеты 8
1.1 Обоснование и выбор технологических схем, их
описание 8
1.2 Уточненный расчет производительности предприятия 11
1.3 Унифицированные рецептуры и физико-химические
показатели качества изделий 14
1.4 Выход готовых изделий 15
1.5 Расчет необходимого количества сырья 17
1.6 Расчет производственных рецептур
55 руб.
Пути улучшения финансового состояния предприятия на примере ООО "Жилтрест №1"
Elfa254
: 27 октября 2013
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ЗНАЧЕНИЕ И СУЩНОСТЬ АНАЛИЗА ФИНАНСОВОГО СОСТОЯНИЯ ПРЕДПРИЯТИЯ КАК ИНСТРУМЕНТА ПРИНЯТИЯ УПРАВЛЕНЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ
1.1 Значение финансового анализа в современных условия
1.2 Информационная база финансового анализа
1.3 Основные подходы к финансовому анализу
1.4 Виды финансового анализа
1.5 Классификация методов и приемов анализа
1.6 Система показателей, характеризующих финансовое состояние предприятия
2. АНАЛИЗ ФИНАНСОВОГО СОСТОЯНИЯ ПРЕДПРИЯТИЯ НА ПРИМЕРЕ ООО «
10 руб.
Техника: закономерности развития и роль в жизни общества - КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по дисциплине «Философия»
triton88
: 22 декабря 2023
Задание1. Вопросы к Лекции Техника: закономерности развития и роль в жизни общества:
1. Человек и техника, концепция эстатизации и гуманизации техники
2. Философия техники и сущность техники
Задание 2. Статьи на тему:
Рекомендации к выполнению задания:
• зарегистрируйтесь на сайте https://elibrary.ru/, в поисковой строке корректно введите запрос, например, «Философия и мировоззрение»
• из числа предложенных выберите 2 статьи ( с 2010 и далее года публикации), с возможностью загрузки полного т
350 руб.
Цилиндр 019.000.000 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 10 августа 2023
Цилиндр 019.000.000 сб
Цилиндр 019.000.000 Спецификация
Цилиндр 019.000.000 3d сборка
Цилиндр 019.000.000 чертежи
Крышка 019.000.002
Фланец 019.000.003
Пластина 019.000.004
Корпус сварной 019.010.000 Сб
Корпус сварной 019.010.000 Спецификация
Фланец 019.010.001
Цилиндр корпуса 019.010.002
Планка 019.010.003
Фланец 019.010.004
РАСЧЕТ РЕЗЬБОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ
1 Расчет болтового соединения
1.1 изображение болтового соединения
2 Расчет соединения шпилькой
2.1 Изображение шпилечного соединения
3 Расчет
800 руб.