Физические основы электроники
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
21.06.2020
-
Размер:
127 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
erboollat
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лаб.раб№2.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
Дополнительная информация
2018 год оценка зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
kombatowoz
: 7 декабря 2019
200 руб.
Физические основы электроники.
opa154
: 22 октября 2019
Лаб раб №3
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Порядок проведения лабораторной работы.
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604
IС,мА 0,64 0,54 0,
opa154
: 22 октября 2019
120 руб.
Другие работы
Резонансная двухмассная виброплощадка с нерегулируемым приводом
OstVER
: 18 декабря 2020
Введение .. 4 8
ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ИССЛЕДОВАНИЙ РЕЗОНАНСНЫХ ВИБРОПЛОЩАДОК.
1.1. Анализ достоинств и недостатков резонансных 9 12
виброустановкок
1.2. Способы настройки резонансных вибромашин .' 12 17
1.3. Выбор резонансных виброустановок 17 19
1.4. Особенности анализа параметров виброустановок
резонансного типа 19 29
1.5. Цель и задачи исследований 29 30
1.6. Выводы 30 31
ГЛАВА 2. ТЕОРИЯ РАБОТЫ РЕЗОНАНСНОЙ ДВУХМАССНОЙ ВИБРОСИСТЕМЫ С НЕРЕГУЛИРУЕМЫМ ПРИВОДОМ.
2.1. Определение момента нагру
OstVER
: 18 декабря 2020
220 руб.
Система поэлементной и покадровой синхронизации
LanaTol
: 21 марта 2023
РГР
дисциплины «Математическое моделирование радиотехнических сигналов и систем»
Система поэлементной и покадровой синхронизации
Работа для допуска к экзамену Мелентьева О.Г.
ответы к экзамену в профиле
LanaTol
: 21 марта 2023
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная графика. Вариант №2
SibGOODy
: 3 февраля 2018
Лист №1 (плоские сечения поверхностей)
Построить три проекции сферы со сквозным отверстием.
X0=70, Y0=60, Z0=60, Xa=118, Za=35, Xb=56, Zb=95, Xc=44, Zc=95,Xd=44, Zd=35, R=46
Лист №2 (пересечение поверхностей)
Построить две проекции линии пересечения поверхностей вращения.
Xk=80, Yk=70, Zk=0, R=45, h=100, Xe=50, Ye=70, Ze=32, r=30
Лист №3 (виды, разрезы, сечения)
По двум заданным видам построить три изображения,
Выполнить заданные разрезы и наклонное сечение.
Нанести размерные линии.
Лист №4
SibGOODy
: 3 февраля 2018
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Основы передачи дискретных сообщений". Вариант №3
wowan1190
: 10 января 2014
Задача № 1
Для дискретного симметричного канала без памяти вероятность ошибочного приема элемента равна . Рассчитать вероятности поражения кодовой комбинации длина , ошибкой кратности .
Задача № 2
Определить вероятность неправильного приема кодовой комбинации , если для передачи используется код с кодовым расстоянием в режиме исправления ошибок. Длина кодовой комбинации , из первой задачи.
Задача №3
Определить скорость передачи информации с решающей обратной связью и ожиданием (РОС – О
wowan1190
: 10 января 2014
70 руб.
