"Физические основы электроники". Вариант 11. 2 курс, 4 семестр

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Курсовая работа.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Данные, соответствующие варианту No11, согласно таблицы 1.1 приложения А

Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.

Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.

Задача 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.

Задача 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 27.05.2020
Рецензия:Уважаемый ....., Ваша работа зачтена.


Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники. Билет 10. 2 курс, 4 семестр
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
User Alexandr1305 : 10 июня 2020
50 руб.
Физические основы электроники. Вариант №11
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с (ОБ) приведена на рисунке 1 а.
User konst1992 : 31 января 2018
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №11.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагрузки; 2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User costafel : 24 марта 2015
250 руб.
Физические основы электроники, курсовая работа, вариант №11
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 11 1. Напряжение источника питания UПИТ = - 15 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 7. 3. Входное сопротивление: RВХ = 0,47 МОм. 4. Выходное сопротивление: RН = 2 кОм. 5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В. 6. Нижняя рабочая частота: fН = 300 Гц. 7. Верхняя рабочая частота: F
User parus10810 : 22 марта 2015
1000 руб.
Физические основы электроники, курсовая работа, вариант №11
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Выбор варианта задания Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б. Приложение А. Варианты заданий для последней цифры пароля. Таблица П.А.1 No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc 8 КТ605А 15 250 625 375 20 2,75 220 Варианты заданий для предпоследней цифры пароля. Таблица П.А.2 Вариан
User Andreas74 : 5 марта 2019
70 руб.
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №11.
1.Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 3.Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
User costafel : 14 ноября 2015
320 руб.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Основание в сборе. Задание №16
Основание в сборе. Задание 16 Сборочная единица "Основание в сборе" содержит три детали. В стаканы 2 вставляются втулки 3 и детали соединяются двумя винтами 5 (М10х16 ГОСТ 17473-80). Стаканы со втулками крепятся к основанию 1 двумя винтами 4 (М10х25 ГОСТ 1491-80), расположение стаканов см. на схеме. Требуется: а) Выполнить сборочный чертеж узла на формате А3 в масштабе 1:1. Чертеж должен содержать главный вид с разрезом, вид сверху и вид слева с разрезом. б) Составить спецификацию сборочной е
User lepris : 24 сентября 2021
500 руб.
Основание в сборе. Задание №16
Стенд для испытания тормозных систем роликового типа для грузовых автомобилей
Содержание ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………..……….4 1 ОБЗОР АНАЛОГОВ И ВЫБОР ПРОТОТИПА…………….....…………………….……5 2 РАСЧЁТ ИНЕРЦИОННОГО СТЕНДА ПРОВЕРКИ ТОРМОЗНОЙ СИСТЕМЫ………………11 2.1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ РОЛИКОВ СТЕНДА…………………………...……11 2.2 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ И ВЫБОР ВЫТАЛКИВАТЕЛЯ КОЛЁС…………….....13 2.3 РАСЧЁТ ПОДШИПНИКОВ РОЛИКОВ………………………………………………15 2.4 РАСЧЁТ МОМЕНТОВ ИНЕРЦИИ ВРАЩАЮЩИХСЯ МАСС…….………………….…16 2.5 РАСЧЁТ ИНЕРЦИОННОЙ МАССЫ СТЕНДА…………………………………………18 2.6 РАСЧЁТ ВАЛА РОЛИКОВ НА ПРОЧНОСТЬ
User proekt-sto : 29 декабря 2020
700 руб.
Стенд для испытания тормозных систем роликового типа для грузовых автомобилей
1-й курс. 1-й семестр. «Математический анализ». Экзамен. Билет № 11
1. Второй замечательный предел и следствия из него. 2. Приложения определенного интеграла: площадь плоской фигуры в декартовой и полярной системе координат. 3. Найти интервалы выпуклости и вогнутости кривой 4. Найти область определения функции 5. Найти интеграл 7. Исследовать сходимость интеграла 8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями.
User ДО Сибгути : 10 февраля 2016
50 руб.
1-й курс. 1-й семестр. «Математический анализ». Экзамен. Билет № 11
Теплотехника Задача 3.54 Вариант 64
Определение основных параметров газовой смеси в состояниях 1 и 2 1 кг газовой смеси заданного состава в % от объёма смеси совершает термодинамические процессы от состояния от 1 до состояния 2 с показателями n1=0; n2; n3=1; n4; n5=k; n6. Объём газовой смеси во всех процессах изменяется в ε=V2/V1 раз. Данная смесь обладает свойствами идеального газа. Начальное давление газовой смеси р1, МПа; начальная температура t1, ºС. Определить основные параметры газовой смеси в состоянии 1 и в состоянии
User Z24 : 19 января 2026
500 руб.
Теплотехника Задача 3.54 Вариант 64
up Наверх